تدخل تقنية SoIC من TSMC مرحلة الإنتاج الكمي بمسافة تباعد قدرها 6 ميكرومترات، مع التخطيط لتكديس A14 فوق A14 بمسافة تباعد قدرها 4.5 ميكرومتر في عام 2029.
قال هي جون، نائب رئيس قسم التغليف المتقدم في TSMC، في 11 أغسطس، إن تقنية System-on-Integrated-Chip (SoIC) التابعة للشركة تشهد نمواً سريعاً. وقد دخلت تقنية الربط الهجين ذات التباعد البالغ 6 ميكرومترات مرحلة الإنتاج الكمي، ما يشير إلى انتقالها من البحث والتطوير إلى التصنيع واسع النطاق. وتعتزم TSMC تطوير تقنية بتباعد يبلغ 4.5 ميكرومترات بحلول عام 2029، ما سيدعم تكديس شريحة منطق A14 مباشرة فوق شريحة منطق A14، ويتيح تكاملاً ثلاثي الأبعاد حقيقياً للمنطق فوق المنطق. ويقود هذا التقدم الطلب المتزايد على
TSM%2.33-
GateNews·08-11 08:43
