#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027


Chúng tôi đang rời xa những đợt tăng giá đột ngột và hỗn loạn do hoảng loạn sau các đợt thiếu hụt nguồn cung; thay vào đó, chúng tôi bước vào giai đoạn mở rộng có cấu trúc vững chắc, do AI dẫn dắt, dự kiến kéo dài đến năm 2027.
Các động lực thúc đẩy chu kỳ này lý giải vì sao thị trường vẫn tỏ ra bền bỉ ngay cả khi nhu cầu người tiêu dùng chậm lại.
Tăng giá Q2 2026 và chậm lại ở Q3: Quý 2 năm 2026 là một giai đoạn cực kỳ mạnh mẽ đối với các nhà sản xuất DRAM; tuy nhiên, sự chậm lại trong quý 3 cho thấy người tiêu dùng đang chạm tới giới hạn sức mua.
DRAM truyền thống: Mức tăng trung bình 74%; dự kiến tốc độ tăng sẽ hạ xuống dải 13%–18%.
Server DRAM: +60% đến +67%; được củng cố nhờ các module DDR5 hiệu năng cao; giá spot đang giao dịch với mức chênh đáng kể so với giá theo hợp đồng.
Mobile DRAM: ~80%; ghi nhận một đỉnh tăng mạnh, nhưng các nhà sản xuất smartphone (OEM) hiện đang điều chỉnh lịch thu mua và giảm cấu hình do chi phí.
NAND Flash: ~60% (tổng hợp đồng); tồn tại nhiều khác biệt đáng kể. Giá spot wafer giảm 3%–4% trong tháng 6, trong khi các mảng enterprise SSD và lưu trữ di động (+70% đến +80%) vẫn duy trì thị trường.
Bước chuyển cấu trúc do AI dẫn dắt: Vì sao lần này khác? Về lịch sử, các chu kỳ bộ nhớ thường được đặc trưng bởi mô hình “bùng nổ–đảo chiều”: nhà cung cấp tích lũy dư thừa công suất, nhu cầu của người tiêu dùng cho PC và smartphone giảm, và giá rơi xuống đáy.
Chu kỳ này đang được định hình lại một cách căn bản bởi hai lực chính:
Các thỏa thuận dài hạn (LTA): Các nhà điều hành trung tâm dữ liệu hyperscale và các nhà cung cấp dịch vụ đám mây hạng 1 của Mỹ (CSP) không còn chỉ dựa vào các giao dịch mua từ thị trường spot mở. Họ ký các hợp đồng 3–5 năm kèm mức giá sàn nghiêm ngặt để bảo vệ trước các giai đoạn suy thoái. Ví dụ, trong khi các nhà cung cấp như SK Hynix và Micron đã ký các LTA lớn từ đầu năm để đảm bảo phân bổ sản phẩm, Samsung lại áp dụng lập trường quyết liệt nhằm đạt các mức trần giá cao hơn.
Chuyển dịch công suất (tự ăn mòn): Nhu cầu không ngừng cho High Bandwidth Memory (HBM) và server DDR5 tiên tiến khiến các nhà sản xuất chuyển năng lực wafer vật lý từ sản xuất DRAM cho PC và di động sang các mảng này. Dù nhu cầu cho thiết bị điện tử tiêu dùng suy yếu, tổng nguồn cung vẫn bị ràng buộc vì các cơ sở sản xuất (fab) tập trung sản xuất chip AI biên lợi nhuận cao.
Triển vọng nhà cung cấp
Quan điểm của Bernstein nêu bật các bên hưởng lợi trong chiến lược sản xuất đa dạng, tập trung vào AI này:
Samsung, SK Hynix và Micron (Outperform): Ba công ty này là những người hưởng lợi chính từ đợt bùng nổ HBM và DDR5; họ có các backlog đáng kể đã được đảm bảo theo các lệnh của Thỏa thuận dài hạn (LTA), giúp làm phẳng quỹ đạo doanh thu đến năm 2027.
SanDisk (Outperform): Có lợi thế đặc biệt nhờ vị thế cấu trúc vững chắc trong các hợp đồng enterprise SSD, cung cấp mức giá sàn cao (~$0,29/GB) giúp tránh bị ảnh hưởng bởi các biến động nhỏ của giá wafer NAND.
Kioxia (Cautious/Underperform): Bị lộ nhiều hơn trước các thị trường flash hàng hóa biến động hơn, không thuộc LTA, và ít được “che chắn” khỏi phần wafer dành cho người tiêu dùng đang hạ nhiệt.
Giai đoạn “tàu hỏa” tăng giá theo tháng đang kết thúc, nhưng đừng nhầm điều đó với việc kết thúc của thị trường bò. Nền tảng cấu trúc cho định giá bộ nhớ vẫn ở mức cao. Việc bình thường hóa không được kỳ vọng sẽ diễn ra đầy đủ cho đến cuối năm 2027 hoặc 2028, khi công suất sản xuất mới được xây dựng cuối cùng đi vào hoạt động.
SK Hynix-0,27%
SKHYV-0,98%
MU-1,19%
DRAM-2,02%
Xem bản gốc
post-image
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim