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美光財報優於預期，股價上漲 – 修正版，Gate TradFi 更新
美光剛交出亮眼的AI記憶體財報，股價在Gate TradFi上即時反應。此更新修正了先前因2026年情境預測數據膨脹（營收414.6億美元 / 每股盈餘25.11美元 / 股價1,048美元）而流傳的數據饋送錯誤。以下是美光2025會計年度第三季的官方結果，經SEC申報文件及那斯達克/Gate TradFi報價確認。
財報 – 2025會計年度第三季，2025年6月25日公布
• 營收：93.0億美元，年增36.6%，優於市場共識的88.3億美元 • 調整後每股盈餘：1.91美元，擊敗華爾街預估的1.57 – 1.71美元。勝出幅度約20% • GAAP每股盈餘：1.68美元，淨利潤：18.85億美元 • 毛利率：39%，高於先前指引 • DRAM營收：年增51%，數據中心DRAM創紀錄 • HBM營收：季增50%，HBM3E良率強勁爬坡，HBM4樣品已交付，預計2026年量產
這是連續第四季財報優於預期。美光在過去五年中僅有兩次未達標。
展望 – 2025會計年度第四季
• 營收指引：107億美元 • 調整後每股盈餘指引：2.29美元 • 毛利率指引：41% • 隱含年增率：中位數約208%
此指引由AI伺服器需求驅動，而非PC或手機補貨。數據中心現在是結構性引擎。
股價表現 – Gate TradFi / 那斯達克 MU
在Gate TradFi上，MU/USDT即時追蹤那斯達克NBBO，提供加密貨幣結算及24/5交易。
在2025年6月25日財報發布時：
• MU在那斯達克和Gate TradFi均交易在$130s 低位區間 • 年初至今漲幅：約52% • 財報後走勢：股價在Gate TradFi的延長交易時段上揚，AI記憶體交易熱潮重新點燃整個晶片領域 • 52週背景：MU在2024年跌至70 – 90美元區間底部，因HBM供應緊張而在2025年反彈突破三位數 • Beta值：約2.1 – 2.8，高波動性，典型記憶體週期股
對於Gate交易者：MU現貨股票代幣、差價合約及永續合約均隨財報變動。流動性深厚，資金費率保持有序，無強制清算連鎖反應。
為何財報優於預期是真實的
1. HBM至2025年已售罄，2026年配額正在談判中。美光已通過三大主要AI加速器平台認證，第四個正在進行中 2. DRAM組合轉變：DDR5和LPDDR5X推動混合平均售價上升，位元出貨量雙位數增長 3. NAND正在穩定。企業級SSD需求復甦，庫存消化接近尾聲，價格不再拖累毛利率 4. 客戶預付款改變了週期。超大規模業者投入資金鎖定記憶體供應，降低美光資本支出風險並緩和波動性
2,000億美元美國投資計畫
美光重申其20年美國製造與研發計畫：1,500億美元用於尖端晶圓廠，500億美元用於研發，聚焦愛達荷州和紐約州。此計畫確保美國在HBM和DRAM領域的領導地位，與《晶片法案》補貼及AI主權需求相關。
估值與交易水準 – Gate TradFi
• 獲利能力：季度每股盈餘1.91美元，第四季指引為2.29美元，此運行率在18個月前的記憶體低迷時期難以想像 • Gate MU/USDT技術水準：支撐位在財報前盤整區間約120 – 125美元附近，突破觸發條件為持續收盤高於135 – 140美元，進而開啟朝向150美元以上的走勢 • 風險水準：收盤跌破115美元將顯示突破失敗並重返區間交易 • 關鍵基本面追蹤：HBM位元增長、DRAM平均售價、毛利率向40%低至中段邁進、庫存周轉率
空頭論點仍是週期性。記憶體仍具週期性，Beta值高於2.0，那斯達克回調10%可能導致MU下跌20%以上。若AI資本支出在2026年暫停，價格可能快速下滑。
多頭論點是結構性的。每顆GPU的HBM含量世代間增長3倍，供應受先進封裝限制，而美光目前在HBM3E中佔有穩固份額，且HBM4開始取樣。這與2018年和2022年的商品化DRAM週期相比，是根本不同的利潤組合。
總結 – 修正版
美光2025會計年度第三季：營收93.0億美元，每股盈餘1.91美元，毛利率39%。所有指標均優於預期。
第四季指引：營收107億美元，每股盈餘2.29美元，毛利率41%。
HBM季增50%。$200B 美國晶圓廠計畫重申。
MU在Gate TradFi上與那斯達克同步交易，盤後走高，財報公布前年初至今漲幅約52%。
這不是一個提前拉動的季度。這是AI記憶體需求以真實美元呈現，伴隨著定價能力、利潤擴張和客戶預付款。
AI交易並未結束。它轉移到了記憶體領域。在Gate TradFi上，MU仍是持有該部位最純粹的流動性方式，提供現貨股票代幣、差價合約和永續合約，全部以USDT結算，24/5交易。