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三星HBM4E良率超過70%，下一代DRAM製程D1d力拼11月獲得量產許可
空投黑洞
2026-07-01 06:51:55
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7月1日，三星電子宣布在全球率先量產第六代HBM4後，第七代HBM4E及次世代DRAM的開發也取得進展。三星DS部門CTO暨半導體研究所所長宋在赫在6月30日的內部業務進度會議上表示，HBM4E的可靠性測試良率已超過70%。業界一般認為良率超過80%才算進入穩定的「成熟良率」階段，因此70%以上的良率被視為開發已進入穩定範圍。三星今年2月開始量產HBM4，並於5月29日公開HBM4E 12層產品的具體技術規格，已向主要客戶出貨樣品。HBM4將用於今年下半年問世的NVIDIA人工智能加速器Vera Rubin，而HBM4E則預計用於明年推出的NVIDIA下一代人工智能加速器Vera Rubin Ultra。三星的次世代DRAM製程開發也順利進行。宋在赫認為D1d製程技術相較競爭對手具有競爭優勢，目標是在11月前獲得量產許可。D1d是三星計劃從下一代HBM5（第八代）開始應用的核心DRAM製程，若按計劃開發，將對次世代DRAM及後續HBM5產品的競爭力產生正面影響。（Fnnews）
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