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Little_Star
2026-07-11 13:21:28
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我們正遠離由供應短缺引發恐慌而導致的混亂、突發性價格飆升；相反地，我們正進入一段由 AI 驅動、結構穩健的擴張期，預期將持續到 2027 年。
推動本循環的動力解釋了為何儘管消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季漲價與第 3 季放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而第三季度的放緩信號顯示，消費者已接近其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；成長預期將降溫至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現明顯溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇高峰，但智慧型手機製造商（OEM）正因成本調整採購時程並縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；出現顯著分歧。6 月時，晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業級 SSD 與行動儲存板塊（+70% 到 +80%）仍維持市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不一樣？歷史上，記憶體循環常以「繁榮與崩跌」模式為特徵：供應商累積過剩產能，PC 與智慧型手機的消費需求下滑，而價格觸及谷底。
本循環正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大型資料中心營運商與美國一級雲端服務供應商（CSPs）不再僅依賴來自公開現貨市場的採購。他們簽訂包含嚴格價格地板的 3 到 5 年合約，以防範景氣下行。例如，今年年初像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商簽下大型 LTA，以確保產品配額；而 Samsung 採取較進取的立場，目標是達到更高的價格上限。
產能轉移（掠奪性取代）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求難以被滿足，使得製造商將實體晶圓產能從傳統 PC 與行動 DRAM 生產轉向這些領域。即便消費性電子需求走弱，整體供應仍受限，因為生產設施（晶圓廠）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這項高度多元且以 AI 為核心的生產策略所帶來的贏家：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（表現優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 景氣的主要受益者；他們持有大量、已鎖定的長期協議（LTA）訂單，使其營收軌跡能在 2027 年前更平滑地延續。
SanDisk（表現優於）：由於其在企業級 SSD 合約中的結構性地位極具優勢而深受其利，提供較高的價格地板（約 $0.29/GB），可使其免受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎／表現落後）：暴露於更具波動的、非 LTA 的商品型快閃市場，且較缺乏來自消費端晶圓板塊走軟的隔離效果。
月度價格飆升的「火箭飛船」階段正在結束，但不要誤以為這就是多頭行情的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。直到 2027 年末或 2028 年，新建產能才終於投產，屆時才預期能充分實現正常化。
DRAM
-2.02%
SK海力士
-0.27%
SKHYV
-0.98%
MU
-1.19%
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Yusfirah
2026-07-11 00:56:20
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我們正在遠離由供給短缺引發恐慌而導致的混亂、突然的價格尖峰；取而代之的是，我們進入一段在結構上站得住腳、由 AI 驅動的擴張期，預期將持續到 2027 年。
推動本循環的動力，也解釋了為何即使消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季的價格上漲與第 3 季的放緩：2026 年第二季對記憶體製造商而言非常驚人；然而，第三季的放緩顯示消費者已觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格出現顯著溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇高峰，但手機製造商（OEM）正調整採購時程並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；明顯存在顯著分歧。6 月的晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存分部（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不一樣？歷史上，記憶體循環的特徵通常是「繁榮—崩落」模式：供應商累積過剩產能，消費者對個人電腦與智慧型手機的需求下滑，價格跌到谷底。
而這一循環正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大規模資料中心營運商與美國一線雲端服務供應商（CSPs）不再僅仰賴公開現貨市場的採購。他們正在簽署包含嚴格價格底線、以防範景氣下行的 3 到 5 年合約。例如，儘管像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商今年年初就簽下重大 LTAs 以確保產品配額，Samsung 卻採取了更激進的立場，目標是達到更高的價格上限。
產能移轉（產能自我侵蝕）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求近乎無止境，意味著製造商正在將實體晶圓產能，從傳統的個人電腦與行動 DRAM 生產，轉向這些領域。即便消費性電子的需求轉弱，整體供給仍受限，因為生產設施（晶圓廠）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這種高度多元化、以 AI 為核心的生產策略，其贏家包括：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 熱潮的主要受益者；它們擁有大量且已鎖定的長期協議（LTA）訂單，透過 2027 年前平滑其營收軌跡。
SanDisk（優於）：由於其在企業 SSD 合約中的結構性定位極具優勢，提供較高的價格底線（約 0.29 美元/GB），使其不易受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎/未達預期）：暴露在更具波動性的、非 LTA 的商品快閃市場，且對於消費者端晶圓需求放緩的保護較少。
