正在比较芯片板块基金的读者,需要先划清行业边界。宽基科技 ETF 通常同时纳入软件、互联网平台与硬件,芯片公司只是其中一层。半导体 ETF 把范围收在芯片设计、晶圆制造、生产设备或存储。两边即使持有同一家芯片公司,权重和其余成分也不同,涨跌驱动不会一一对应。这一边界比代码本身更要紧。
半导体 ETF 持有规则选入的芯片公司股票,不持有晶圆库存或芯片成品。SMH 与 SOXX 按各自指数挑选公司,DRAM 按存储相关收入挑选公司,三份名单不能互相代替。
SMH、SOXX 与 DRAM 的筛选范围不同,指数焦点和权重规则也各不相同。SMH(VanEck Semiconductor ETF)跟踪 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index,覆盖美国上市的半导体生产与设备公司,也可包含美国上市的外国公司。VanEck 页面列出指数方法与持仓入口。
SOXX(iShares Semiconductor ETF)以约 30 家最大的美国上市半导体公司为目标,力求跟踪相应的美国股票指数。名称于 2021-06-21 从 iShares PHLX Semiconductor ETF 改为现名,改名不改权重上限。iShares 页面提供规则与持仓入口。
这些产品是交易所交易基金。份额对应的是设计、制造或装备半导体的公司,不是一堆半导体库存。已经持有信息技术基金的读者,会在更宽的板块里再次看到同一批公司,因为半导体业务就在这个板块里面。Broadcom Inc. 与 Applied Materials Inc. 属于这类美国上市名称可能进入的公司。NVIDIA 与台湾积体电路制造在上市规则允许时也可以出现。某一日的权重以持仓文件为准。交易份额和交易 CFD 是两种权利,每日杠杆合约的回报随每个交易日的路径变化。
DRAM(Roundhill Memory ETF)只筛选存储相关收入,覆盖 HBM、DRAM、NAND 及相关业务。Roundhill 对 DRAM 使用修正市值加权。下表并列代码、指数焦点、权重规则和 Gate CFD。
| 代码 | 指数焦点 | 权重规则 | Gate CFD |
|---|---|---|---|
| SMH | MVIS US Listed Semiconductor 25 Index | 按 MVIS 指数的市值与流动性规则加权,单一股票上限以指数规则为准 | SMH |
| SOXX | 约 30 家最大的美国上市半导体公司 | 前五大证券各 8%,其余证券各 4%,ADR 累计权重 10%;每年重构,每季再平衡 | SOXX |
| DRAM | 存储收入(HBM、DRAM、NAND 及相关) | 修正市值加权,单一公司上限 25%,至少每季再平衡 | DRAM |
上表把跟踪对象和单一股票权重拆开。SMH 服从 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index,不自动采用 SOXX 的 8% 与 4% 上限。DRAM 的 25% 只约束存储主题里的一家公司。先读权重规则再比较价格变动,避免把个股集中度当成全行业波动。
市值加权让更大的公司占更高权重。持仓上限把超出部分压回去,腾出的权重分给其余成分股。没有上限时,一家大型芯片设计公司就可以主导半导体 ETF 的单日波动。
SOXX 把前五大证券各限制在 8%,其余证券各限制在 4%,ADR 累计限制在 10%。成分每年重构,权重每季再平衡。重构决定名单,再平衡把权重压回上限。两步不是同一件事。
DRAM 用修正市值加权,单一公司上限 25%,至少每季再平衡。25% 高于 SOXX 的单一证券上限,存储龙头对 DRAM 的拉动可以更大。SMH 不套用这两套数字,权重只服从 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index。
设计、制造、设备与存储的收入环节不同。宽基半导体 ETF 和只做存储的产品,不会被同一件事以同样幅度推动。四层混在一组权重里时,看不出哪一层在带动基金份额。
设计公司出售架构与产品,往往没有自己的晶圆厂。制造公司按订单生产,资本开支更长。设备公司出售光刻、刻蚀等工具,订单跟随晶圆厂扩建。存储收入来自 HBM、DRAM、NAND 及相关产品,可以与逻辑芯片脱节。台积电(TSMC)在制造层,阿斯麦(ASML)在设备层;分层不等于两家公司列入每一只半导体 ETF。
