三年首次！三星晶圓代工6月實現扭虧為盈，4nm工藝良率已提高到約80%

三星電子晶圓代工業務在經歷長達數年的虧損後，終於迎來轉折信號。

據韓國半導體行業消息，**三星電子晶圓代工事業部今年6月實現單月盈利，這是該部門自2023年以來首次錄得月度盈利。**HBM（高頻寬記憶體）基礎晶片（Base Die）出貨量的持續擴大，疊加4nm工藝良率的顯著改善，共同推動了這一轉變。

上述改善勢頭令三星內部對三季度實現季度盈利轉正持樂觀態度。與此同時，公司在人工智能晶片代工領域的客戶佈局也在加速推進——繼特斯拉AI6晶片訂單之後，Groq晶片生產以及與Meta、Anthropic的潛在合作相繼浮出水面，市場對三星晶圓代工業務復甦的預期進一步升溫。

月度轉盈，三季度有望季度性扭虧

三星電子晶圓代工事業部今年6月實現單月盈利，為2023年以來首次。該部門此前長期承壓——先進工藝良率不佳、大客戶流失以及產能利用率偏低等問題交織疊加，導致虧損持續擴大。三星官方不單獨披露晶圓代工事業部的財務數據，但市場估算，晶圓代工與系統LSI合併的營業虧損，2023年約為2.5兆韓元，2024年擴大至5.3兆韓元，2025年進一步攀升至約6兆韓元。

就二季度整體而言，4月和5月仍處於虧損狀態，因此單季扭虧尚難確認。但鑑於6月的盈利並非一次性結算所致，而是來自產能利用率提升和工藝良率改善的持續性貢獻，三星內部判斷，三季度實現季度盈利轉正的可能性較高。

HBM4拉動4nm利用率，良率改善降低單位成本

此次月度扭虧的核心驅動力，在於HBM Base Die出貨量的擴大與4nm工藝良率的雙重改善。

HBM Base Die是位於DRAM堆疊底部、負責與GPU進行訊號互動的邏輯晶片，由三星自有晶圓代工產線生產。HBM產量的增加，會同步拉動Base Die投片量，進而提升先進工藝產線的利用率。尤其是HBM4的Base Die採用4nm工藝生產，形成了對該產線的持續性補單效應。三星電子已於今年2月率先全球實現HBM4量產及商業出貨，5月又向全球客戶交付了HBM4E 12層堆疊樣品。

晶圓代工業務具有折舊、人工及維護費用等固定成本佔比高的特點，重複性出貨量的增加有助於提升設備利用率、降低單位成本。與此同時，據行業人士估計，三星4nm工藝良率目前已提升至約80%。良率的提高意味著相同投片量下可出貨晶片數量增加，報廢與返工成本下降。4月至5月，產能擴張初期成本與工藝穩定化壓力尚未消散；進入6月，Base Die物量增長與4nm良率改善效果同步顯現，推動單月損益轉正。

大客戶回流，AI晶片供應鏈分散化帶來新機遇

月度盈利的回歸，與晶圓代工訂單結構的改善同步發生。三星電子晶圓代工去年贏得特斯拉AI6晶片訂單，近期又承接了由輝達公佈的基於Groq架構的AI推理晶片生產業務。此外，Meta與Anthropic也被業內提及為三星潛在的自研AI晶片代工合作方，市場對三星晶圓代工復甦的預期進一步升溫。

隨著AI訓練與推理需求同步高速增長，台積電先進工藝及先進封裝產能已高度飽和。有意降低輝達依賴度的大型科技公司在擴大自研AI晶片佈局的同時，也開始尋求突破台積電單一供應商依賴格局。在這一背景下，三星憑藉2nm先進工藝佈局、HBM Base Die產能以及美國本土生產基地建設，正逐步成為備受關注的替代供應鏈選項。

儘管基本面出現改善訊號，三星晶圓代工與台積電之間的差距仍然懸殊。據市場研究機構集邦科技（TrendForce）數據，**2025年一季度全球晶圓代工市場份額中，台積電以72.3%高居首位，三星以6.5%位列第二。**與上年同期相比，台積電份額由67.6%上升4.7個百分點，三星則由7.7%下滑1.2個百分點至6.5%，兩者之間的差距由59.9個百分點進一步擴大至65.8個百分點。

風險提示及免責條款

        市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用戶特殊的投資目標、財務狀況或需要。用戶應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。