🚨Truyền thông Hàn Quốc đưa tin rằng CXMT của Trung Quốc hiện đang thử nghiệm dây chuyền sản xuất thử nghiệm cho DRAM liên kết tại Hợp Phì, nhằm đạt được DRAM hiệu suất cao mà không cần sử dụng kỹ thuật in thạch bản EUV.


DRAM liên kết là công nghệ trong đó mảng tế bào nhớ và mạch ngoại vi được chế tạo trên các tấm bán dẫn riêng biệt và sau đó được liên kết lại với nhau. Cách tiếp cận này cho phép sản xuất DRAM siêu mật độ cao chỉ sử dụng kỹ thuật in thạch bản cực tím sâu (DUV) với đa tạo hình, loại bỏ nhu cầu về thiết bị EUV.
Samsung Electronics đang phát triển DRAM liên kết của riêng mình trong dự án "B1b", trong khi SK hynix cũng theo đuổi công nghệ tương tự. Tuy nhiên, truyền thông Hàn Quốc cảnh báo rằng có những đánh giá cho thấy CXMT có thể hiện đang chiếm ưu thế so với các đối thủ Hàn Quốc cả về công nghệ lẫn tốc độ phát triển.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim