Intel đang xem xét sử dụng kiến trúc cấp điện hai mặt trong quy trình 1,4nm để đuổi kịp TSMC và Samsung.

BlockBeats tin tức, ngày 5 tháng 7, Intel đang xem xét áp dụng kiến trúc sử dụng đồng thời cấp điện mặt trước và mặt sau trong quy trình siêu vi tinh thể 1,4 nanomet, nhằm đuổi kịp các đối thủ cạnh tranh. Nguồn tin trong ngành cho biết, Intel ban đầu dự kiến áp dụng công nghệ cấp điện mặt sau chuyên dụng PowerDirect trong quy trình cơ bản 1,4 nanomet 14A, nhưng trong quy trình tiếp theo 14A2, đang xem xét đưa vào kiến trúc Dual side sử dụng đồng thời mặt trước và mặt sau.

Intel trước đó đã công bố kế hoạch rằng sẽ tăng mật độ chip lên 1,3 lần so với 18A trên quy trình 14A; quy trình 14A nhắm tới khoảng cách M0 khoảng 28 nanomet, trong khi quy trình 14A2 có thể thông qua cải tiến bán nút, đưa khoảng cách M0 xuống 21 nanomet. Intel sẽ duy trì mạng cấp điện mặt sau là chính, đồng thời phân bổ lại một phần dây dẫn kim loại mặt trước cho mục đích cấp điện phụ trợ và tín hiệu Clock, nhằm bù đắp sự thiếu hụt dự trữ điện do thu nhỏ và giới hạn phơi sáng.

Quy trình 14A của Intel dự kiến bắt đầu sản xuất rủi ro vào năm 2028, và sản xuất hàng loạt vào năm 2029. Intel cần phát hành bộ công cụ thiết kế quy trình phiên bản 0.9 cho quy trình 14A cho khách hàng bên ngoài vào tháng 10 năm nay, và nhận được đơn đặt hàng chắc chắn từ các khách hàng fabless lớn trong vòng 18 tháng sau đó. So với đó, TSMC đã lên kế hoạch xuất xưởng thành phẩm A14 thực sự 1,4 nanomet vào năm 2028, Samsung Electronics cũng dự kiến thương mại hóa quy trình cải tiến 2 nanomet SF2Z sử dụng công nghệ cấp điện mặt sau vào năm 2027.