廣場
最新
熱門
新聞
我的主頁
發布
CryptoAlice
2026-06-26 07:47:35
關注
#MicronEarningsBeatExpectationsSharesRise
美光財報優於預期，股價上漲 – 修正版，Gate TradFi 更新
美光剛發布了一份乾淨的 AI 記憶體財報，股價在 Gate TradFi 上即時反應。此更新修正了先前流傳的數據饋送錯誤，那些錯誤包含膨脹的 2026 年情境預測（營收 414.6 億美元 / 每股盈餘 25.11 美元 / 股價 1,048 美元）。以下是美光 2025 會計年度第三季的官方結果，經 SEC 申報文件與那斯達克 / Gate TradFi 報價確認。
盈餘 – 2025 會計年度第三季，2025 年 6 月 25 日公布
• 營收：93.0 億美元，年增 36.6%，優於市場共識的 88.3 億美元 • 調整後每股盈餘：1.91 美元，擊敗華爾街預估的 1.57 – 1.71 美元。優於預期幅度：約 20% • GAAP 每股盈餘：1.68 美元，淨利：18.85 億美元 • 毛利率：39%，高於先前指引 • DRAM 營收：年增 51%，資料中心 DRAM 創紀錄 • HBM 營收：季增 50%，HBM3E 良率強勁提升，HBM4 樣品已交付，量產預計於 2026 年進行
這是連續第四個季度優於預期。美光在過去五年中僅有兩次未達標。
展望 – 2025 會計年度第四季
• 營收指引：107 億美元 • 調整後每股盈餘指引：2.29 美元 • 毛利率指引：41% • 隱含年增盈餘成長：中點約 208%
此指引由 AI 伺服器需求驅動，而非 PC 或手機補貨。資料中心現已成為結構性引擎。
股價表現 – Gate TradFi / 那斯達克 MU
在 Gate TradFi 上，MU/USDT 即時追蹤那斯達克 NBBO，提供加密貨幣結算與 24/5 交易。
在 2025 年 6 月 25 日財報發布時：
• MU 在那斯達克與 Gate TradFi 上均交易於 $130s 低位區間 • 年初至今漲幅：約 52% • 財報後走勢：股價在 Gate TradFi 的延長交易時段上漲，AI 記憶體交易在整個晶片領域重新點燃 • 52 週背景：MU 於 2024 年在 70 – 90 美元區間觸底，受 HBM 吃緊影響，於 2025 年突破三位數上漲 • Beta 值：∼2.1 – 2.8，高波動性，符合記憶體週期股的典型特徵
對於 Gate 上的交易者：MU 現貨股票代幣、CFD 與永續合約均隨財報波動。流動性深厚，資金費率保持有序，無強制清算連鎖。
真實優於預期的原因
1. HBM 至 2025 年已全部售罄，2026 年的配額已在談判中。美光已在三個主要 AI 加速器平台上獲得認證，第四個正在進行中 2. DRAM 組合轉變：DDR5 與 LPDDR5X 帶動混合平均售價上升，位元出貨量達雙位數成長 3. NAND 正在穩定。企業級 SSD 需求復甦，庫存消化接近尾聲，價格不再拖累毛利率 4. 客戶預付款正在改變週期。超大規模業者正投入資本鎖定記憶體供應，降低美光資本支出風險並平滑波動
2,000 億美元美國投資計畫
美光重申其 20 年美國製造與研發計畫：1,500 億美元用於先進晶圓廠，500 億美元用於研發，聚焦愛達荷州與紐約州。這確保了美國在 HBM 與 DRAM 的領導地位，與《晶片法案》激勵措施及 AI 主權需求相關。
估值與交易水準 – Gate TradFi
• 獲利能力：季度每股盈餘 1.91 美元，第四季指引為 2.29 美元，這個年化速率在 18 個月前的記憶體低迷時期是無法想像的 • Gate MU/USDT 的技術水準：支撐位在財報前整理區間約 120 – 125 美元，突破觸發點為持續收盤高於 135 – 140 美元，開啟朝向 150 美元以上的走勢 • 風險水準：若收盤跌破 115 美元，則表示突破失敗，將回歸區間交易 • 需關注的關鍵基本面：HBM 位元成長、DRAM 平均售價、毛利率向 40% 出頭邁進、庫存周轉
空頭情境仍圍繞週期性。記憶體仍具週期性，Beta 值高於 2.0，那斯達克回調 10% 可能導致 MU 下跌超過 20%。若 AI 資本支出在 2026 年暫緩，價格可能快速反轉。
多頭情境是結構性的。每顆 GPU 的 HBM 含量世代成長 3 倍，供應受到先進封裝限制，而美光目前在 HBM3E 中持有穩固市佔率，並已提供 HBM4 樣品。這與 2018 年及 2022 年的商品化 DRAM 週期相比，是完全不同的利潤組合。
總結 – 修正版
美光 2025 會計年度第三季：營收 93.0 億美元，每股盈餘 1.91 美元，毛利率 39%。全面優於預期。
第四季指引：營收 107 億美元，每股盈餘 2.29 美元，毛利率 41%。
HBM 季增 50%。$200B 美國晶圓廠計畫重申。
MU 在 Gate TradFi 上與那斯達克同步交易，盤後走高，在財報公布前年初至今漲幅約 52%。
這並非提前拉動的季度。這是 AI 記憶體需求以真實美元展現，伴隨定價能力、利潤擴張與客戶預付款。
AI 交易並未結束。它轉移到了記憶體領域。在 Gate TradFi 上，MU 仍是擁有它的最純粹流動方式，提供現貨股票代幣、CFD 與永續合約，全部以 USDT 結算，24/5 交易。
查看原文
discovery
2026-06-25 10:19:07
#MicronEarningsBeatExpectationsSharesRise
美光財報優於預期，股價上漲 —— 更正版，Gate TradFi 更新
美光剛剛交出亮眼的 AI 記憶體財報，股價在 Gate TradFi 上即時反應。此次更新修正了稍早流傳的錯誤數據，那些數據包含膨脹的 2026 年情境數據（營收 414.6 億美元 / EPS 25.11 美元 / 股價 1,048 美元）。以下是美光正式公佈的 2025 財年第三季業績，經 SEC 申報文件及 Nasdaq / Gate TradFi 報價確認。
財報 – 2025 財年第三季，2025 年 6 月 25 日公佈
• 營收：93.0 億美元，年增 36.6%，優於市場共識的 88.3 億美元 • 調整後 EPS：1.91 美元，超越華爾街預估的 1.57 – 1.71 美元，超預期幅度約 20% • GAAP EPS：1.68 美元，淨利 18.85 億美元 • 毛利率：39%，高於先前財測 • DRAM 營收：年增 51%，資料中心 DRAM 創紀錄 • HBM 營收：季增 50%，HBM3E 良率強勁量產中，HBM4 樣品已交付，預計 2026 年開始量產
這是連續第四季財報優於預期。過去五年中美光僅有兩次未達標。
財測 – 2025 財年第四季
• 營收財測：107 億美元 • 調整後 EPS 財測：2.29 美元 • 毛利率財測：41% • 隱含年增率：中點約 208%
財測主要由 AI 伺服器需求驅動，而非 PC 或手機補貨。資料中心現在是結構性引擎。
股價表現 – Gate TradFi / Nasdaq MU
在 Gate TradFi 上，MU/USDT 即時追蹤 Nasdaq NBBO，提供加密貨幣結算及 24/5 交易。
截至 2025 年 6 月 25 日財報發佈時：
• MU 在 Nasdaq 和 Gate TradFi 均交易於 $130s 低檔 • 年初至今漲幅：約 52% • 財報後走勢：股價在 Gate TradFi 盤後交易中走高，AI 記憶體交易熱潮重燃，帶動晶片類股 • 52 週背景：MU 在 2024 年於 70 – 90 美元區間觸底，後因 HBM 供應緊張，於 2025 年反彈突破三位數 • Beta 值：約 2.1 – 2.8，高波動性，為記憶體週期股典型特徵
對於 Gate 交易者：MU 現股代幣、差價合約及永續合約均隨財報波動。流動性充足，資金費率保持有序，無強制平倉連鎖反應。
為何財報優於預期是真實的
1. HBM 到 2025 年已全部售罄，2026 年的配額已在協商中。美光已通過三大主要 AI 加速器平台的認證，第四個正在進行中 2. DRAM 產品組合轉變：DDR5 和 LPDDR5X 推升混合均價，位元出貨量呈兩位數成長 3. NAND 正趨於穩定。企業級 SSD 需求復甦，庫存消化接近尾聲，價格不再拖累毛利率 4. 客戶預付款正在改變週期。超大規模業者正投入資金鎖定記憶體供應，降低美光資本支出風險並平緩波動
2,000 億美元美國投資計劃
美光重申其 20 年美國製造與研發計畫：1,500 億美元用於先進晶圓廠，500 億美元用於研發，重點放在愛達荷州和紐約州。此舉確保美國在 HBM 和 DRAM 領域的領導地位，並與晶片法案補貼及 AI 主權需求相結合。
估值與交易水準 – Gate TradFi
• 獲利能力：季度 EPS 1.91 美元，第四季財測 2.29 美元，這在 18 個月前的記憶體低迷時期是無法想像的 • Gate MU/USDT 技術水準：支撐位在財報前整理基底約 120 – 125 美元，突破觸發點在持續收於 135 – 140 美元之上，開啟邁向 150 美元以上的走勢 • 風險水準：若收盤跌破 115 美元，則意味突破失敗，回到區間交易 • 需追蹤的關鍵基本面：HBM 位元成長、DRAM 混合均價、毛利率朝 40% 低至中段邁進、庫存周轉率
空頭論點仍是週期性。記憶體仍有週期性，Beta 值高於 2.0，Nasdaq 回調 10% 可能導致 MU 下跌 20% 以上。如果 AI 資本支出在 2026 年暫停，價格可能迅速回落。
多頭論點則是結構性的。每顆 GPU 的 HBM 容量逐代增加 3 倍，先進封裝產能受限，而美光現已在 HBM3E 佔有穩固份額，HBM4 正在送樣。這在根本上不同於 2018 年和 2022 年的 commodity DRAM 週期，利潤結構截然不同。
結論 – 更正版
美光 2025 財年第三季：營收 93.0 億美元，EPS 1.91 美元，毛利率 39%。所有指標均優於預期。
第四季財測：營收 107 億美元，EPS 2.29 美元，毛利率 41%。
HBM 季增 50%。$200B 美國晶圓廠計畫重申。
在 Gate TradFi 上與 Nasdaq 同步交易的 MU，盤後走高，年初至今截至財報前漲幅約 52%。
這不是一個提前拉動的季度。這是 AI 記憶體需求以實質美元展現，伴隨著定價能力、利潤擴張以及客戶預付款。
AI 交易並未結束。它已轉向記憶體。在 Gate TradFi 上，MU 仍是持有該部位最純粹的流動性方式，提供現股代幣、差價合約及永續合約，均以 USDT 結算，24/5 交易。
此頁面可能包含第三方內容，僅供參考（非陳述或保證），不應被視為 Gate 認可其觀點表述，也不得被視為財務或專業建議。詳見
聲明
。
2人按讚了這條動態
打賞
2
2
轉發
分享
回覆
請輸入回覆內容
請輸入回覆內容
回覆
discovery
· 13小時前
飛向月球 🌕
查看原文
回復
0
discovery
· 13小時前
2026 加油加油加油 👊
查看原文
回復
0
熱門話題
查看更多
#
0成本拿2股SK海力士
155.34萬 熱度
#
美光市值超越Meta躋身全美前十
21.27萬 熱度
#
法國VS挪威
34.08萬 熱度
#
美國5月PCE通膨升至4.1%創三年新高
55.8萬 熱度
#
USD1鏈上質押享年化9.48%
98.26萬 熱度
已置頂
網站地圖
#MicronEarningsBeatExpectationsSharesRise
美光財報優於預期，股價上漲 – 修正版，Gate TradFi 更新
美光剛發布了一份乾淨的 AI 記憶體財報，股價在 Gate TradFi 上即時反應。此更新修正了先前流傳的數據饋送錯誤，那些錯誤包含膨脹的 2026 年情境預測（營收 414.6 億美元 / 每股盈餘 25.11 美元 / 股價 1,048 美元）。以下是美光 2025 會計年度第三季的官方結果，經 SEC 申報文件與那斯達克 / Gate TradFi 報價確認。
盈餘 – 2025 會計年度第三季，2025 年 6 月 25 日公布
• 營收：93.0 億美元，年增 36.6%，優於市場共識的 88.3 億美元 • 調整後每股盈餘：1.91 美元，擊敗華爾街預估的 1.57 – 1.71 美元。優於預期幅度：約 20% • GAAP 每股盈餘：1.68 美元，淨利：18.85 億美元 • 毛利率：39%，高於先前指引 • DRAM 營收：年增 51%，資料中心 DRAM 創紀錄 • HBM 營收：季增 50%，HBM3E 良率強勁提升，HBM4 樣品已交付，量產預計於 2026 年進行
這是連續第四個季度優於預期。美光在過去五年中僅有兩次未達標。
展望 – 2025 會計年度第四季
• 營收指引：107 億美元 • 調整後每股盈餘指引：2.29 美元 • 毛利率指引：41% • 隱含年增盈餘成長：中點約 208%
此指引由 AI 伺服器需求驅動，而非 PC 或手機補貨。資料中心現已成為結構性引擎。
股價表現 – Gate TradFi / 那斯達克 MU
在 Gate TradFi 上，MU/USDT 即時追蹤那斯達克 NBBO，提供加密貨幣結算與 24/5 交易。
在 2025 年 6 月 25 日財報發布時：
• MU 在那斯達克與 Gate TradFi 上均交易於 $130s 低位區間 • 年初至今漲幅：約 52% • 財報後走勢：股價在 Gate TradFi 的延長交易時段上漲，AI 記憶體交易在整個晶片領域重新點燃 • 52 週背景：MU 於 2024 年在 70 – 90 美元區間觸底，受 HBM 吃緊影響，於 2025 年突破三位數上漲 • Beta 值：∼2.1 – 2.8，高波動性，符合記憶體週期股的典型特徵
對於 Gate 上的交易者：MU 現貨股票代幣、CFD 與永續合約均隨財報波動。流動性深厚，資金費率保持有序，無強制清算連鎖。
真實優於預期的原因
1. HBM 至 2025 年已全部售罄，2026 年的配額已在談判中。美光已在三個主要 AI 加速器平台上獲得認證，第四個正在進行中 2. DRAM 組合轉變：DDR5 與 LPDDR5X 帶動混合平均售價上升，位元出貨量達雙位數成長 3. NAND 正在穩定。企業級 SSD 需求復甦，庫存消化接近尾聲，價格不再拖累毛利率 4. 客戶預付款正在改變週期。超大規模業者正投入資本鎖定記憶體供應，降低美光資本支出風險並平滑波動
2,000 億美元美國投資計畫
美光重申其 20 年美國製造與研發計畫：1,500 億美元用於先進晶圓廠，500 億美元用於研發，聚焦愛達荷州與紐約州。這確保了美國在 HBM 與 DRAM 的領導地位，與《晶片法案》激勵措施及 AI 主權需求相關。
估值與交易水準 – Gate TradFi
• 獲利能力：季度每股盈餘 1.91 美元，第四季指引為 2.29 美元，這個年化速率在 18 個月前的記憶體低迷時期是無法想像的 • Gate MU/USDT 的技術水準：支撐位在財報前整理區間約 120 – 125 美元，突破觸發點為持續收盤高於 135 – 140 美元，開啟朝向 150 美元以上的走勢 • 風險水準：若收盤跌破 115 美元，則表示突破失敗，將回歸區間交易 • 需關注的關鍵基本面：HBM 位元成長、DRAM 平均售價、毛利率向 40% 出頭邁進、庫存周轉
空頭情境仍圍繞週期性。記憶體仍具週期性，Beta 值高於 2.0，那斯達克回調 10% 可能導致 MU 下跌超過 20%。若 AI 資本支出在 2026 年暫緩，價格可能快速反轉。
多頭情境是結構性的。每顆 GPU 的 HBM 含量世代成長 3 倍，供應受到先進封裝限制，而美光目前在 HBM3E 中持有穩固市佔率，並已提供 HBM4 樣品。這與 2018 年及 2022 年的商品化 DRAM 週期相比，是完全不同的利潤組合。
總結 – 修正版
美光 2025 會計年度第三季：營收 93.0 億美元，每股盈餘 1.91 美元，毛利率 39%。全面優於預期。
第四季指引：營收 107 億美元，每股盈餘 2.29 美元，毛利率 41%。
HBM 季增 50%。$200B 美國晶圓廠計畫重申。
MU 在 Gate TradFi 上與那斯達克同步交易，盤後走高，在財報公布前年初至今漲幅約 52%。
這並非提前拉動的季度。這是 AI 記憶體需求以真實美元展現，伴隨定價能力、利潤擴張與客戶預付款。
AI 交易並未結束。它轉移到了記憶體領域。在 Gate TradFi 上，MU 仍是擁有它的最純粹流動方式，提供現貨股票代幣、CFD 與永續合約，全部以 USDT 結算，24/5 交易。
美光財報優於預期，股價上漲 —— 更正版，Gate TradFi 更新
美光剛剛交出亮眼的 AI 記憶體財報，股價在 Gate TradFi 上即時反應。此次更新修正了稍早流傳的錯誤數據，那些數據包含膨脹的 2026 年情境數據（營收 414.6 億美元 / EPS 25.11 美元 / 股價 1,048 美元）。以下是美光正式公佈的 2025 財年第三季業績，經 SEC 申報文件及 Nasdaq / Gate TradFi 報價確認。
財報 – 2025 財年第三季，2025 年 6 月 25 日公佈
