#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

記憶體超級循環正全速進行中，華爾街頂級投資銀行貝恩斯坦（Bernstein）在 7 月 8 日發布的每月全球儲存追蹤報告中，描繪出極度看多的圖景。根據資深半導體分析師 Mark Li 的說法，6 月 DRAM 合約價格按月持續上漲，推動 2026 年第 2 季的傳統 DRAM 平均漲幅約達 74%，相較於第 1 季。伺服器與行動需求仍是主要推動力，其中預期伺服器用 DRAM 價格在第 2 季將約上漲 60% 至 67%，行動用 DRAM 則逼近 80%。NAND 快閃記憶體合約價格顯示將按季上漲 65% 至 70%，主要由 SSD 與行動 NAND 套件帶動。
在這些數字背後，是一波規模巨大的 AI 基礎建設投資，已從根本上改變了記憶體晶片的供需動態。全球三大 DRAM 製造商——三星（Samsung）、SK Hynix 和美光（Micron）——正積極將產能重新分配到高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory, HBM），以滿足 AI 資料中心的爆發性需求，導致傳統記憶體晶片出現嚴重供給短缺。貝恩斯坦估計，SK Hynix 於 2026 年第 2 季的 DRAM 毛利率可能高達 90.9%，並在第 4 季攀升至 92.7%，反映前所未見的獲利能力。根據貝恩斯坦的數據，截至 6 月為止的一年內，廣泛用於個人電腦與伺服器的 DRAM 記憶體晶片價格上漲約 660%。
然而，這場超級循環也並非沒有壓力跡象。現貨價格傳遞出更混雜的訊號：伺服器 DDR5 模組現貨價格按月下跌 6.7%，而 NAND 晶圓現貨價格則下滑約 7%，因為較高價格開始對消費端需求造成負擔，迫使原始設備製造商（OEM）與模組廠商減少採購。貝恩斯坦警告，第 3 季價格上漲的速度將顯著放緩；TrendForce 預測傳統 DRAM 的價格漲幅將降至 13% 到 18% 之間。與此同時，UBS 將其 DRAM 價格預測提高了一倍，預估 DDR 合約定價在第 3 季將較其先前預估的 17% 按季跳升 32%，顯示價格仍在攀升，但升速正在放緩。蘋果（Apple）已公開點出飆升的記憶體成本是近期宣布的價格上漲的關鍵驅動因素，且據報導，儘管部分供應商已遭五角大廈列入黑名單，蘋果仍正與中國記憶體晶片製造商洽談，以採購更便宜的晶片。
對投資人而言，貝恩斯坦的論點提供了關鍵的時程清晰度：記憶體價格預計將在 2027 年前維持強勢，僅會在 2027 年底起逐步走向正常化；原因在於新的供給——包括來自中國業者的潛在產能增加——將逐步上線，而需求成長則趨於穩定。SK Group 與三星已共同宣布一項為期十年的投資計畫，總額 2,000 兆韓元（約 1.3 兆美元），聚焦於半導體與 AI 基礎建設，顯示供給擴張終究會到來，但速度不會快到足以緩解短期短缺。杰富瑞（Jefferies）預測，記憶體價格在 2026 年第 3 季將按季上漲 40% 至 50%，並在第 4 季再上漲 30% 至 40%，印證了延長的定價權論述。
市場影響層面多元。美光的股價受惠於有利的供需動態；華爾街維持「強烈買入」（Strong Buy）一致評級，且公布的最高目標價為 2,000 美元。SK Hynix 剛剛完成其具有里程碑意義的 280 億美元 Nasdaq ADR 上市，超額認購逾七倍；而三星（Samsung）則持續主導整體記憶體市場。對加密貨幣領域而言，影響雖屬間接但真實：由 AI 推動的記憶體需求推高資料中心成本，可能進而影響區塊鏈基礎建設在驗證與節點運作方面的經濟性；同時，聚焦 AI 的代幣或可受益於更廣泛湧入半導體供應鏈的投資浪潮。
貝恩斯坦的核心論點十分明確：這不是短暫的循環，而是由 AI 驅動、具備持久需求驅動力的結構性超級循環。主要風險在於，若消費需求轉弱能否迫使價格更快走向正常化，以及中國產能進入是否能比預期更早打亂寡占格局下的定價權。就目前而言，數據支持延長的多頭市場，但投資人應監控第 3 季合約價格走勢與現貨市場的軟化作為循環轉向的早期指標。一直延續到 2027 年的記憶體多頭行情，並非猜測；而是基於數據、根植於半導體產業所擁有最強大科技需求週期的預測
@Gate_Square