Truyền thông Hàn Quốc đưa tin, CXMT (ChangXin Memory Technologies) của Trung Quốc hiện đang thử nghiệm một dây chuyền sản xuất thử nghiệm DRAM liên kết tại Hợp Phì, với mục tiêu sản xuất DRAM hiệu suất cao mà không cần sử dụng công nghệ quang khắc EUV.


DRAM liên kết là công nghệ chế tạo mảng ô nhớ và mạch ngoại vi trên các tấm wafer riêng biệt, sau đó liên kết hai tấm wafer lại với nhau. Bằng cách này, chỉ cần sử dụng công nghệ quang khắc DUV kết hợp với quy trình tạo hình đa lớp, có thể sản xuất DRAM siêu mật độ mà không cần thiết bị EUV.
Samsung Electronics đang phát triển DRAM liên kết của riêng mình với dự án "B1b", và SK Hynix cũng đang thúc đẩy công nghệ tương tự. Tuy nhiên, truyền thông Hàn Quốc cảnh báo rằng hiện có đánh giá cho thấy CXMT có thể đã dẫn trước các đối thủ Hàn Quốc về công nghệ này cũng như tốc độ phát triển.
DRAM-0,06%
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim