كشفت Samsung Electronics عن محفظتها من تقنيات الذاكرة من الجيل التالي للذكاء الاصطناعي في مؤتمر Future of Memory and Storage (FMS) 2026 في سانتا كلارا، كاليفورنيا، وقدمت خارطة طريق تكنولوجية شاملة مصممة لتلبية المتطلبات المتنامية للحوسبة عالية الأداء والبنية التحتية للذكاء الاصطناعي. واستعرضت الشركة نحو 30 تقنية للذاكرة والتخزين في جناح مستوحى من خوادم السحابة المخصصة للذكاء الاصطناعي، بينما قدم المسؤولان التنفيذيان جين-يوب لي، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس منتجات وتقنيات الفلاش، وكَيُونغريون كيم، نائب رئيس فريق تصميم DRAM، الكلمة الرئيسية الافتتاحية بعنوان "Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture." ويتناول الإعلان المتطلبات المتسارعة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي والبنية التحتية لمراكز البيانات من خلال معماريات الذاكرة العمودية وقدرات التصنيع المتقدمة.
تقدم Samsung معماريتي الذاكرة العمودية zHBM وzNAND-O
قدمت Samsung تقنية zHBM، التي تكدّس ذاكرة النطاق الترددي العالي عمودياً فوق مسرّعات الذكاء الاصطناعي مباشرة، بدلاً من وضعها بجانب الشريحة. وتقول Samsung إن هذا التصميم يقلل مسافة انتقال البيانات، ما يوفر أداءً يعادل نحو 8 أضعاف أداء HBM5، وكثافة ذاكرة تزيد على 10 أضعاف، وكفاءة طاقة تعادل 3 أضعاف، مع خفض المقاومة الحرارية بأكثر من النصف. وتدعم هذه المعمارية دمج الملكية الفكرية المخصصة بين الطبقات، ما يتيح حلولاً مصممة خصيصاً لمسرّعات محددة. كما استعرضت Samsung تقنية zNAND-O، وهي حل قائم على V-NAND طُوّر بإصدارين من 4 و8 طبقات، ويجمع بين الكفاءة العالية في استغلال المساحة وزمن الاستجابة المنخفض لأعباء عمل الذكاء الاصطناعي الطرفي الآنية.
تعلن Samsung عن V10 BV-NAND بأكثر من 400 طبقة وخارطة طريق للإنتاج
أعلنت Samsung عن V10 BV-NAND، وهي أول معمارية Bonding V-NAND في القطاع، وقد أصبحت ممكنة بفضل تقنية جديدة لربط الرقاقات. ويضم المنتج أكثر من 400 طبقة، ما يزيد كثافة الذاكرة بنحو 58% مقارنة بالجيل السابق V9، مع تحسين أداء القراءة والكتابة والإدخال والإخراج. وتأتي هذه المحطة بعد 13 عاماً من تقديم Samsung أول V-NAND في القطاع. وبعد بدء الإنتاج الضخم لـ HBM4 في فبراير، بدأت الشركة شحن عينات HBM4E في مايو، كما عرضت نموذج HBM5 في FMS 2026. واستعرضت Samsung تقنية LPDDR5X-PIM، وهي أول ذاكرة DDR منخفضة الطاقة في القطاع مزودة بتقنية المعالجة داخل الذاكرة، التي تنفذ العمليات الحسابية داخل مصفوفة الذاكرة للحد من حركة البيانات واستهلاك الطاقة. وبالنسبة إلى البنية التحتية لمراكز البيانات، عُرض حلّا التخزين المؤسسيان PM1763 وBM1773. وسلطت Samsung الضوء على استراتيجيتها المتكاملة، التي تقدم خدمات التصميم والتصنيع المتكاملة بهدف تقصير دورات التطوير وتحسين الأداء لعملاء أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي.
الأسئلة الشائعة
ماذا كشفت Samsung في FMS 2026؟
كشفت Samsung عن محفظتها من تقنيات الذاكرة من الجيل التالي للذكاء الاصطناعي في مؤتمر Future of Memory and Storage (FMS) 2026 في سانتا كلارا، كاليفورنيا، واستعرضت نحو 30 تقنية للذاكرة والتخزين، من بينها zHBM وzNAND-O وV10 BV-NAND.
ما مواصفات أداء تقنية zHBM من Samsung؟
تقول Samsung إن zHBM توفر أداءً يعادل نحو 8 أضعاف أداء HBM5، وكثافة ذاكرة تزيد على 10 أضعاف، وكفاءة طاقة تعادل 3 أضعاف، مع خفض المقاومة الحرارية بأكثر من النصف.
كم عدد طبقات V10 BV-NAND من Samsung؟
تضم V10 BV-NAND من Samsung أكثر من 400 طبقة، وتزيد كثافة الذاكرة بنحو 58% مقارنة بالجيل السابق V9، مع تحسين أداء القراءة والكتابة والإدخال والإخراج.
