AI tái định hình chu kỳ DRAM: Bùng nổ HBM, Samsung mở rộng sản xuất và thời đại thiếu hụt toàn diện chip nhớ vào năm 2028 chính thức bắt đầu

Ngày 15 tháng 7 năm 2026, Samsung Electronics bị đưa tin đang lên kế hoạch xây dựng một nhà máy DRAM tại Khu Công nghiệp Icheon Yigong (器兴园区) ở Gyeonggi-do, với công suất DRAM sản xuất 100.000 tấm wafer mỗi tháng, tổng vốn đầu tư lên tới hàng chục nghìn tỷ won Hàn Quốc. Trí tuệ nhân tạo đang thay đổi căn bản cấu trúc cung-cầu và logic định giá của chip nhớ toàn cầu.

DRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) – thành phần cốt lõi của hạ tầng AI – đang trải qua một sự tái cấu trúc chu kỳ do sự đột biến trong cấu trúc nhu cầu thúc đẩy. Sự tái cấu trúc này khác hẳn chu kỳ lưu trữ truyền thống: nó không phải do làn sóng thay máy của thiết bị điện tử tiêu dùng, mà do nhu cầu bùng nổ đối với bộ nhớ băng thông cao từ huấn luyện và suy luận AI. Việc hiểu logic tiến hóa của chu kỳ DRAM lần này có ý nghĩa tham chiếu quan trọng để nắm bắt hướng đi của ngành bán dẫn và sự thay đổi của cơ sở hạ tầng nền tảng trong thị trường tài sản số.

Khoảng trống cung-cầu mở rộng tới mức đỉnh gần 15 năm

Tính đến tháng 7 năm 2026, giá chip nhớ toàn cầu đã bước vào quý thứ ba liên tiếp tăng giá. Báo cáo do UBS công bố đầu tháng 7 đã nâng mạnh kỳ vọng về giá lưu trữ, dự kiến giá hợp đồng DDR quý III tăng 32% so với quý trước và quý IV tăng 18% so với quý trước. Ngân hàng này cho rằng tình trạng căng thẳng cung-cầu trong ngành DRAM sẽ ít nhất kéo dài đến nửa đầu năm 2028.

Nhận định này được xác thực chéo bởi nhiều nhóm dữ liệu. Theo dữ liệu của TrendForce, bức tranh tổng thể DRAM trong quý III năm 2026 vẫn đang trong tình trạng thiếu hụt cực độ, giá hợp đồng dự kiến tăng 13% đến 18% so với quý trước. Morgan Stanley trong báo cáo ngày 7 tháng 7 đã điều chỉnh mạnh kỳ vọng mức tăng giá bán trung bình hợp đồng PC DRAM từ 3%-8% trước đó lên 15%-20%, và server DRAM lên 13%-18%.

Mức độ mất cân bằng cung-cầu đang tiến sát các mốc cực trị trong lịch sử. UBS cho biết, nếu không tính hiệu ứng đệm từ việc khách hàng hạ nguồn hàng tồn kho ở phía dưới, khoảng trống cung-cầu thực tế năm 2027 sẽ tiếp tục nới rộng từ mức -8,1% của năm 2026 lên -13,6%, mức độ mất cân bằng đạt ngưỡng hiếm gặp trong 30 năm qua. Báo cáo nghiên cứu của Goldman Sachs đánh giá rằng tình trạng mất cân bằng cung-cầu bộ nhớ toàn cầu hiện đã đạt mức đỉnh gần 15 năm. Nhà phân tích Kim Dong-won của KB Securities còn dự báo rằng năm 2027 sẽ là giai đoạn thiếu cung nhất trong lịch sử 70 năm của ngành chip nhớ.

Giá đi lên đã lan từ các nhà sản xuất chip (upstream) sang toàn bộ chuỗi ngành. Samsung Electronics dự kiến nâng giá bán trung bình DRAM phổ thông trong quý III năm 2026 thêm 20% so với quý trước; mức tăng giá bộ nhớ LPDDR cho thiết bị di động cũng vượt 20%. Theo tường thuật của Yicai Global, một số hãng sản xuất thiết bị điện tử tiêu dùng đầu cuối đã nhận thông báo miệng từ Samsung về việc tăng giá DRAM.

HBM trở thành biến số cấu trúc của chu kỳ DRAM

Điểm then chốt để hiểu chu kỳ DRAM lần này nằm ở sự trỗi dậy của HBM (bộ nhớ băng thông cao). HBM đạt băng thông cực cao bằng cách xếp chồng theo chiều dọc nhiều chip DRAM, trở thành giải pháp bộ nhớ không thể thiếu cho GPU AI.

Sức bật nhu cầu cực kỳ ấn tượng. Ông Feng Li – Chủ tịch SEMI Trung Quốc – nêu rõ rõ ràng rằng quy mô thị trường HBM năm 2026 dự kiến tăng 58% lên 54,6 tỷ USD, chiếm gần 4/10 thị trường DRAM. Dù ba nhà sản xuất lớn Samsung, SK hynix và Micron đã chuyển 70% công suất tăng thêm sang HBM, khoảng thiếu công suất chung vẫn lên tới 50% đến 60%. Dữ liệu của Omdia cho thấy sản lượng HBM toàn cầu năm 2026 dự kiến tăng 103% so với cùng kỳ năm trước, đạt mức tăng gấp đôi trở lên.

Hiệu ứng “đẩy ra” công suất của HBM đối với DRAM là cơ chế cốt lõi gây mất cân bằng cung-cầu. Theo dữ liệu ngành, tỷ trọng HBM trong công suất wafer DRAM đã tăng từ 2% năm 2020 lên mức ước tính 25% vào năm 2026. Công suất bị tiêu hao bởi một wafer HBM xấp xỉ bằng khoảng ba wafer DDR5. Kích thước một chip HBM lớn hơn ít nhất gấp đôi so với chip DRAM thông thường; trong điều kiện dung lượng lưu trữ như nhau, diện tích wafer và không gian phòng sạch mà HBM tiêu tốn ít nhất cũng gấp ba lần DRAM thông thường.

Hệ quả trực tiếp của việc nghiêng công suất là sự thu hẹp mang tính cấu trúc đối với nguồn cung DRAM phổ thông. KB Securities dự báo tỷ trọng HBM trong sản lượng wafer DRAM toàn cầu sẽ tăng từ 15% năm 2026 lên 34% năm 2027. Điều này đồng nghĩa phần lớn công suất tăng thêm sẽ tập trung vào HBM, còn việc mở rộng cung của DRAM phổ thông bị hạn chế một cách hiệu quả.

Server AI đã trở thành thị trường ứng dụng lớn nhất của DRAM, với nhu cầu server chiếm trên 50% tổng nhu cầu DRAM. Lượng DRAM dùng cho mỗi server AI cao gấp 8 đến 10 lần so với server thông thường. Lượng DRAM trung bình trên mỗi server dự kiến tăng từ 1.032 GB năm 2025 lên 1.432 GB năm 2026, tương đương mức tăng khoảng 39%. TrendForce ước tính rằng trong năm 2026, khoảng 70% công suất sản xuất bộ nhớ cấp cao toàn cầu sẽ chảy vào các trung tâm dữ liệu AI.

Cuộc đua công suất của ba gã khổng lồ và bài toán giành thị phần

Trong chu kỳ mới do HBM dẫn dắt, các lựa chọn chiến lược của SK hynix, Samsung Electronics và Micron đang định hình lại cục diện ngành.

SK hynix hiện là nhà dẫn đầu tuyệt đối trên thị trường HBM. Dữ liệu của Counterpoint Research cho thấy trong quý I năm 2026, xét theo doanh thu, SK hynix chiếm 58% thị phần HBM toàn cầu, giữ vị trí số 1; Samsung Electronics và Micron lần lượt chiếm 21%. Dự báo của các công ty môi giới cho rằng doanh thu HBM của SK hynix năm 2026 có thể đạt 5,95 tỷ USD. Công suất HBM của công ty trong cả năm 2026 đã được các hãng đám mây khóa chặt toàn bộ theo các thỏa thuận dài hạn.

Tuy nhiên, lợi thế dẫn đầu đang đối mặt thách thức. Báo cáo ngày 13 tháng 7 của Korea Investment & Securities dự báo doanh thu quý II của SK hynix là 80,9 nghìn tỷ won Hàn Quốc (tăng 264% so với cùng kỳ), lợi nhuận hoạt động 60,4 nghìn tỷ won (tăng 556% so với cùng kỳ), nhưng thấp hơn khoảng 8% so với 65 nghìn tỷ won theo kỳ vọng thị trường. Nguyên nhân chính là do tỷ trọng doanh số HBM cao hơn so với đối thủ, khiến mức tăng giá bán bình quân thấp hơn mức tăng trung bình của thị trường. Các nhà phân tích dự kiến, kể từ khi sản xuất đại trà hoàn toàn bắt đầu từ HBM4 ở quý III, mức tăng giá bán bình quân sẽ trở lại với giá trị trung bình của thị trường.

Samsung Electronics đang nỗ lực đuổi kịp. Công ty dự kiến đầu tư hơn 110 nghìn tỷ won Hàn Quốc (khoảng 73,3 tỷ USD) cho đầu tư thiết bị và R&D trong năm 2026, tăng khoảng 22% so với năm trước. Tin cập nhật ngày 15 tháng 7 cho biết Samsung dự kiến xây dựng nhà máy DRAM tại Khu Công nghiệp Icheon Yigong với công suất 100.000 tấm wafer mỗi tháng, nhanh nhất có thể khởi công vào quý III năm 2026.

Với sản phẩm HBM4, Samsung đã là đơn vị đầu tiên trên thế giới đạt được xuất xưởng sản xuất hàng loạt. TrendForce trong báo cáo tháng 6 cho biết tiến độ xác thực của ba nhà cung cấp HBM4 đã có sự phân kỳ rõ rệt, Samsung đang dẫn đầu trong quá trình xác thực. Samsung dự kiến doanh số HBM năm 2026 sẽ tăng gấp ba trở lên so với năm trước.

Micron dù có công suất HBM nhỏ nhất trong ba công ty, nhưng đà tăng lại mạnh mẽ nhất. Doanh thu tài chính năm 2026 quý thứ ba (tính đến tháng 5) đạt 41,46 tỷ USD, tăng vọt 346% so với cùng kỳ. Doanh thu mảng DRAM đạt 31,3 tỷ USD, chiếm 76% tổng doanh thu. Biên lợi nhuận gộp đạt 84,9%, vượt lên trên NVIDIA.

Điểm được thị trường quan tâm nhất là dự báo quý tài chính thứ tư: doanh thu dự kiến khoảng 50 tỷ USD, biên lợi nhuận gộp khoảng 86%, lợi nhuận trên mỗi cổ phiếu khoảng 31 USD. Công suất HBM cả năm 2026 của Micron đã được bán hết theo các hợp đồng giá cố định. Kế hoạch đầu tư thiết bị của công ty tăng hơn 90% so với năm trước.

Từ chu kỳ sang cấu trúc: logic dài hạn của DRAM chuyển hướng

Sự khác biệt cốt lõi của thị trường DRAM lần này so với mọi chu kỳ trước nằm ở sự chuyển đổi mang tính cấu trúc trong động lực thúc đẩy.

IDC dự kiến doanh thu thị trường DRAM toàn cầu năm 2026 đạt 418,6 tỷ USD, tăng 177%. Doanh thu thị trường NAND đạt 174,1 tỷ USD, tăng 138,5%. Tổng giá trị sản xuất cả năm của ngành lưu trữ vượt 5.500 tỷ USD; các tình huống nhu cầu của server lưu trữ thay thế điện thoại trở thành bối cảnh nhu cầu lớn nhất. UBS cho rằng giá tăng sẽ kéo theo ngành bộ nhớ đạt doanh thu 992 tỷ USD vào năm 2026.