DRAM 只纳入存储相关收入。宽基半导体 ETF 可以同时持有四层公司。读持仓时先分层再看权重,避免把设备开支的波动读成存储价格的波动。
核对半导体 ETF 时,先看发行人页面上的费用率,再看是尽量复制整个指数还是抽样持有,以及名单和权重多久调整。费用率是持有份额的年度成本,不是收益率。
费用率以发行人页面的数字为准。跟踪差额来自费用、未买入的成分,或再平衡的成交时点。VanEck Semiconductor ETF 力求在扣除费用和开支之前,贴近 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index 的价格与股息收益。贴近指数并不表示成交价始终等于资产净值。
SOXX 每年重构、每季再平衡;DRAM 至少每季再平衡。份额通过申购和赎回靠近资产净值,交易时段仍可能溢价或折价。溢价或折价对照成交价与资产净值,不能从费用率推算。
SOXL 寻求某个半导体指数在每个交易日、费用扣除前的正向三倍变动;SOXS 寻求每个交易日、费用扣除前的反向三倍变动。每日重置后,多日结果取决于涨跌路径,不等于区间涨跌乘以三。
一组不含费用的算术可以说明路径依赖,数字不是 SOXL 或 SOXS 的历史业绩。指数先涨 10% 再跌 10%,两日约跌 1%:100 到 110,再乘 0.9 得 99。按日正向三倍则是 100 到 130,再乘 0.7 得 91,两日约跌 9%。9% 并不是 1% 的三倍。
SOXL 与 SOXS 都把倍数锚在单个交易日。涨跌的先后会改变累计结果。持有数日不会把每日三倍锁定成区间三倍。指数上涨当日,SOXS 按规则下跌,不是 SOXL 的长期镜像。

半导体 ETF 的 CFD 跟踪价格,不是 ETF 份额所有权,也没有股东投票权。基金份额对应基金里的一篮子股票;CFD 对应合约上的价格敞口。
分红会不会变成 CFD 现金调整、隔夜融资如何计算、交易时段如何划定,都以合约规格为准。这些条款不能从基金份额的分红记录推断,也不能假定 CFD 与份额持有人在同一天收到同一笔现金。

图 1. 半导体 ETF 份额与 CFD 价格敞口的结构差别。
半导体 ETF 用一篮子芯片公司股票跟踪半导体指数。SMH 对应 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index。SOXX 对应约 30 家美国上市半导体公司,上限为前五大各 8%、其余各 4%、ADR 合计 10%。DRAM 对应存储相关收入,单一公司上限 25%。四层业务的驱动不同,权重规则决定单一股票能拉动基金的幅度。
费用率以发行人页面为准。SOXL 与 SOXS 按交易日重置三倍目标,多日结果随路径变化。CFD 只有价格敞口,没有份额所有权和投票权;现金调整、隔夜融资和交易时段以合约规格为准。
半导体 ETF 持有规则选入的芯片公司股票,以及运作所需的现金类资产,不是晶圆、封装成品或芯片库存。基金份额代表对这组股票的权益。晶圆厂库存留在上市公司账上,不会转到基金持有人名下。
SMH 的成分由 MVIS US Listed Semiconductor 25 Index 从美国上市半导体公司中选出。SOXX 以约 30 家最大的美国上市半导体公司为目标,前五大各不超过 8%,其余各不超过 4%,ADR 累计不超过 10%,每年重构、每季再平衡。同一家公司在两套规则下的权重不必相同。
台积电(TSMC)或阿斯麦(ASML)能否纳入,看上市地和资格规则,不看总部所在地。MVIS US Listed Semiconductor 25 Index 面向美国上市证券,可以包括美国上市的外国公司。SOXX 把 ADR 累计权重限制在 10%,这是一组证券的总限制,不是点名承诺。持仓文件里有没有这两家公司,要同时看指数资格和持仓名单。
不会按持有天数保持为区间涨跌的三倍。SOXL 与 SOXS 每个交易日重置倍数,连续数日的结果由每日涨跌顺序决定。先涨后跌和先跌后涨,累计偏离可以不同。多个交易日不会把每日目标换成整段区间的三倍。
CFD 不是 ETF 份额,不能按股东身份领取基金分红,也没有投票权。分红若反映到合约上,只是合约规格里的现金调整,不是把派息直接记入 CFD。是否调整、何时调整、隔夜融资如何收取,都要看合约规格,不能套用 SMH、SOXX 或 DRAM 的派息日历。
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