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英特爾考慮為1.4奈米製程採用雙面電源架構，以與台積電及三星競爭。
空投黑洞
2026-07-05 21:30:55
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2025年7月5日，英特爾正考慮在其1.4奈米超精細製程中採用同時利用正面與背面供電的雙側電源架構，以追趕競爭對手。業界消息指出，英特爾最初計劃在1.4奈米的14A基礎製程中使用背面供電技術PowerDirect，但現在正考慮在後續的14A2製程中引入雙側架構。英特爾先前宣布計劃在14A製程中將晶片密度提升至18A製程的1.3倍；14A製程的目標M0間距約為28奈米，而14A2製程可能透過半節點改良將M0間距推進至21奈米。在維持背面供電網路作為主要來源的同時，英特爾將重新分配部分正面金屬佈線用於輔助供電與時脈訊號目的，以補償因微縮與曝光限制導致的電源餘量不足。英特爾14A製程預計於2028年進入風險生產，並於2029年量產。英特爾需在今年10月前向外部客戶釋出14A製程設計套件的0.9版本，並在接下來18個月內獲得主要無晶圓廠客戶的確定訂單。相較之下，台積電計劃在2028年出貨實際的1.4奈米A14產品，而三星電子則目標在2027年將採用背面供電技術的2奈米改良製程SF2Z商業化。
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