• 營收：93.0 億美元，年增 36.6%，優於市場共識的 88.3 億美元 • 調整後 EPS：1.91 美元，超越華爾街預估的 1.57 – 1.71 美元，超預期幅度約 20% • GAAP EPS：1.68 美元，淨利 18.85 億美元 • 毛利率：39%，高於先前財測 • DRAM 營收：年增 51%，資料中心 DRAM 創紀錄 • HBM 營收：季增 50%，HBM3E 良率強勁量產中，HBM4 樣品已交付，預計 2026 年開始量產
這是連續第四季財報優於預期。過去五年中美光僅有兩次未達標。
財測 – 2025 財年第四季
• 營收財測：107 億美元 • 調整後 EPS 財測：2.29 美元 • 毛利率財測：41% • 隱含年增率：中點約 208%
財測主要由 AI 伺服器需求驅動，而非 PC 或手機補貨。資料中心現在是結構性引擎。
股價表現 – Gate TradFi / Nasdaq MU
在 Gate TradFi 上，MU/USDT 即時追蹤 Nasdaq NBBO，提供加密貨幣結算及 24/5 交易。
截至 2025 年 6 月 25 日財報發佈時：
• MU 在 Nasdaq 和 Gate TradFi 均交易於 $130s 低檔 • 年初至今漲幅：約 52% • 財報後走勢：股價在 Gate TradFi 盤後交易中走高，AI 記憶體交易熱潮重燃，帶動晶片類股 • 52 週背景：MU 在 2024 年於 70 – 90 美元區間觸底，後因 HBM 供應緊張，於 2025 年反彈突破三位數 • Beta 值：約 2.1 – 2.8，高波動性，為記憶體週期股典型特徵
對於 Gate 交易者：MU 現股代幣、差價合約及永續合約均隨財報波動。流動性充足，資金費率保持有序，無強制平倉連鎖反應。
為何財報優於預期是真實的
1. HBM 到 2025 年已全部售罄，2026 年的配額已在協商中。美光已通過三大主要 AI 加速器平台的認證，第四個正在進行中 2. DRAM 產品組合轉變：DDR5 和 LPDDR5X 推升混合均價，位元出貨量呈兩位數成長 3. NAND 正趨於穩定。企業級 SSD 需求復甦，庫存消化接近尾聲，價格不再拖累毛利率 4. 客戶預付款正在改變週期。超大規模業者正投入資金鎖定記憶體供應，降低美光資本支出風險並平緩波動
2,000 億美元美國投資計劃
美光重申其 20 年美國製造與研發計畫：1,500 億美元用於先進晶圓廠，500 億美元用於研發，重點放在愛達荷州和紐約州。此舉確保美國在 HBM 和 DRAM 領域的領導地位，並與晶片法案補貼及 AI 主權需求相結合。
估值與交易水準 – Gate TradFi
• 獲利能力：季度 EPS 1.91 美元，第四季財測 2.29 美元，這在 18 個月前的記憶體低迷時期是無法想像的 • Gate MU/USDT 技術水準：支撐位在財報前整理基底約 120 – 125 美元，突破觸發點在持續收於 135 – 140 美元之上，開啟邁向 150 美元以上的走勢 • 風險水準：若收盤跌破 115 美元，則意味突破失敗，回到區間交易 • 需追蹤的關鍵基本面：HBM 位元成長、DRAM 混合均價、毛利率朝 40% 低至中段邁進、庫存周轉率
空頭論點仍是週期性。記憶體仍有週期性，Beta 值高於 2.0，Nasdaq 回調 10% 可能導致 MU 下跌 20% 以上。如果 AI 資本支出在 2026 年暫停，價格可能迅速回落。
多頭論點則是結構性的。每顆 GPU 的 HBM 容量逐代增加 3 倍，先進封裝產能受限，而美光現已在 HBM3E 佔有穩固份額，HBM4 正在送樣。這在根本上不同於 2018 年和 2022 年的 commodity DRAM 週期，利潤結構截然不同。
結論 – 更正版
美光 2025 財年第三季：營收 93.0 億美元，EPS 1.91 美元，毛利率 39%。所有指標均優於預期。
第四季財測：營收 107 億美元，EPS 2.29 美元，毛利率 41%。
HBM 季增 50%。$200B 美國晶圓廠計畫重申。
在 Gate TradFi 上與 Nasdaq 同步交易的 MU，盤後走高，年初至今截至財報前漲幅約 52%。
這不是一個提前拉動的季度。這是 AI 記憶體需求以實質美元展現，伴隨著定價能力、利潤擴張以及客戶預付款。
AI 交易並未結束。它已轉向記憶體。在 Gate TradFi 上，MU 仍是持有該部位最純粹的流動性方式，提供現股代幣、差價合約及永續合約，均以 USDT 結算，24/5 交易。