TL;DR · 高盛轉引 TrendForce 預計，3Q26 傳統 DRAM 均價環比再漲 13%-18%。 · PC 和伺服器 DRAM 仍受低庫存、供給偏緊預期和 DDR5 溢價支撐。 · NAND 第三季度預計漲 10%-15%，低於高盛對三星 21% 的價格假設。
高盛 6 月 30 日發布的韓國科技存儲跟蹤報告轉引 TrendForce 預測稱，2026 年第三季度傳統 DRAM 均價將環比上漲 13%-18%，但 NAND 均價漲幅為 10%-15%，低於高盛對三星電子 NAND 價格環比上漲 21% 的模型假設。
對投資者來說，關鍵不是「存儲又漲價」，而是哪一類存儲還能繼續推高三星電子、SK 海力士等廠商的利潤預期。DRAM 價格仍在跟上高盛對三星的假設，NAND 也在漲，但漲幅已經不如更樂觀的盈利模型。
這份跟蹤報告給出的信號很直接：第三季度 DRAM 漲價仍有支撐，尤其是 PC 和伺服器端；NAND 內部開始分化，企業級 SSD 仍強，消費端行動 NAND 更溫和。三星仍受益於存儲上行，但 NAND 部分的盈利彈性可能被打折。
DRAM 是這份報告裡最強的主線。
高盛轉引 TrendForce 預計，2026 年第三季度傳統 DRAM 均價環比上漲 13%-18%，基本貼合高盛對三星傳統 DRAM 價格環比上漲 16% 的預測。在前期大幅漲價之後，DRAM 並沒有立刻降溫。
PC DRAM 的漲幅最直觀。第二季度 PC DRAM 價格已環比上漲 45%-50%，第三季度預計繼續上漲 15%-20%。報告給出的解釋是，PC OEM 庫存偏低，即使記憶體和其他零組件價格已經上漲，廠商仍願意維持採購節奏，並繼續向供應商爭取更多貨源。
背後的擔憂是 2027 年整體 DRAM 供應可能偏緊。對下游廠商來說，如果現在少買，後續可能面對更貴的價格，或者更難拿到貨。漲價本身沒有立即壓制採購，反而強化了部分提前鎖貨需求。
6 月價格也能看出這種變化。高盛報告圖表顯示，DDR4 8GB 價格環比基本持平在 119 美元，DDR5 8GB 價格從 112 美元升至 115 美元，環比上漲 3%。DDR5 相對 DDR4 的折價從此前縮小 3 個百分點至 3%，新一代產品價格正在追上舊規格。
DDR5 8GB PC 模組相對 DDR4 折價 6 月縮小 3 個百分點至 3%。
伺服器 DRAM 的價格信號更強。
第二季度伺服器 DRAM 價格已經環比上漲 53%-58%，第三季度預計再漲 13%-18%，與高盛對三星伺服器 DRAM 價格環比上漲 14% 的預測基本一致。
高盛報告圖表顯示，6 月 DDR4 64GB 伺服器模組價格維持在 1,127 美元，DDR5 64GB 伺服器模組價格環比上漲 9% 至 1,380 美元。更關鍵的是，DDR5 相對 DDR4 的溢價從 5 月的 12% 升至 22%。
這說明伺服器端漲價不只是傳統產品跟隨上漲，DDR5 等更高規格產品正在拿到更高溢價。AI 伺服器、通用伺服器升級和資料中心採購，對高容量、高頻寬記憶體的需求仍在支撐價格。
對三星和 SK 海力士這類存儲廠商來說，伺服器 DRAM 價格持續上漲，比消費電子端價格反彈更重要。伺服器產品價格高、需求更集中，通常對利潤率改善更敏感。只要伺服器端採購沒有明顯放緩，DRAM 價格上行仍有利潤傳導空間。
現貨和合約價之間的關係也在提供支撐。高盛報告圖表顯示，DDR5 16Gb 現貨價格較最新合約價溢價 17%，DDR4 8Gb 現貨價格較最新合約價溢價 38%。現貨高於合約，通常意味著短期供應仍偏緊，或買方願意為即時交付支付更高價格。
DDR5 16Gb 現貨較最新合約價溢價 17%，顯示短期價格仍有支撐。
NAND 的故事沒那麼順。
高盛轉引 TrendForce 預計，2026 年第三季度 NAND 均價環比上漲 10%-15%，低於高盛對三星 NAND 價格環比上漲 21% 的估計。結合 TrendForce 此前公開口徑中第一、二季度 NAND 價格的大幅上行，第三季度漲價仍在繼續，但強度已不如前期。
