SemiAnalysis：谷歌下一代TPU將採用英特爾EMIB-T封裝

7月1日，據知名半導體分析機構SemiAnalysis透露，Google下一代代號為Humufish的TPU將放棄台積電的CoWoS封裝，轉而採用英特爾的EMIB-T技術。

目前，台積電的CoWoS是AI晶片封裝的行業默認標準。Google作為頭部科技巨頭，其旗艦產品若成功遷移至英特爾的封裝體系，將對台積電造成衝擊。SemiAnalysis在X平台稱，

「Google下一代TPU，代號Humufish，將採用英特爾EMIB-T，而不是台積電CoWoS。CoWoS是行業默認選擇，這正是一個旗艦部件轉向其他方案值得關注的原因。」

兩者的核心區別在於封裝的物理路徑。CoWoS將所有的裸片（dies）放置在一個大型的矽或RDL中介層上。而英特爾的EMIB技術，則是將小型矽橋直接嵌入有機基板中，僅僅在需要晶片間連接的地方才進行橋接。

擺脫光罩限制與降低成本

台積電CoWoS的矽中介層是透過光刻技術打印的，因此其物理尺寸受到光罩極限的嚴格限制。

SemiAnalysis解釋稱：「單片版本（CoWoS-S）的極限大約是光罩尺寸的3.3倍，這也是台積電轉向CoWoS-L的原因。EMIB不受光罩極限的束縛，因此它是一項擴展性強得多的技術。」

除了尺寸突破，成本和效率是另一個核心驅動力。EMIB完全去除了昂貴的中介層，使得封裝成本顯著降低。

更直觀的差異體現在矽片利用率上。晶圓是圓形的，如果要從中切割出大型中介層，邊緣區域會產生大量浪費，且尺寸越大良率越低。這就好比用圓麵團切大塊的方餅，邊角料註定很多。

相比之下，SemiAnalysis表示：「微小的矽橋可以密集排列，幾乎沒有浪費。」此外，這一選擇也讓買家在台積電之外，獲得了第二家供應商。

垂直供電加持，EMIB-T適配下一代HBM

Humufish具體採用的是EMIB-T技術，其中的「T」代表矽通孔（TSV）。這一設計解決了傳統封裝中的供電痛點。

SemiAnalysis解釋稱，普通的EMIB在矽橋中沒有過孔，電力必須繞過它透過基板傳輸，這給供電帶來了壓力。「EMIB-T將電力垂直直接穿過矽橋，並增加了電容器和接地層以提供更純淨的電力。」

這種架構上的升級，正是為了讓晶片能夠適配下一代HBM（高頻寬記憶體）和更高頻寬的互連需求。

架構適配性與量產大考

針對市場關於台積電CoWoS-L同樣使用局部矽橋的討論，業內獨立分析人士Nutty指出，CoWoS-L在基於矽橋的結構之上增加了一個全局RDL層，這雖然提高了佈線的靈活性，但也增加了面積和工藝複雜性。

「對於像Humufish這樣似乎針對推理和代理工作負載進行優化的晶片來說，數據流可能更加結構化。」Nutty分析稱，「在這種情況下，EMIB僅在需要的地方放置高密度連結的方法，比為全封裝佈線靈活性買單更加合理。」

Nutty認為，這正是EMIB-T的重要意義所在。它不僅能減少矽片使用量和封裝成本，還能作為受限的CoWoS生態系統之外的第二供應商。

量產良率成關鍵，英特爾面臨執行力大考

儘管架構極具吸引力，但執行力仍是最大的未知數。網友Axi直言：「在吹噓節省成本之前，先給我們看看良率。」

SemiAnalysis警告稱：「普通的EMIB已經大規模出貨多年，但EMIB-T是新技術，提供供電的矽橋在擴大製造規模時難度更大。」

只有當英特爾能夠按計劃提升良率和產量時，這些優勢才能落地。如果英特爾的進度出現延誤，Google的後備方案依然是產能受限的CoWoS。這場技術遷移的成敗，將直接檢驗英特爾先進封裝的真實交付能力。

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