BlockBeats 消息，7 月 6 日，Critini Research 分析師 Jukan 指出，三星與 SK 海力士正重新評估在 HBM 中採用混合鍵合的時機，即使到 HBM5 也可能暫不採用。核心原因有二：
一是 JEDEC 正討論將 HBM5 的厚度標準放寬至最高約 1000μm（HBM3E 為 720μm，HBM4 已放寬至 775μm），標準鬆動後混合鍵合的無凸點減薄優勢不再緊迫；
二是散熱問題有了更簡單的替代方案——三星開發了 Heat Path Block，SK 海力士推出 iHBM（ICE HBM），均為在 HBM 旁放置獨立散熱器件，計劃從 HBM5 開始應用，技術難度更低且商業化更穩妥。
此外，英偉達等大客戶對 16 層以上高堆疊產品的需求目前並不緊迫，12 層產品在 HBM4E 階段或仍為市場主流。不過混合鍵合的研發並未停滯。當前 HBM4 的 I/O 數量已翻倍至 2048 個，現有 TC 熱壓合工藝已接近極限；若未來 HBM5E 階段 I/O 進一步翻倍至 4096 個，凸點橫向擴散將使 TC 鍵合難以支撐，屆時必須採用銅直接鍵合的混合鍵合以實現更高密度連接。
Jukan 判斷：短期內因厚度與散熱有更簡單方案，混合鍵合不會大規模部署；但中長期當 I/O 密度再次爆炸時仍是必然方向。這將對混合鍵合設備核心供應商 Besi 的市場預期產生直接影響。技術換軌的推遲意味著相關設備訂單的規模放量時間表需要重新審視。
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Critini分析師：三星與海力士正重新評估HBM採用混合鍵合時機，技術換軌或被推遲
BlockBeats 消息，7 月 6 日，Critini Research 分析師 Jukan 指出，三星與 SK 海力士正重新評估在 HBM 中採用混合鍵合的時機，即使到 HBM5 也可能暫不採用。核心原因有二：
一是 JEDEC 正討論將 HBM5 的厚度標準放寬至最高約 1000μm（HBM3E 為 720μm，HBM4 已放寬至 775μm），標準鬆動後混合鍵合的無凸點減薄優勢不再緊迫；
二是散熱問題有了更簡單的替代方案——三星開發了 Heat Path Block，SK 海力士推出 iHBM（ICE HBM），均為在 HBM 旁放置獨立散熱器件，計劃從 HBM5 開始應用，技術難度更低且商業化更穩妥。
此外，英偉達等大客戶對 16 層以上高堆疊產品的需求目前並不緊迫，12 層產品在 HBM4E 階段或仍為市場主流。不過混合鍵合的研發並未停滯。當前 HBM4 的 I/O 數量已翻倍至 2048 個，現有 TC 熱壓合工藝已接近極限；若未來 HBM5E 階段 I/O 進一步翻倍至 4096 個，凸點橫向擴散將使 TC 鍵合難以支撐，屆時必須採用銅直接鍵合的混合鍵合以實現更高密度連接。
Jukan 判斷：短期內因厚度與散熱有更簡單方案，混合鍵合不會大規模部署；但中長期當 I/O 密度再次爆炸時仍是必然方向。這將對混合鍵合設備核心供應商 Besi 的市場預期產生直接影響。技術換軌的推遲意味著相關設備訂單的規模放量時間表需要重新審視。