Bằng sáng chế của Intel tiết lộ kiến trúc bộ nhớ XBM mới, dự định bỏ qua lớp trung gian silicon HBM để giảm chi phí bộ nhớ AI.

robot
Đang tạo bản tóm tắt
Tin tức từ Mars Finance ngày 8 tháng 7 cho biết, một đơn xin cấp bằng sáng chế mới được Intel công bố gần đây cho thấy công ty đang phát triển kiến trúc bộ nhớ băng thông cao mới có tên XBM (Cross-Batch Memory), nhằm giảm chi phí đóng gói tiên tiến và giảm bớt nút thắt "tường bộ nhớ" của chip AI bằng cách loại bỏ lớp trung gian silicon mà HBM yêu cầu, sử dụng kết nối UCIe và cơ chế sửa lỗi dự phòng tích hợp. Bằng sáng chế cho thấy, XBM sử dụng thiết kế xếp chồng DRAM transistor phía sau (BEOL), có thể cải thiện khả năng mở rộng đồng thời duy trì kích thước đóng gói tương tự HBM4, đồng thời hỗ trợ sửa lỗi để nâng cao tỷ lệ thành công. (Góc nhìn rộng)
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim