前英特爾 (intel) 執行長季辛格 Pat Gelsinger 出任美國新創 xLight 執行董事長，該公司正洽談由 Boardman Bay 與貝恩資本領投的 3.5 億美元新一輪融資；美國政府已透過 CHIPS 法案取得 xLight 直接股權。 （前情提要：臺積電「喊太貴」2029 前拒買 ASML 最新光刻機，背後盤算什麼？） （背景補充：川普：蘋果將找英特爾生產晶片！INTC 盤前漲 6.6%）
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被英特爾 (intel) 董事會趕下臺不到一年，季辛格（Pat Gelsinger）就出現在另一家加州新創的董事長席位上，這家公司的任務是撼動全球晶片業最深的護城河：荷蘭 ASML 對極紫外光（EUV）微影機臺的完全壟斷。
且不尋常的是，美國聯邦政府這次直接入股。
2025 年 12 月，美國商務部簽署意向書，承諾透過 CHIPS 與科學法案對 xLight 投入至多 1.5 億美元，以取得公司直接持股。美商務部長在聲明中說：「長久以來，美國把先進微影的前沿讓給了別人。在川普總統領導下，那些日子結束了。」
這是川普政府新設 CHIPS 研發辦公室的第一筆股權交易。目前 xLight 正與 Boardman Bay Capital Management 與貝恩資本（Bain Capital）洽談，計劃再募 3.5 億美元，並邀請 ASML、台積電、英特爾、美光共同參與。
EUV 微影是製造最先進晶片的關鍵製程，簡單來說就是，在矽晶圓上用極短波長的紫外光「印出」肉眼根本看不見的細微電路，AI 伺服器裡的高階處理器就是這樣刻出來的。目前全球只有一家公司能生產這種機臺：荷蘭的 ASML。
Gelsinger 對半導體政策並不陌生。他在英特爾任職數十年，2022 年 CHIPS 法案得以透過，他是重要的推動者之一。2025 年 3 月，他以執行董事長身份正式加入 xLight；他所屬的創投 Playground Global，也在 2025 年 7 月領投了 xLight 的 4,000 萬美元 B 輪。
加上聯邦資金，xLight 迄今已累計募得約 2 億美元，另有至多 42 億美元的不具約束力專案融資承諾用於未來建廠。
ASML 現行的 EUV 光源叫做「雷射誘發電漿」，白話說就是，拿一道高功率雷射，每秒數萬次轟擊微小的熔融錫滴，錫滴被轟到電漿態後放出 EUV 光。這套方法有效，但結構複雜，最新一代機臺單價高達 3 至 4 億美元。
xLight 走的是完全不同的路：「自由電子雷射」。白話說就是，用一臺小型粒子加速器把電子加速到接近光速，再讓這些高速電子穿過一排交替排列的磁鐵，電子在磁場中蛇行擺動，放出強烈的 EUV 光。
不需要轟擊錫滴。xLight 宣稱，這種做法可以達到短至 2nm 的波長，相較之下，ASML 現行機臺用的是 13.5nm；波長越短，能印的電路就越細，每顆晶片能塞進的電晶體就越多。xLight 同時宣稱，這將大幅降低製造先進 AI 晶片的資本與營運成本。
不過值得注意的是：xLight 並不打算正面挑戰 ASML 的機臺業務，而是想把自己的光源當成「零件」賣進 ASML 的機臺，定位是供應商而非競爭者。ASML 執行長 Christophe Fouquet 已公開證實：「ASML 正與 xLight 合作進行技術驗證。」
xLight 正在紐約州的 Albany NanoTech 園區興建第一座原型廠，目標是在 2028 年讓第一具可運作光源上線。距今還有兩年以上。
不過 2nm 波長聽起來雖是跳躍式突破，但距離量產驗證還很遠。半導體論壇 SemiWiki 上，有數十年晶片業經驗的 Fred Chen 直接點出核心矛盾：「更高的 EUV 功率肯定不相容於護膜，而且很可能也會變得不相容於光阻。」
護膜（pellicle）是一層貼在光罩上的超薄保護膜，白話說就是，防止灰塵落在光罩上搞壞每一片晶圓；沒有它，良率就會崩潰。光阻（resist）是塗在晶圓上的感光塗層，白話說就是，類似底片，EUV 光打到哪裡，哪裡就會發生化學反應，電路圖案就這樣轉印上去。如果功率過高，護膜會被燒穿，光阻的化學反應也可能失控。這兩個問題，目前沒有公開的解方。
xLight 的整個商業模式都建立在「2nm 波長可以做到高功率又保持材料相容」的前提上。這個前提，現在還只是宣稱，不是驗證過的事實。但美國政府用股權入場、Gelsinger 帶著人脈與政治資本加持、貝恩資本準備跟進，這些都是資本面的訊號。
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美政府入股前英特爾 CEO 掌舵的 xLight：目標撼動 ASML 光刻機霸權，計畫邀請台積電、美光參與投資
