Gần đây, hai “đại bàng” chip nhớ của Hàn Quốc là SK hynix và Samsung Electronics đã chứng kiến đà giảm mạnh trên thị trường nước ngoài. Ngày 13/7/2026, SK hynix giảm 15,37% trong một phiên, từ mức đỉnh hồi tháng 6 đã tích lũy lao dốc gần 40%; Samsung Electronics cùng ngày giảm 10,7%, lũy kế giảm hơn 30%, đồng thời khiến chỉ số KOSPI của Hàn Quốc xảy ra cơ chế ngắt mạch, làm thị trường bán dẫn toàn cầu chịu áp lực.

Đợt sụt giảm lần này chủ yếu đến từ sự “lệch kỳ vọng” và sự cộng hưởng dòng tiền. Dự báo trước thềm công bố báo cáo tài chính cho thấy lợi nhuận hoạt động quý II của SK hynix đạt 60,4 nghìn tỷ won Hàn Quốc; dù tăng vọt so với cùng kỳ nhưng thấp hơn mức kỳ vọng của thị trường là 65 nghìn tỷ won. Do HBM bị “khóa giá” theo các thỏa thuận dài hạn, mức giá bình quân tăng yếu hơn so với thị trường giao ngay, biên lợi nhuận kém co giãn hơn so với các đối thủ, qua đó kích hoạt hoạt động chốt lời kiểu “tin tốt đã cạn”.

Ở cả vĩ mô lẫn cạnh tranh cũng chịu áp lực. Kỳ vọng Ngân hàng Trung ương Hàn Quốc tiếp tục tăng lãi suất khiến các cổ phiếu tăng trưởng định giá cao bị kiềm chế. Đồng thời, khối ngoại có dấu hiệu cơ cấu lại danh mục một cách có hệ thống, rời khỏi “đường đua” AI vốn đang được gom. Trong khi đó, các nhà sản xuất Trung Quốc là Yangtze Memory (NAND chiếm 13%) và CXMT (DRAM chiếm 7,7%) tăng tốc trỗi dậy; tại các phân khúc quy trình trưởng thành và thị trường trung cấp trở xuống, họ tận dụng lợi thế về chi phí và an toàn chuỗi cung ứng để tiếp tục chuyển hướng đơn hàng, buộc các doanh nghiệp Hàn Quốc phải đẩy nhanh chuyển sang HBM cao cấp, khiến thị phần ở mảng phổ thông đối mặt nguy cơ bị bào mòn dài hạn.

Mặc dù logic “siêu chu kỳ AI” chưa đứt gãy, nhưng nỗi lo về tình trạng dư thừa năng lực sau năm 2028 và chu kỳ đạt đỉnh đã được thị trường “định giá trước”. Nhìn ngắn hạn, đây là một đợt điều chỉnh kỹ thuật do hiệu quả kinh doanh và đòn bẩy bị “đạp”; còn dài hạn, đó là hình ảnh thu nhỏ của việc cấu trúc ngành lưu trữ toàn cầu đang được tái thiết từ “độc quyền Mỹ-Hàn” sang “cạnh tranh đa cực”.