NAND 這邊的擴產節奏已經比大多數人預期的要快了。韓媒今天幾篇報導給出了具體細節。SK 海力士下半年重啟大連二廠，裝 V8（238 層）產線，月產能目標 3 到 5 萬片，2027 上半年完成。三星西安廠 V6 到 V8（236 層）的轉換 3 月底已經做完，目前在量產。

資本開支端，SK 海力士大連 2025 年投入 440.6 億韓元，年增 +52%。三星西安約 3.04 億美元，年增 +67.5%。韓系兩家在中國的 NAND 投資同步加速，方向都是 V8。

大連二廠是 SK 海力士花 11 兆韓元收購 Intel NAND 業務時拿到的，閒置了兩年多。現在能重啟，NAND 合約價暴漲是一方面，Q2 季增 +70% 以上，漲幅頭一次超過 DRAM。更關鍵的是 VEU 切換到年度審批制。以前設備商接中國工廠的 NAND 產線訂單，審批週期和結果都不確定，直接壓制採購意願。年度批次審批把可預測性提高了許多。報導提到國內合作方已經開始把閒置 NAND 設備運往大連，海外供應商也收到了初步採購訂單。

市場一直盯著 HBM 和 DRAM 的 capex 週期，NAND 被預設是週期落後者。現在韓系在中國同步轉 V8，加上 YMTC 的本土擴產，NAND 環節對沉積、蝕刻、檢測設備的需求釋放窗口，會比賣方模型裡假設的更集中。半導體設備市場裡 NAND 的貢獻權重，可能要重新算了。