深潮 TechFlow 訊息，7 月 29 日，據市場公開數據，「大空頭」Michael Burry 於 6 月底至 7 月初陸續建立半導體板塊空頭部位，標的包括英偉達、應用材料、iShares 半導體 ETF 及美光科技。其中，其於 6 月 30 日左右在英偉達約 198.09 美元、應用材料約 729.40 美元、iShares 半導體 ETF 約 642.80 美元附近開始做空，並於 7 月初在美光科技約 1,051.87 美元附近建立直接空頭部位。7 月 24 日左右，其又對美光科技、英偉達及 iShares 半導體 ETF 進一步加空。
截至 7 月 28 日美股收盤，從 6 月底至 7 月初建立的首批空頭部位來看，應用材料做空浮盈幅度約為 34.7%，為相關標的中最高；iShares 半導體 ETF 做空浮盈約 23.3%，美光科技約 22.0%，英偉達約 0.5%。若在不考慮具體部位權重的情況下，以簡單平均口徑計算，該半導體空頭組合階段性浮盈幅度約為 20.1%。
此外，若按 7 月 24 日收盤價近似計算其後續加空部分，截至 7 月 28 日美股收盤，美光科技、英偉達及 iShares 半導體 ETF 的加空浮盈幅度分別約為 10.9%、4.8% 及 6.4%，對應簡單平均浮盈約為 7.4%。
由於目前缺少具體做空規模、期權結構、加倉比例以及是否平倉等資訊，暫無法計算其實際獲利金額。
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“空頭之王”Michael Burry 做空半導體浮盈最高約 34.7%
深潮 TechFlow 訊息，7 月 29 日，據市場公開數據，「大空頭」Michael Burry 於 6 月底至 7 月初陸續建立半導體板塊空頭部位，標的包括英偉達、應用材料、iShares 半導體 ETF 及美光科技。其中，其於 6 月 30 日左右在英偉達約 198.09 美元、應用材料約 729.40 美元、iShares 半導體 ETF 約 642.80 美元附近開始做空，並於 7 月初在美光科技約 1,051.87 美元附近建立直接空頭部位。7 月 24 日左右，其又對美光科技、英偉達及 iShares 半導體 ETF 進一步加空。
截至 7 月 28 日美股收盤，從 6 月底至 7 月初建立的首批空頭部位來看，應用材料做空浮盈幅度約為 34.7%，為相關標的中最高；iShares 半導體 ETF 做空浮盈約 23.3%，美光科技約 22.0%，英偉達約 0.5%。若在不考慮具體部位權重的情況下，以簡單平均口徑計算，該半導體空頭組合階段性浮盈幅度約為 20.1%。
此外，若按 7 月 24 日收盤價近似計算其後續加空部分，截至 7 月 28 日美股收盤，美光科技、英偉達及 iShares 半導體 ETF 的加空浮盈幅度分別約為 10.9%、4.8% 及 6.4%，對應簡單平均浮盈約為 7.4%。
由於目前缺少具體做空規模、期權結構、加倉比例以及是否平倉等資訊，暫無法計算其實際獲利金額。