月度價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但不要誤以為這就是多頭市場的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。由於新建產能終於開始投產，預期直到 2027 年底或 2028 年，價格的全面正常化才會真正落地。
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Falcon_Official
· 7小時前
2026 GOGOGO 👊
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
我們正遠離由供應短缺引發恐慌而導致的混亂、突發性價格飆升；相反地，我們正進入一段由 AI 驅動、結構穩健的擴張期，預期將持續到 2027 年。
推動本循環的動力解釋了為何儘管消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季漲價與第 3 季放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而第三季度的放緩信號顯示，消費者已接近其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；成長預期將降溫至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現明顯溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇高峰，但智慧型手機製造商（OEM）正因成本調整採購時程並縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；出現顯著分歧。6 月時，晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業級 SSD 與行動儲存板塊（+70% 到 +80%）仍維持市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不一樣？歷史上，記憶體循環常以「繁榮與崩跌」模式為特徵：供應商累積過剩產能，PC 與智慧型手機的消費需求下滑，而價格觸及谷底。
本循環正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大型資料中心營運商與美國一級雲端服務供應商（CSPs）不再僅依賴來自公開現貨市場的採購。他們簽訂包含嚴格價格地板的 3 到 5 年合約，以防範景氣下行。例如，今年年初像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商簽下大型 LTA，以確保產品配額；而 Samsung 採取較進取的立場，目標是達到更高的價格上限。
產能轉移（掠奪性取代）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求難以被滿足，使得製造商將實體晶圓產能從傳統 PC 與行動 DRAM 生產轉向這些領域。即便消費性電子需求走弱，整體供應仍受限，因為生產設施（晶圓廠）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這項高度多元且以 AI 為核心的生產策略所帶來的贏家：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（表現優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 景氣的主要受益者；他們持有大量、已鎖定的長期協議（LTA）訂單，使其營收軌跡能在 2027 年前更平滑地延續。
SanDisk（表現優於）：由於其在企業級 SSD 合約中的結構性地位極具優勢而深受其利，提供較高的價格地板（約 $0.29/GB），可使其免受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎／表現落後）：暴露於更具波動的、非 LTA 的商品型快閃市場，且較缺乏來自消費端晶圓板塊走軟的隔離效果。
月度價格飆升的「火箭飛船」階段正在結束，但不要誤以為這就是多頭行情的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。直到 2027 年末或 2028 年，新建產能才終於投產，屆時才預期能充分實現正常化。
我們正在遠離由供給短缺引發恐慌而導致的混亂、突然的價格尖峰；取而代之的是，我們進入一段在結構上站得住腳、由 AI 驅動的擴張期，預期將持續到 2027 年。
推動本循環的動力，也解釋了為何即使消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季的價格上漲與第 3 季的放緩：2026 年第二季對記憶體製造商而言非常驚人；然而，第三季的放緩顯示消費者已觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格出現顯著溢價。
行動 DRAM：約 80%；出現急劇高峰，但手機製造商（OEM）正調整採購時程並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；明顯存在顯著分歧。6 月的晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存分部（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不一樣？歷史上，記憶體循環的特徵通常是「繁榮—崩落」模式：供應商累積過剩產能，消費者對個人電腦與智慧型手機的需求下滑，價格跌到谷底。
而這一循環正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大規模資料中心營運商與美國一線雲端服務供應商（CSPs）不再僅仰賴公開現貨市場的採購。他們正在簽署包含嚴格價格底線、以防範景氣下行的 3 到 5 年合約。例如，儘管像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商今年年初就簽下重大 LTAs 以確保產品配額，Samsung 卻採取了更激進的立場，目標是達到更高的價格上限。
產能移轉（產能自我侵蝕）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求近乎無止境，意味著製造商正在將實體晶圓產能，從傳統的個人電腦與行動 DRAM 生產，轉向這些領域。即便消費性電子的需求轉弱，整體供給仍受限，因為生產設施（晶圓廠）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這種高度多元化、以 AI 為核心的生產策略，其贏家包括：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 熱潮的主要受益者；它們擁有大量且已鎖定的長期協議（LTA）訂單，透過 2027 年前平滑其營收軌跡。
SanDisk（優於）：由於其在企業 SSD 合約中的結構性定位極具優勢，提供較高的價格底線（約 0.29 美元/GB），使其不易受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎/未達預期）：暴露在更具波動性的、非 LTA 的商品快閃市場，且對於消費者端晶圓需求放緩的保護較少。
月度價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但不要誤以為這就是多頭市場的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。由於新建產能終於開始投產，預期直到 2027 年底或 2028 年，價格的全面正常化才會真正落地。