Micron lên kế hoạch tăng gấp đôi công suất HBM vào cuối năm, cổ phiếu tăng vọt 6,1%

Micron Technology công bố kế hoạch mở rộng đáng kể công suất sản xuất bộ nhớ băng thông cao vào cuối năm 2026, với mục tiêu tăng gấp đôi sản lượng lên khoảng 100.000 tấm wafer mỗi tháng. Sản lượng HBM của công ty năm ngoái đạt khoảng 40.000 đến 50.000 tấm wafer mỗi tháng. Micron đang tăng đơn đặt hàng mua sắm từ nhiều nhà cung cấp thiết bị HBM, trong đó hoạt động sản xuất chủ yếu được triển khai tại các nhà máy fab ở Đài Loan và Singapore, với việc lắp đặt thiết bị liên tục được đẩy mạnh. Sản xuất hiện tại chủ yếu là HBM3E 12 lớp, trong khi HBM4 12 lớp chiếm khoảng 20% đến 30% vào đầu năm nay và có thể tăng lên tới 50% vào cuối năm. HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng trong bộ tăng tốc AI mới nhất của NVIDIA, Vera Rubin, và Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm này từ quý 2 năm nay. Vào tháng 6, CEO Mehrotra của Micron cho biết trong cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý 3 của năm tài chính 2026 rằng tốc độ tăng sản lượng HBM4 12 lớp nhanh khoảng gấp đôi HBM3E 12 lớp, đồng thời doanh thu lũy kế từ các lô hàng HBM4 đã vượt 1 tỷ USD. Dữ liệu của Counterpoint cho thấy thị phần HBM toàn cầu trong quý 2 lần lượt là 50% của SK Hynix, 32% của Samsung và 18% của Micron. Ước tính trong ngành cho thấy Samsung và SK Hynix mỗi bên có công suất HBM khoảng 150.000 đến 200.000 tấm wafer mỗi tháng. Micron cũng công bố chi tiết về các khoản thưởng cho nhân viên, tiếp tục thúc đẩy tâm lý nhà đầu tư. Toàn bộ nguồn cung HBM3E năm 2026 của công ty đã được bán hết theo các hợp đồng dài hạn. Cổ phiếu MU tăng vọt 6,10%, dẫn đầu đà tăng của thị trường Mỹ, trong khi SK Hynix tăng 3,19% và SKHY tăng 8,12%.