這不是說 NAND 價格轉跌，而是漲幅低於更樂觀的盈利假設。對三星來說，如果 DRAM 符合預期、NAND 低於預期，存儲業務整體仍然向上，但利潤上修空間會被 NAND 拖住一部分。
NAND 內部也有分化。企業級 SSD 仍然強，第三季度 eSSD 價格預計環比上漲 18%-23%。这部分需求受資料中心和企業存儲支撐，價格韌性更好。
消費端更溫和。eMMC/UFS 價格預計僅上漲 5%-10%。這些產品更多面向智慧型手機、消費電子和嵌入式設備，供應商對消費端客戶採取更克制的漲價策略，以避免破壞終端市場和供應鏈穩定。
這也是 NAND 不及高盛假設的主要原因：企業級產品漲得動，但消費端漲價幅度不夠高，拉低整體 NAND 均價彈性。
高盛維持三星電子買入評級，普通股 12 個月目標價為 480,000 韓元。支撐這一判斷的仍是存儲價格上行，尤其是 DRAM 價格與其對三星的預測基本一致。
但這份價格跟蹤也提醒市場，不同存儲品類的利潤傳導並不一樣。DRAM 更接近「繼續漲價」的主線，NAND 則是「仍在漲，但低於最樂觀預期」。
這會影響投資者看三星盈利修復的節奏。如果第三季度實際價格更接近 TrendForce 區間，DRAM 業務可能繼續兌現較強利潤彈性；但 NAND 若停留在 10%-15% 的漲幅，市場對三星存儲業務的上修空間會更謹慎。
風險邊界也很清楚。存儲供需一旦明顯惡化，漲價邏輯會被削弱；如果智慧型手機利潤率大幅收縮，消費端存儲漲價空間會受限；如果行動 OLED 市場份額流失，三星非存儲業務也可能拖累整體估值。
這份報告最重要的結論不是「存儲全面走強」，而是更細的分化：第三季度 DRAM 漲價仍在延續，伺服器端尤其強；NAND 也漲，但漲幅已經降溫。對三星而言，這仍是利好，只是利好沒有 DRAM 價格數字看上去那麼完整。
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高盛解讀韓國存儲：DRAM強於NAND，三星存儲漲價故事開始分化
高盛 6 月 30 日發布的韓國科技存儲跟蹤報告轉引 TrendForce 預測稱，2026 年第三季度傳統 DRAM 均價將環比上漲 13%-18%，但 NAND 均價漲幅為 10%-15%，低於高盛對三星電子 NAND 價格環比上漲 21% 的模型假設。
對投資者來說，關鍵不是「存儲又漲價」，而是哪一類存儲還能繼續推高三星電子、SK 海力士等廠商的利潤預期。DRAM 價格仍在跟上高盛對三星的假設，NAND 也在漲，但漲幅已經不如更樂觀的盈利模型。
這份跟蹤報告給出的信號很直接：第三季度 DRAM 漲價仍有支撐，尤其是 PC 和伺服器端；NAND 內部開始分化，企業級 SSD 仍強，消費端行動 NAND 更溫和。三星仍受益於存儲上行，但 NAND 部分的盈利彈性可能被打折。
DRAM 第二季度跳漲後，第三季度還在漲
DRAM 是這份報告裡最強的主線。
高盛轉引 TrendForce 預計，2026 年第三季度傳統 DRAM 均價環比上漲 13%-18%，基本貼合高盛對三星傳統 DRAM 價格環比上漲 16% 的預測。在前期大幅漲價之後，DRAM 並沒有立刻降溫。
PC DRAM 的漲幅最直觀。第二季度 PC DRAM 價格已環比上漲 45%-50%，第三季度預計繼續上漲 15%-20%。報告給出的解釋是，PC OEM 庫存偏低，即使記憶體和其他零組件價格已經上漲，廠商仍願意維持採購節奏，並繼續向供應商爭取更多貨源。
背後的擔憂是 2027 年整體 DRAM 供應可能偏緊。對下游廠商來說，如果現在少買，後續可能面對更貴的價格，或者更難拿到貨。漲價本身沒有立即壓制採購，反而強化了部分提前鎖貨需求。
