#SKHynixQ3RevenueHitsKRW104.6T

حققت SK Hynix أفضل نتائج فصلية في تاريخ الشركة خلال الربع الثالث من 2025.
وفقًا للإفصاح الرسمي، بلغت الإيرادات 24.4489 تريليون وون، والأرباح التشغيلية 11.3834 تريليون وون، وصافي الأرباح 12.5975 تريليون وون. وهذه هي المرة الأولى التي تتجاوز فيها الأرباح التشغيلية الفصلية 10 تريليونات وون. وعلى أساس سنوي، ارتفعت الإيرادات بنسبة 39%، والأرباح التشغيلية بنسبة 62%، وصافي الأرباح بنسبة 119%. وعلى أساس فصلي، بلغ النمو 10% و24% و80% على التوالي. وبلغ هامش التشغيل 47%، وهامش صافي الأرباح 52%.
ثلاثة عوامل أسهمت في هذه النتائج القياسية:
الريادة في HBM - كانت مبيعات HBM3E بسعة 12 طبقة عاملًا أساسيًا. وأدى ارتفاع إنفاق شركات الحوسبة السحابية العالمية على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي إلى زيادة الطلب على الذاكرة عالية القيمة.
DDR5 للخوادم وeSSD - زادت شحنات وحدات DDR5 عالية السعة، البالغة 128GB فأكثر، بأكثر من الضعف مقارنة بالربع السابق. أما في جانب NAND، فقد اكتسبت وحدات SSD المخصصة للمؤسسات لخوادم الذكاء الاصطناعي حصة كبيرة.
دورة الأسعار - تزامن الارتفاع الكامل لأسعار DRAM وNAND مع زيادة حجم المنتجات المتميزة.
تحسن المركز المالي أيضًا. وارتفعت النقدية وما يعادلها بمقدار 10.9 تريليون وون لتصل إلى 27.9 تريليون وون. وبلغ الدين الحامل للفائدة 24.1 تريليون وون، ما وضع الشركة في مركز صافي نقدي قدره 3.8 تريليون وون.
ولا تزال التوقعات قوية. اكتمل تطوير HBM4 في سبتمبر وبدأ الإنتاج الضخم. وستبدأ الشحنات في الربع الرابع، مع التخطيط لزيادة الإنتاج إلى كامل طاقته العام المقبل. وقالت الشركة إن اتفاقيات توريد HBM للعام المقبل أُنجزت، وإن الطلب الإجمالي على كامل إنتاج DRAM وNAND للعام المقبل قد تأمّن بالفعل.
وفي الإنتاج، تتمثل الخطة في تسريع الانتقال إلى عملية 1c، وهي الجيل السادس من فئة 10nm، التي استقر إنتاجها الضخم حاليًا، وتقديم مجموعة كاملة من المنتجات للخوادم والأجهزة المحمولة والرسوميات. وبالنسبة إلى NAND، سيتوسع إنتاج TLC وQLC ذي 321 طبقة. وقد افتُتحت غرفة نظيفة جديدة في مصنع M15X في تشونغجو، وبدأ إدخال المعدات إليه، لذا من المقرر أن ترتفع النفقات الرأسمالية العام المقبل مقارنة بهذا العام.
ومن منظور المتداولين، يتحول الطلب من تدريب الذكاء الاصطناعي إلى الاستدلال، ما يوزع الأحمال على الخوادم العامة. وهذا يوسع الحاجة إلى DDR5 عالية الأداء وeSSD إلى ما يتجاوز HBM وحدها. ومع إعلان الشركات الرائدة في مجال الذكاء الاصطناعي عن إنشاء مراكز بيانات ضخمة، يُتوقع أن يستمر النمو المتوازن عبر محفظة الذاكرة.
$MU $SKHYV $NVDA $MRVL $SNDK
#ShareWeekly #GateSquareHalloween