Sự tăng trưởng lần này không phải là sự phục hồi chu kỳ đơn thuần. IDC nêu rõ đây không phải một lần tăng trong chu kỳ tăng/giảm của bộ nhớ truyền thống, mà là một biến đổi cấu trúc của ngành. Các khách hàng trung tâm dữ liệu quy mô cực lớn đang mua một nhóm chip nhớ hoàn toàn khác – đắt hơn – và sẵn sàng trả thêm để đảm bảo nguồn cung.

Sự ràng buộc ở phía cung cũng mang tính cấu trúc. Sau tình trạng lỗ sâu của ngành năm 2025, các nhà sản xuất chip nhìn chung áp dụng chiến lược kiểm soát sản lượng để bảo vệ giá. Việc nghiên cứu phát triển tiến trình sản xuất tiên tiến và xây dựng nhà máy bán dẫn có chu kỳ dài, cộng thêm nhiều rào cản về nhân lực, năng lượng, thủ tục phê duyệt… khiến công suất mới không thể nhanh chóng được triển khai. Giám đốc điều hành Micron nhận định tình trạng căng thẳng cung-cầu của ngành sẽ tiếp tục duy trì sau năm 2027, và chỉ đến năm 2028 phía cung mới dần được cải thiện.

Việc phổ biến thỏa thuận dài hạn (LTA) đang làm thay đổi mô hình định giá và lợi nhuận của ngành. SK hynix, Samsung và Micron đều sử dụng các thỏa thuận cung ứng dài hạn để khóa sản lượng và giá cung trong 1 đến 2 năm tiếp theo với các khách hàng chủ chốt như NVIDIA. Micron đã ký 16 thỏa thuận cung ứng dài hạn bao phủ lĩnh vực trung tâm dữ liệu, điện tử tiêu dùng và ô tô; chỉ riêng phần thu nhập tối thiểu theo cam kết bảo đảm trong các thỏa thuận đã ký đã lên tới 100 tỷ USD. Korea Investment & Securities cho rằng khi ngành chuyển sang cấu trúc thỏa thuận dài hạn 3 đến 5 năm, giá trị doanh nghiệp phụ thuộc vào thời gian duy trì được năng lực tạo lợi nhuận cao, chứ không phải tốc độ tăng giá bán trung bình theo quý.

Kết luận

Nhu cầu từ server AI đang đẩy ngành DRAM bước vào một chu kỳ mới chưa từng có. Đặc trưng cốt lõi của chu kỳ này không chỉ là giá tăng, mà là sự tái cấu trúc mang tính hệ thống của cấu trúc nhu cầu, phân bổ công suất, mô hình định giá và cục diện ngành.

Sự trỗi dậy của HBM đã thay đổi ma trận sản phẩm của DRAM; việc nghiêng công suất của ba gã khổng lồ tạo ra sự thiếu hụt mang tính cấu trúc đối với DRAM phổ thông; việc phổ biến thỏa thuận dài hạn đang làm phẳng sự biến động mang tính chu kỳ của ngành. UBS dự kiến tình trạng căng thẳng cung-cầu DRAM sẽ ít nhất kéo dài đến nửa đầu năm 2028, KB Securities dự báo năm 2027 sẽ là giai đoạn thiếu cung nhất trong lịch sử 70 năm của ngành – các nhận định này cùng hướng về một kết luận: thời lượng và cường độ của chu kỳ DRAM lần này có thể vượt xa kỳ vọng ban đầu của thị trường.

Với nhà đầu tư, việc hiểu sự chuyển đổi của DRAM từ “hàng hóa theo chu kỳ” sang “tài sản chiến lược” có thể mang lại giá trị dài hạn hơn là chỉ dự đoán mức tăng giá của quý tiếp theo. Khi chip nhớ trở thành hạ tầng cốt lõi của kỷ nguyên AI, logic cung-cầu và cách phân bổ quyền định giá sẽ tác động sâu sắc tới toàn bộ chuỗi ngành công nghệ – từ bán dẫn đến tài sản số.

FAQ

Hỏi: Nhu cầu DRAM của server AI cao hơn bao nhiêu so với server thông thường?

DRAM cho mỗi server AI sử dụng lượng gấp 8 đến 10 lần so với server thông thường. Lượng DRAM trung bình trên mỗi server dự kiến tăng từ 1.032 GB năm 2025 lên 1.432 GB năm 2026. Việc suy luận từ các mô hình lớn và quy mô hóa các AI agent sẽ tiếp tục thúc đẩy nhu cầu lưu trữ tăng nhanh.

Hỏi: HBM khác gì so với DRAM truyền thống về chi phí sản xuất?

HBM được tạo thành từ nhiều chip DRAM xếp chồng theo chiều dọc; kích thước của mỗi chip lớn hơn ít nhất gấp đôi so với DRAM thông thường. Trong điều kiện dung lượng lưu trữ tương đương, diện tích wafer và không gian phòng sạch tiêu tốn ít nhất cũng gấp ba lần DRAM thông thường. Một wafer HBM tiêu hao công suất xấp xỉ bằng ba wafer DDR5. Chi phí sản xuất cao đi kèm lợi nhuận gộp cao – biên lợi nhuận gộp của một chip HBM đạt 60%-70%, gấp 4 lần DRAM thông thường.

Hỏi: Khi nào dự kiến tình trạng căng thẳng cung-cầu DRAM sẽ hạ nhiệt?

UBS cho rằng tình trạng căng thẳng cung-cầu của ngành DRAM sẽ ít nhất kéo dài đến nửa đầu năm 2028. KB Securities dự báo tình trạng thiếu cung có khả năng sẽ kéo dài đến ít nhất năm 2028. Giám đốc điều hành Micron nhận định tình trạng căng thẳng cung-cầu của ngành sẽ kéo dài đến sau năm 2027, và đến năm 2028 phía cung mới dần được cải thiện. Ba tổ chức có điểm khác biệt cốt lõi không nằm ở “có căng thẳng hay không”, mà ở “kéo dài bao lâu”.

Hỏi: Cơ cấu thị phần của ba gã khổng lồ trong thị trường HBM ra sao?

Trong quý I năm 2026, SK hynix dẫn đầu với 58% theo tỷ trọng doanh thu; Samsung Electronics và Micron lần lượt chiếm 21%. Dự báo của công ty môi giới về tỷ trọng xuất hàng cả năm cho thấy SK hynix khoảng 52%, Samsung khoảng 39%, và Micron khoảng 8%. Trong mảng HBM4, Counterpoint Research dự báo thị phần của SK hynix năm 2026 khoảng 54%, Samsung khoảng 28%, và Micron khoảng 18%. Samsung đang dẫn đầu về tiến độ xác thực HBM4.

Hỏi: Việc tăng giá DRAM ảnh hưởng thế nào tới giá sản phẩm của thiết bị điện tử tiêu dùng?

Giá DRAM tăng đã lan từ các nhà sản xuất chip lên các thiết bị điện tử tiêu dùng đầu cuối. Theo phân tích ngành, các thương hiệu PC và điện thoại thông minh dự kiến lần lượt tăng giá bán sản phẩm 15% đến 20%. Ở các thị trường phân phối như Hk, đã xuất hiện hiện tượng “một ngày ba mức giá”; nhà kinh doanh khuyên trì hoãn mua hàng nếu không phải nhu cầu bắt buộc. Các nhà sản xuất ô tô cũng bắt đầu đánh giá lại cấu hình một số tính năng lái xe thông minh để kiểm soát chi phí linh kiện.