前英特爾 (intel) 執行長季辛格 Pat Gelsinger 出任美國新創 xLight 執行董事長，該公司正洽談由 Boardman Bay 與貝恩資本領投的 3.5 億美元新一輪融資；美國政府已透過 CHIPS 法案取得 xLight 直接股權。
（前情提要：臺積電「喊太貴」2029 前拒買 ASML 最新光刻機，背後盤算什麼？）
（背景補充：川普：蘋果將找英特爾生產晶片！INTC 盤前漲 6.6%）
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被英特爾 (intel) 董事會趕下臺不到一年，季辛格（Pat Gelsinger）就出現在另一家加州新創的董事長席位上，這家公司的任務是撼動全球晶片業最深的護城河：荷蘭 ASML 對極紫外光（EUV）微影機臺的完全壟斷。
且不尋常的是，美國聯邦政府這次直接入股。
2025 年 12 月，美國商務部簽署意向書，承諾透過 CHIPS 與科學法案對 xLight 投入至多 1.5 億美元，以取得公司直接持股。美商務部長在聲明中說：「長久以來，美國把先進微影的前沿讓給了別人。在川普總統領導下，那些日子結束了。」
這是川普政府新設 CHIPS 研發辦公室的第一筆股權交易。目前 xLight 正與 Boardman Bay Capital Management 與貝恩資本（Bain Capital）洽談，計劃再募 3.5 億美元，並邀請 ASML、台積電、英特爾、美光共同參與。
Gelsinger 為何在這裡
EUV 微影是製造最先進晶片的關鍵製程，簡單來說就是，在矽晶圓上用極短波長的紫外光「印出」肉眼根本看不見的細微電路，AI 伺服器裡的高階處理器就是這樣刻出來的。目前全球只有一家公司能生產這種機臺：荷蘭的 ASML。
Gelsinger 對半導體政策並不陌生。他在英特爾任職數十年，2022 年 CHIPS 法案得以透過，他是重要的推動者之一。2025 年 3 月，他以執行董事長身份正式加入 xLight；他所屬的創投 Playground Global，也在 2025 年 7 月領投了 xLight 的 4,000 萬美元 B 輪。
加上聯邦資金，xLight 迄今已累計募得約 2 億美元，另有至多 42 億美元的不具約束力專案融資承諾用於未來建廠。
自由電子雷射：xLight 的技術路徑與 ASML 現行做法的根本差異
ASML 現行的 EUV 光源叫做「雷射誘發電漿」，白話說就是，拿一道高功率雷射，每秒數萬次轟擊微小的熔融錫滴，錫滴被轟到電漿態後放出 EUV 光。這套方法有效，但結構複雜，最新一代機臺單價高達 3 至 4 億美元。
xLight 走的是完全不同的路：「自由電子雷射」。白話說就是，用一臺小型粒子加速器把電子加速到接近光速，再讓這些高速電子穿過一排交替排列的磁鐵，電子在磁場中蛇行擺動，放出強烈的 EUV 光。
不需要轟擊錫滴。xLight 宣稱，這種做法可以達到短至 2nm 的波長，相較之下，ASML 現行機臺用的是 13.5nm；波長越短，能印的電路就越細，每顆晶片能塞進的電晶體就越多。xLight 同時宣稱，這將大幅降低製造先進 AI 晶片的資本與營運成本。
不過值得注意的是：xLight 並不打算正面挑戰 ASML 的機臺業務，而是想把自己的光源當成「零件」賣進 ASML 的機臺，定位是供應商而非競爭者。ASML 執行長 Christophe Fouquet 已公開證實：「ASML 正與 xLight 合作進行技術驗證。」
xLight 正在紐約州的 Albany NanoTech 園區興建第一座原型廠，目標是在 2028 年讓第一具可運作光源上線。距今還有兩年以上。
護膜、光阻，以及尚未解決的材料科學難題
不過 2nm 波長聽起來雖是跳躍式突破，但距離量產驗證還很遠。半導體論壇 SemiWiki 上，有數十年晶片業經驗的 Fred Chen 直接點出核心矛盾：「更高的 EUV 功率肯定不相容於護膜，而且很可能也會變得不相容於光阻。」
護膜（pellicle）是一層貼在光罩上的超薄保護膜，白話說就是，防止灰塵落在光罩上搞壞每一片晶圓；沒有它，良率就會崩潰。光阻（resist）是塗在晶圓上的感光塗層，白話說就是，類似底片，EUV 光打到哪裡，哪裡就會發生化學反應，電路圖案就這樣轉印上去。如果功率過高，護膜會被燒穿，光阻的化學反應也可能失控。這兩個問題，目前沒有公開的解方。
xLight 的整個商業模式都建立在「2nm 波長可以做到高功率又保持材料相容」的前提上。這個前提，現在還只是宣稱，不是驗證過的事實。但美國政府用股權入場、Gelsinger 帶著人脈與政治資本加持、貝恩資本準備跟進，這些都是資本面的訊號。