韓國媒體報導稱，中國的長鑫存儲（CXMT）目前正在合肥測試一條鍵合 DRAM 試驗產線，目標是在不使用 EUV 光刻的情況下實現高效能 DRAM。

所謂鍵合 DRAM，是一種將存儲單元陣列和外圍電路分別在不同晶圓上製造，然後再將兩片晶圓鍵合在一起的技術。透過這種方式，可以僅使用 DUV 深紫外光刻配合多重圖形化製程，生產超高密度 DRAM，從而不需要 EUV 設備。

三星電子正在以「B1b」項目開發自己的鍵合 DRAM，SK 海力士也在推進類似技術。不過，韓國媒體警告稱，目前有評估認為，長鑫存儲在這項技術本身以及開發速度上，可能都已經領先於韓國競爭對手。