6 月價格也能看出這種變化。高盛報告圖表顯示，DDR4 8GB 價格環比基本持平在 119 美元，DDR5 8GB 價格從 112 美元升至 115 美元，環比上漲 3%。DDR5 相對 DDR4 的折價從此前縮小 3 個百分點至 3%，新一代產品價格正在追上舊規格。
伺服器 DRAM 更強，DDR5 溢價升到 22%
伺服器 DRAM 的價格信號更強。
第二季度伺服器 DRAM 價格已經環比上漲 53%-58%，第三季度預計再漲 13%-18%，與高盛對三星伺服器 DRAM 價格環比上漲 14% 的預測基本一致。
高盛報告圖表顯示，6 月 DDR4 64GB 伺服器模組價格維持在 1,127 美元，DDR5 64GB 伺服器模組價格環比上漲 9% 至 1,380 美元。更關鍵的是，DDR5 相對 DDR4 的溢價從 5 月的 12% 升至 22%。
這說明伺服器端漲價不只是傳統產品跟隨上漲，DDR5 等更高規格產品正在拿到更高溢價。AI 伺服器、通用伺服器升級和資料中心採購，對高容量、高頻寬記憶體的需求仍在支撐價格。
對三星和 SK 海力士這類存儲廠商來說，伺服器 DRAM 價格持續上漲，比消費電子端價格反彈更重要。伺服器產品價格高、需求更集中，通常對利潤率改善更敏感。只要伺服器端採購沒有明顯放緩，DRAM 價格上行仍有利潤傳導空間。
現貨和合約價之間的關係也在提供支撐。高盛報告圖表顯示，DDR5 16Gb 現貨價格較最新合約價溢價 17%，DDR4 8Gb 現貨價格較最新合約價溢價 38%。現貨高於合約，通常意味著短期供應仍偏緊，或買方願意為即時交付支付更高價格。
NAND 還在漲，但追不上高盛的三星假設
NAND 的故事沒那麼順。
高盛轉引 TrendForce 預計，2026 年第三季度 NAND 均價環比上漲 10%-15%，低於高盛對三星 NAND 價格環比上漲 21% 的估計。結合 TrendForce 此前公開口徑中第一、二季度 NAND 價格的大幅上行，第三季度漲價仍在繼續，但強度已不如前期。
這不是說 NAND 價格轉跌，而是漲幅低於更樂觀的盈利假設。對三星來說，如果 DRAM 符合預期、NAND 低於預期，存儲業務整體仍然向上，但利潤上修空間會被 NAND 拖住一部分。
NAND 內部也有分化。企業級 SSD 仍然強，第三季度 eSSD 價格預計環比上漲 18%-23%。这部分需求受資料中心和企業存儲支撐，價格韌性更好。
消費端更溫和。eMMC/UFS 價格預計僅上漲 5%-10%。這些產品更多面向智慧型手機、消費電子和嵌入式設備，供應商對消費端客戶採取更克制的漲價策略，以避免破壞終端市場和供應鏈穩定。
這也是 NAND 不及高盛假設的主要原因：企業級產品漲得動，但消費端漲價幅度不夠高，拉低整體 NAND 均價彈性。
三星仍被看好，但利好沒有 DRAM 數字那麼完整
高盛維持三星電子買入評級，普通股 12 個月目標價為 480,000 韓元。支撐這一判斷的仍是存儲價格上行，尤其是 DRAM 價格與其對三星的預測基本一致。
但這份價格跟蹤也提醒市場，不同存儲品類的利潤傳導並不一樣。DRAM 更接近「繼續漲價」的主線，NAND 則是「仍在漲，但低於最樂觀預期」。
這會影響投資者看三星盈利修復的節奏。如果第三季度實際價格更接近 TrendForce 區間，DRAM 業務可能繼續兌現較強利潤彈性；但 NAND 若停留在 10%-15% 的漲幅，市場對三星存儲業務的上修空間會更謹慎。
風險邊界也很清楚。存儲供需一旦明顯惡化，漲價邏輯會被削弱；如果智慧型手機利潤率大幅收縮，消費端存儲漲價空間會受限；如果行動 OLED 市場份額流失，三星非存儲業務也可能拖累整體估值。
這份報告最重要的結論不是「存儲全面走強」，而是更細的分化：第三季度 DRAM 漲價仍在延續，伺服器端尤其強；NAND 也漲，但漲幅已經降溫。對三星而言，這仍是利好，只是利好沒有 DRAM 價格數字看上去那麼完整。
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