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預計創歷史新高，韓國6月存儲半導體出口達380億至420億美元
按近期 HBM、NAND 和 SSD 月度增長情況，6 月存儲半導體出口總額預計達 380 億至 420 億美元，超過上月紀錄並創歷史新高。6 月各類存儲半導體出口額和單價均同步上漲，其中 MCP 即 HBM 出口額環比增長 51%。
受 NVIDIA 等全球大型科技公司持續投資 AI 數據中心影響，以 SK Hynix 為中心的 HBM3E 和 HBM4 供應短缺持續。由於晶圓集中用於 HBM 生產，通用 DRAM 供應相對減少，通用 DRAM 單價升至約去年同期的 2 至 3 倍。NAND 閃存和 SSD 需求隨 AI 推理伺服器建設擴大而增長，兩類產品環比上漲 25%至 28%。存儲產品在半導體出口總額中的占比從此前 70% 區間升至本月 90%。存儲和系統半導體合計出口額達 255 億美元，6 月半導體出口總額預計為 420 億至 460 億美元。
Hanwha Investment & Securities 研究員 Park Junyoung 表示，韓國存儲行業近期正依靠長期供應協議和 HBM 兩項工具克服弱點，即使未來存儲行業盈利下行，營業利潤降幅也不會像過去那樣嚴重。