$DRAM tiếp tục thu hút sự quan tâm mạnh mẽ của thị trường, với hoạt động giao dịch tăng cao cho thấy sự chú ý ngày càng lớn trên toàn lĩnh vực bộ nhớ.

Tôi sẽ theo dõi sát khối lượng giao dịch, diễn biến giá và động lượng để tìm kiếm dấu hiệu của đợt biến động lớn tiếp theo.

Morgan Stanley: Công suất DRAM và NAND của Trung Quốc sẽ đạt 50 triệu wafer vào năm 2028, định hình lại nguồn cung toàn cầuTheo Morgan Stanley, các nhà sản xuất bộ nhớ của Trung Quốc—cụ thể là Changxin và Yangtze Memory—được dự báo sẽ làm thay đổi căn bản động lực nguồn cung chất bán dẫn toàn cầu vào năm 2028. Báo cáo dự đoán công suất wafer DRAM hàng tháng của Changxin sẽ tăng từ 18 triệu đơn vị vào năm 2025 lên 50 triệu vào năm 2028, có khả năng chiếm 15% lượng bit DRAM xuất xưởng trên toàn cầu và vượt qua Micron để trở thành nhà cung cấp DRAM lớn thứ ba. Mặc dù nhu cầu AI trong giai đoạn 2026-2027 và các hạn chế về sản xuất HBM có thể hấp thụ công suất mới của Trung Quốc, năm 2028 sẽ đánh dấu một bước ngoặt quan trọng. Khi Changxin mở rộng sản xuất và các nhà máy mới của Yangtze Memory tăng tốc vận hành, cùng với việc các nhà cung cấp toàn cầu hiện hữu bổ sung công suất, ngành bộ nhớ có thể phải đối mặt với áp lực cung-cầu đáng kể. Morgan Stanley dự đoán thị trường có thể chuyển từ tình trạng thiếu hụt 15-17% vào năm 2027 sang dư cung tiềm tàng nếu tăng trưởng nhu cầu chững lại, qua đó định hình lại căn bản cơ cấu lợi nhuận và kỷ luật định giá của ngành.