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Critini分析師：三星與SK海力士重新評估HBM混合鍵合採用的時機，技術轉變可能延遲
空投黑洞
2026-07-06 05:31:41
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7月6日，Critini Research分析師Jukan指出，三星和SK海力士正在重新評估HBM中採用混合鍵合的時間點，甚至到HBM5也可能不會導入。背後有兩個核心原因：首先，JEDEC正在討論將HBM5的厚度標準放寬到最高約1000μm（HBM3E為720μm，HBM4已放寬至775μm）。隨著標準放寬，混合鍵合無凸塊的薄化優勢不再迫切；其次，散熱有更簡單的替代方案——三星開發了Heat Path Block，SK海力士推出了iHBM（ICE HBM），兩者都是在HBM旁邊放置獨立散熱裝置，預計從HBM5開始應用，技術難度更低且商業化更穩定。此外，大客戶如Nvidia目前對超過16層的高堆疊產品沒有迫切需求，12層產品在HBM4E階段可能仍是主流。然而，混合鍵合的研發並未停滯。目前HBM4的I/O數量已翻倍至2048，現有TC熱壓鍵合製程已接近極限；若未來HBM5E階段I/O數量再翻倍至4096，凸塊的橫向擴散將使TC鍵合難以支撐，必須使用銅直接鍵合的混合鍵合來實現更高密度的連接。Jukan評估，短期內因厚度與散熱有更簡便方案，混合鍵合不會大規模部署；但中長期來看，當I/O密度再次爆發時，它仍是必然方向。這將直接影響Besi等混合鍵合設備核心供應商的市場預期。技術轉換的延遲意味著相關設備訂單放量的時間點需要重新評估。
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