#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我們正從由供應短缺引發恐慌所導致的混亂、突發性價格飆升中走開；相反地，我們正進入一段結構上穩健的、由 AI 驅動的擴張期，預期將持續到 2027 年。
推動這一輪循環的動能，解釋了為何即使消費需求放緩，市場仍維持韌性。
2026 年第 2 季漲價與第 3 季放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而，第三季度的放緩訊號顯示，消費者正觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均成長 74%；預期增幅將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受益於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格交易出顯著溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇高峰，但手機製造商（OEM）如今正調整採購時程，並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；可見顯著分歧。6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存板塊（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不同？歷史上，記憶體循環通常呈現「繁榮—崩落」的模式：供應商堆積過剩產能，消費端對 PC 與智慧型手機的需求下降，價格也跌至谷底。
這一輪正在被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大型資料中心營運商與美國一級雲端服務供應商（CSPs）不再僅仰賴公開現貨市場的採購。他們簽署包含嚴格價格下限的 3 到 5 年合約，以防範景氣下行。例如，雖然像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商在今年年初就簽下大型 LTAs 以鎖定產品分配，Samsung 則採取更激進的策略，目標是達成更高的價格上限。
產能轉移（掠奪性替代）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的無飽需求，意味著製造商正在把實體晶圓產能從傳統 PC 與行動 DRAM 生產轉向這些板塊。即使消費性電子需求轉弱，整體供應仍受限，因為生產設施（晶圓廠，fabs）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的看法凸顯出這套高度多元、以 AI 為核心的生產策略中的贏家：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（Outperform）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 成長浪潮的主要受益者；它們擁有大量、已確保的長期協議（LTA）訂單存量，透過 2027 年前後平滑其營收軌跡。
SanDisk（Outperform）：因其在企業 SSD 合約中的結構性優勢極強而高度受益，提供較高的價格下限（約 0.29/GB 美元），使其免於 NAND 晶圓價格的小幅波動。
Kioxia（Cautious/Underperform）：暴露於更具波動性的、非 LTA 的商品型快閃記憶體市場，且對於消費端晶圓板塊轉弱的保護較少。
「火箭」式的月度價格飆升階段正在結束，但不要把這當成牛市的終結。記憶體定價的結構性底盤仍維持在高位。直到 2027 年底或 2028 年，才預期能全面形成正常化，因為新建產能最終將在那時才逐步投入營運。