Sau khi NAND tăng 70% trong một quý, SK Hynix khởi động lại giai đoạn 2 tại Đại Liên, và cuộc đua với Samsung Tây An tăng tốc.

Theo TrendForce đưa tin, SK Hynix có kế hoạch khởi động lại dự án mở rộng giai đoạn 2 tại nhà máy Đại Liên vốn bị đình trệ trước đó vào nửa cuối năm 2026, bổ sung dây chuyền sản xuất NAND V8 (238 lớp). Dự án này trước đây bị tạm dừng do thị trường NAND ảm đạm và các lệnh kiểm soát xuất khẩu của Mỹ, việc khởi động lại đánh dấu công ty chuyển đổi sự phục hồi lịch sử của giá NAND thành kế hoạch năng lực thực tế.

Theo báo cáo từ News Tomato**, SK Hynix sẽ bắt đầu lắp đặt thiết bị sản xuất tại nhà máy Đại Liên giai đoạn 2 vào nửa cuối năm nay và hoàn tất xây dựng cơ sở vật chất theo từng giai đoạn vào nửa đầu năm 2027. **Các đối tác trong nước đã bắt đầu chuyển thiết bị NAND không hoạt động đến Đại Liên, trong khi các nhà cung cấp nước ngoài được cho là đã nhận được đơn đặt hàng mua sắm ban đầu cho việc giao thiết bị.

Sisa Journal tiết lộ thêm chi tiết về năng lực: Giai đoạn 2 tại Đại Liên sẽ bổ sung một dây chuyền V8 (238 lớp), với mục tiêu công suất hàng tháng từ 30.000 đến 50.000 tấm wafer. Nhà máy Đại Liên giai đoạn 1 sẽ tiến hành chuyển đổi sâu dây chuyền sang NAND 192 lớp và thay thế thiết bị cũ.

Bước ngoặt phía sau việc đình trệ: Từ kiểm soát xuất khẩu đến phê duyệt hàng năm

Việc mở rộng giai đoạn 2 tại Đại Liên trước đây rơi vào bế tắc, nguyên nhân trực tiếp đến từ hai khía cạnh: một là sự bất ổn từ các lệnh kiểm soát xuất khẩu thiết bị bán dẫn của Mỹ đối với Trung Quốc, hai là sự suy thoái kéo dài của thị trường NAND.

Ở cấp độ kiểm soát, một biến số quan trọng đã thay đổi. Theo News Tomato, Mỹ đã điều chỉnh hệ thống “Người dùng cuối được xác thực” (VEU) trước đây thành quy trình phê duyệt hàng năm đối với vận chuyển thiết bị, nhờ đó sự bất ổn trong nguồn cung thiết bị được giảm bớt, tạo không gian hoạt động cho SK Hynix khởi động lại việc mở rộng tại Đại Liên.

Thời điểm của sự thay đổi chính sách này đáng được chú ý. Trong bối cảnh đó, thị trường đang theo dõi liệu SK Hynix có thể tận dụng sự bùng nổ của DRAM và HBM để giải phóng thêm giá trị từ thương vụ mua lại mảng kinh doanh NAND của Intel trị giá 11 nghìn tỷ won (tương đương 80 tỷ USD) thông qua việc mở rộng tại Đại Liên hay không. Báo cáo chỉ ra rằng, giai đoạn 2 tại Đại Liên được xem là địa điểm có tốc độ mở rộng nhanh nhất trong số các cơ sở sản xuất NAND của SK Hynix.

Bối cảnh ngành cho dây chuyền V8: Giá NAND đạt đỉnh lịch sử

Thời điểm khởi động lại việc mở rộng không phải ngẫu nhiên. Trong quý 1 năm 2026, giá bán trung bình (ASP) NAND của SK Hynix tăng hơn 70% so với quý trước, lập kỷ lục theo quý trong lịch sử. Hướng dẫn quý 2 của công ty làm rõ thêm rằng sản lượng xuất xưởng NAND sẽ “chuyển từ giảm sang tăng”, phục hồi theo quý. Sự cải thiện kép về giá và sản lượng cung cấp cơ sở quyết định cho việc khởi động lại kế hoạch chi tiêu vốn vốn bị đình trệ.

Dữ liệu từ Korea Times cho thấy, đầu tư của SK Hynix vào công ty con sản xuất NAND tại Đại Liên năm 2025 đã tăng lên 440,6 tỷ won, tăng 52% so với cùng kỳ – ngay cả trước khi việc mở rộng giai đoạn 2 chính thức được khởi động lại, các khoản đầu tư của công ty vào lĩnh vực NAND đã bắt đầu tăng tốc.

Về lộ trình công nghệ, SK Hynix trước đó đã hoàn tất việc xác nhận sản xuất bộ nhớ flash 3D NAND 375 lớp, dự kiến sản xuất hàng loạt tại nhà máy Cheongju M15 vào cuối năm nay. Dây chuyền V8 (238 lớp) tại Đại Liên tạo thành bậc thang công nghệ với dây chuyền này, phục vụ các định vị thị trường khác nhau.

Cạnh tranh nóng lên: Nhà máy Tây An của Samsung đồng loạt tăng tốc

SK Hynix không phải là ông lớn lưu trữ duy nhất mở rộng năng lực NAND tại Trung Quốc. Báo cáo từ Sisa Journal cho thấy, Samsung Electronics cũng đang đẩy nhanh việc nâng cấp NAND tại nhà máy Tây An. Samsung đã hoàn tất chuyển đổi dây chuyền sản xuất từ V6 128 lớp sang V8 236 lớp vào ngày 30 tháng 3, hiện đang bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt.

Dữ liệu đầu tư xác nhận xu hướng này. Theo ước tính của Sisa Journal, đầu tư của Samsung vào nhà máy NAND Tây An năm 2025 khoảng 304 triệu USD, tăng khoảng 67,5% so với cùng kỳ. Việc hai ông lớn lưu trữ Hàn Quốc đồng loạt mở rộng năng lực NAND tại Trung Quốc có nghĩa là phía cung toàn cầu đang chuyển từ chu kỳ thu hẹp sang quỹ đạo mở rộng.

Xét về thời điểm, việc sản xuất hàng loạt V8 tại Tây An của Samsung đã bắt đầu, trong khi lắp đặt thiết bị V8 giai đoạn 2 tại Đại Liên của SK Hynix dự kiến bắt đầu từ nửa cuối năm, tạo ra khoảng cách thời gian vài quý về tốc độ giải phóng năng lực thực tế giữa hai bên.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm và cảnh báo rủi ro

        Thị trường có rủi ro, đầu tư cần thận trọng. Bài viết này không cấu thành lời khuyên đầu tư cá nhân, cũng không xem xét đến mục tiêu đầu tư, tình hình tài chính hoặc nhu cầu cụ thể của từng người dùng. Người dùng nên xem xét liệu bất kỳ ý kiến, quan điểm hay kết luận nào trong bài viết có phù hợp với hoàn cảnh cụ thể của họ hay không. Đầu tư dựa trên bài viết này, tự chịu trách nhiệm.