#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Chúng tôi đang rời xa tình trạng biến động giá hỗn loạn và các đợt tăng đột ngột do tâm lý hoảng loạn sau các đợt thiếu hụt nguồn cung; thay vào đó, chúng tôi bước vào giai đoạn mở rộng mang tính nền tảng vững chắc, được thúc đẩy bởi AI và dự kiến kéo dài đến năm 2027.

Các động lực đang chi phối chu kỳ này giải thích vì sao thị trường vẫn duy trì được sức bền, bất chấp nhu cầu tiêu dùng đang chậm lại.

Tăng giá trong Q2 2026 và chậm lại trong Q3: Quý 2 năm 2026 là một giai đoạn bùng nổ đối với các nhà sản xuất bộ nhớ; tuy nhiên, đà chậm lại trong quý 3 cho thấy người tiêu dùng đang chạm đến giới hạn sức mua của mình.

DRAM truyền thống: Mức tăng trung bình 74%; dự kiến tăng trưởng sẽ hạ nhiệt về khoảng 13%–18%.

DRAM máy chủ: +60% đến +67%; được củng cố nhờ các module DDR5 hiệu năng cao; giá giao ngay đang giao dịch với mức chênh đáng kể so với giá theo hợp đồng.

DRAM di động: ~80%; ghi nhận một đỉnh tăng mạnh, nhưng các nhà sản xuất smartphone (OEM) hiện đang điều chỉnh lịch thu mua và cắt giảm cấu hình do chi phí.

NAND Flash: ~60% (tổng hợp đồng); có sự phân kỳ đáng kể. Giá spot cho wafer giảm 3%–4% trong tháng 6, nhưng mảng SSD cho doanh nghiệp và lưu trữ di động (+70% đến +80%) vẫn duy trì được thị trường.

Dịch chuyển cấu trúc nhờ AI: Vì sao lần này lại khác?
Trong lịch sử, chu kỳ bộ nhớ thường được đặc trưng bởi mô hình “bùng nổ–vỡ mộng”: các nhà cung cấp tích lũy năng lực dư thừa, nhu cầu của người tiêu dùng đối với PC và smartphone giảm, và giá chạm đáy.

Chu kỳ này đang được định hình lại một cách căn bản bởi hai lực chính:

Thỏa thuận dài hạn (LTA): Các nhà khai thác trung tâm dữ liệu hyperscale và các Nhà cung cấp dịch vụ đám mây hàng đầu hạng 1 của Mỹ (CSP) không còn chỉ dựa vào việc mua trên thị trường spot mở. Họ đang ký các hợp đồng 3 đến 5 năm, kèm các sàn giá chặt chẽ để phòng vệ trước suy thoái. Ví dụ, trong khi các nhà cung cấp như SK Hynix và Micron ký các LTA lớn từ sớm trong năm để đảm bảo phân bổ sản phẩm, Samsung lại áp dụng một lập trường quyết liệt nhằm đạt các mức trần giá cao hơn.

Dịch chuyển công suất (tính hủy diệt/kannibal hóa): Nhu cầu không ngừng đối với High Bandwidth Memory (HBM) và DDR5 máy chủ tiên tiến khiến các nhà sản xuất chuyển năng lực wafer vật lý từ sản xuất DRAM PC và DRAM di động truyền thống sang các mảng này. Dù nhu cầu đối với thiết bị điện tử tiêu dùng suy yếu, tổng cung vẫn bị kìm hãm do các cơ sở sản xuất (fab) tập trung sản xuất chip AI biên lợi nhuận cao.

Triển vọng nhà cung cấp

Quan điểm của Bernstein nêu bật các bên hưởng lợi trong chiến lược sản xuất đa dạng, tập trung vào AI này:

Samsung, SK Hynix và Micron (Outperform): Ba công ty này là những bên thụ hưởng chính của đà bùng nổ HBM và DDR5; họ có các backlog đáng kể, đã được bảo đảm từ các đơn hàng theo LTA, giúp làm mượt quỹ đạo doanh thu đến tận năm 2027.

SanDisk (Outperform): Vị thế cấu trúc thuận lợi nhờ hợp đồng SSD cho doanh nghiệp đặc biệt vững chắc, cung cấp một sàn giá cao (~$0,29/GB) giúp tránh khỏi các biến động nhỏ trong giá wafer NAND.

Kioxia (Cautious/Underperform): Bị phơi bày nhiều hơn với các thị trường flash hàng hóa biến động, không thuộc LTA, và kém được che chắn khỏi tình trạng hạ nhiệt của phân khúc wafer tiêu dùng.

Giai đoạn “tàu hỏa” tăng giá theo tháng đang kết thúc, nhưng đừng nhầm điều đó với việc thị trường bò kết thúc. Mức nền tảng mang tính cấu trúc cho định giá bộ nhớ vẫn ở mức cao. Việc chuẩn hóa hoàn toàn không được kỳ vọng sẽ diễn ra cho đến cuối năm 2027 hoặc 2028, khi năng lực sản xuất mới được xây dựng cuối cùng cũng đi vào hoạt động.