DUV空白掩膜版：下一個「光刻膠」級別的國產替代機遇

在半導體製造的宏大鏈條中，光刻機是聚光燈下的明星，光刻膠是市場熱議的焦點，而空白掩膜版（Blank Mask）——這塊看似普通的「鍍膜玻璃」——卻長期處於被忽視的角落。然而，正是這塊尚未寫入電路圖形的「空白光罩」，構成了光刻工藝精度的物理源頭，決定了從設計圖紙到晶圓良率的最終轉換效率。

一、發生了什麼？——DUV空白掩膜版開啟國產替代之路

1. 什麼是空白掩膜版？

空白掩膜版（Blank Mask），又稱掩模基板、光罩空白板，是製造光掩模版（Photomask）的基礎材料。如果把晶圓製造比作印刷，光刻機就是印刷機，光掩模版就是印刷版，而空白掩膜版則是製造印刷版所使用的「空白鋼板」。

從物理構成來看，空白掩膜版是由經過精密拋光的高純度基板（如合成石英或蘇打玻璃）與奈米級功能薄膜層（含遮光膜及光阻層）複合而成。在光刻過程中，空白掩膜版通過曝光、顯影、蝕刻等工藝被加工成帶有特定圖案的光掩模版，再將這些圖形轉移到晶圓上。空白掩膜版的平整度、膜層均勻性及缺陷密度等關鍵指標，直接決定了光刻圖形轉移的精度，進而對晶片製程良率與性能產生決定性影響。

2. 空白掩膜如何分類？

按照光刻波長劃分，空白掩膜版主要分為三大類：

第一類是Binary Blank Mask（二元空白掩膜版），主要應用於g-line、i-line以及KrF（248nm）工藝，是成熟製程最廣泛使用的類型，通常採用石英基板+鉻（Cr）吸收層結構。

第二類是Attenuated Phase Shift Blank Mask（半透相移空白掩膜版），主要對應ArF（193nm）及部分先進工藝。相比傳統Binary Mask，其增加了MoSi（鉬矽）等相移材料，通過干涉原理提高圖形成像對比度，膜層控制難度顯著提升。

第三類則是EUV Blank Mask，代表行業最高技術前沿，適配7nm及以下先進製程，需採用超低熱膨脹基板（LTEM）及約40-50層Mo/Si多層反射膜結構。

按照應用領域劃分，又可分為半導體Blank Mask、FPD（顯示面板）Blank Mask及PCB光掩模Blank，其中技術門檻最高、附加值最高的是半導體Blank Mask。

3. 為何人工智能浪潮下DUV空白掩膜版的國產替代格外重要？

市場常將AI與EUV先進製程直接掛鉤，但這一認知忽視了AI產業鏈中更為龐大的成熟製程需求。

首先，中國半導體產業的主體需求仍來自DUV工藝。目前國內絕大多數12英寸晶圓廠的主力工藝仍集中在28nm、40nm、55nm、65nm及90nm等節點，全部依賴KrF和ArF光刻。即便在部分更先進邏輯產品中，由於EUV設備受限，國內廠商仍需依賴ArF浸沒式光刻配合多重曝光實現更高精度製造，這不僅沒有減少DUV Blank的需求，反而因Mask層數增加提升了高端ArF Blank和PSM Blank的用量。

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