تنقل Groq معمارية رقائق AI من الجيل التالي إلى ذاكرة DRAM مكدّسة ثلاثية الأبعاد، وتتخلى عن SRAM
وفقًا لتقارير حديثة، تدرس Groq، التي استحوذت عليها إنفيديا مؤخرًا، اعتماد تقنية تغليف ذاكرة DRAM المكدسة ثلاثية الأبعاد (3DS) في رقائق الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي، متخليةً عن البنية التقليدية القائمة على SRAM. ويستفيد النهج الجديد من تقنية التوصيلات عبر السيليكون (TSV) لربط عدة قوالب أشباه موصلات رأسيًا، ما يزيد كثافة الذاكرة لكل وحدة مساحة بدرجة كبيرة، مع الحفاظ على بروتوكولات واجهة DRAM القياسية. وعلى خلاف تقنية HBM لدى إنفيديا، التي تعطي الأولوية لعرض النطاق الترددي، تركز تقنية 3DS على ز
NVDA%1.03+
GateNews·10-21 21:52
