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SK海力士股價再創新高：交付HBM4E樣品，AI記憶體領跑地位再獲驗證
SK 海力士向主要客戶交付 HBM4E 樣品，這款 12 層堆疊旗艦內存每引腳速度達 16Gbps，功耗效率提升逾 20%，散熱阻力降低 17%，單顆容量達 48GB。消息一出，公司股價盤中暴漲 7.3% 至歷史新高，市場對其持續領跑 AI 內存賽道的預期全面升溫。
SK 海力士宣布向主要客戶交付下一代 AI 內存晶片 HBM4E 樣品，推動公司股價創下歷史新高。
SK 海力士週四在官網表示，這款 12 層堆疊 HBM4E 產品每引腳最高資料處理速度達 16Gbps，功耗效率較上一代提升逾 20%，並透過先進封裝技術將散熱阻力降低 17%。SK 海力士表示，將與合作夥伴緊密協作，推動產品及時實現量產。
此次樣品出貨標誌著 SK 海力士在高帶寬內存領域的技術迭代再度提速，進一步鞏固其在 AI 基礎設施供應鏈中的核心地位，也為市場提供了該公司持續引領 HBM 技術路線的最新信號。
消息公布後，SK 海力士股價在韓國交易平台盤中上漲 7.3%，創下歷史盤中新高。這一漲幅反映出市場對該公司在 AI 內存賽道持續領跑的強烈預期。自 HBM3、HBM3E 到 HBM4，SK 海力士已建立起從量產到供應的完整交付能力，此次 HBM4E 樣品的按期出貨，進一步強化了投資者對其技術兌現能力的信心。
性能與效率雙重躍升
SK 海力士在聲明中披露，12 層 HBM4E 在性能與功耗效率兩個維度均實現顯著提升。
具體而言，該產品每引腳最高資料處理速度達 16Gbps，功耗效率較前代產品提升逾 20%。與此同時，HBM4E 透過最新介面設計與優化，有效降低資料傳輸延遲，並在高帶寬環境下保持穩定運行。上述特性直接提升了 AI 訓練與推理場景下的資料處理能力，有助於客戶在 AI 資料中心及大規模計算系統中提高營運效率。
先進封裝技術支撐 48GB 容量
在封裝工藝層面，SK 海力士採用 Advanced MR-MUF（大規模回流成型底部填充）技術，在 12 層堆疊結構下實現 48GB 的單顆容量，同時確保結構穩定性。
MR-MUF 工藝透過在晶片間注入液態保護材料來保護電路，SK 海力士在此基礎上進一步優化，使 HBM4E 的散熱阻力較上一代 HBM4 降低 17%，從而保障內存晶片在高性能計算環境中的穩定運行。這一技術突破對於持續高負荷運轉的 AI 資料中心尤為關鍵。
SK 海力士總裁兼首席開發官 Ahn Hyun 在聲明中表示：「SK 海力士憑藉市場領先的技術能力與製造專長，以 HBM4E 為基礎，奠定了強化 AI 領導地位的根基。透過與合作夥伴的緊密協作，我們將向市場交付所需價值，同時作為全棧 AI 內存創造者進一步鞏固技術領先地位。」
SK 海力士強調，公司此前在 HBM3、HBM3E 及 HBM4 的量產與供應方面積累的豐富經驗，是此次 HBM4E 樣品得以按期交付的重要基礎。公司表示，將依托經市場驗證的產品可靠性與供應能力，支持下一代基礎設施的開發，並協助解決 AI 系統的性能瓶頸。
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