Cuộc đua AI mở ra siêu chu kỳ kim loại hiếm: Thiếc, Indium, Hafni đón nhận thời khắc tái định giá lịch sử?

AI硬件投资正在从“买芯片”扩展到更长的链条：服务器整机、高速网络元器件、数据中心供电、高热密度冷却设施，都开始消耗更多基础原料。对小金属来说，关键变化不是多了一个概念，而是下游用量开始进入可以测算的环节。 Đầu tư phần cứng AI đang mở rộng từ "mua chip" sang chuỗi dài hơn: máy chủ hoàn chỉnh, linh kiện mạng tốc độ cao, cấp điện cho trung tâm dữ liệu, cơ sở làm mát mật độ nhiệt cao đều bắt đầu tiêu thụ nhiều nguyên liệu cơ bản hơn. Đối với kim loại nhỏ, thay đổi quan trọng không phải là có thêm một khái niệm, mà là lượng tiêu thụ ở hạ nguồn bắt đầu bước vào giai đoạn có thể tính toán.

东吴证券分析师刘奕町在6月20日的研报中表示：“全球AI资本开支正进入非线性加速阶段”，资本投放从单一芯片单品逐步覆盖服务器、高速网络、供电基建和冷却设施，“为上游基础原料带来需求红利”。 Trong báo cáo nghiên cứu ngày 20 tháng 6, nhà phân tích Lưu Dịch Đĩnh của Dongwu Securities cho biết: "Chi tiêu vốn AI toàn cầu đang bước vào giai đoạn tăng tốc phi tuyến tính", phân bổ vốn từ sản phẩm chip đơn lẻ dần dần bao phủ máy chủ, mạng tốc độ cao, cơ sở hạ tầng cấp điện và làm mát, "mang lại lợi ích nhu cầu cho nguyên liệu thô thượng nguồn".

其中，锡、铟、铪分别对应AI硬件升级的三处卡点：锡用于PCB电镀和SMT焊接；铟以磷化铟形式进入高速光通信；铪则作为高K栅介质材料，服务先进制程继续微缩。测算中，2026-2030年PCB端耗锡量有望增加4.9万吨；AI数据中心对应磷化铟的铟需求，或从2025年的19吨增至2030年的419吨；全球铪需求则可能从2024年的100吨增至2030年的142吨。 Trong đó, thiếc, indi và hafni tương ứng với ba điểm nghẽn trong nâng cấp phần cứng AI: thiếc dùng cho mạ điện PCB và hàn SMT; indi dưới dạng indi photphua tham gia vào truyền thông quang tốc độ cao; hafni là vật liệu điện môi cổng cao K, phục vụ cho việc tiếp tục thu nhỏ quy trình tiên tiến. Trong tính toán, lượng thiếc tiêu thụ ở khâu PCB từ năm 2026-2030 dự kiến tăng thêm 49.000 tấn; nhu cầu indi từ indi photphua cho trung tâm dữ liệu AI có thể tăng từ 19 tấn năm 2025 lên 419 tấn năm 2030; nhu cầu hafni toàn cầu có thể tăng từ 100 tấn năm 2024 lên 142 tấn năm 2030.

三种金属的共同点，都在供给端：锡受资源贫化、印尼政策、缅甸复产不及预期、贸易流变化影响；铟受制于锌矿和锌冶炼开工；铪则卡在锆铪分离、环保、经济性和地缘扰动上。需求抬升叠加供给不顺，才是价格中枢上移的核心逻辑。 Điểm chung của ba kim loại này nằm ở phía cung: thiếc chịu tác động từ suy giảm tài nguyên, chính sách Indonesia, phục hồi sản xuất tại Myanmar không như kỳ vọng, thay đổi dòng chảy thương mại; indi bị hạn chế bởi quặng kẽm và sản lượng nhà máy luyện kẽm; hafni vướng mắc ở khâu tách zirconi-hafni, môi trường, tính kinh tế và xáo trộn địa chính trị. Nhu cầu tăng kết hợp với nguồn cung không thuận lợi mới là logic cốt lõi khiến trung tâm giá cả dịch chuyển lên.

AI硬件的钱，已经不只花在GPU上 Tiền cho phần cứng AI không chỉ dành cho GPU nữa

资本开支是这条链的先行指标。2026年，微软、谷歌、亚马逊、Meta四大云巨头资本开支合计最高将达7250亿美元。2025年1-9月，美国人工智能相关投资对实际GDP增长贡献率达到39%，高于2000年互联网泡沫时期的36%。 Chi tiêu vốn là chỉ báo dẫn đầu của chuỗi này. Năm 2026, tổng chi tiêu vốn của bốn gã khổng lồ đám mây Microsoft, Google, Amazon, Meta có thể lên tới 725 tỷ USD. Từ tháng 1 đến tháng 9 năm 2025, đầu tư liên quan đến AI của Mỹ đóng góp 39% vào tăng trưởng GDP thực tế, cao hơn mức 36% trong thời kỳ bong bóng Internet năm 2000.

硬件升级集中在四个方向：算力密度、内存带宽、互联速率、功耗效率。芯片只是其中一环。AI服务器PCB层数已从传统服务器的8-24层，提升到通常28-46层，部分项目甚至采用56层设计。高速光模块从800G向1.6T、3.2T演进，数据中心内部互连瓶颈越来越突出。先进制程继续推进，传统二氧化硅栅介质也接近物理极限。 Nâng cấp phần cứng tập trung vào bốn hướng: mật độ tính toán, băng thông bộ nhớ, tốc độ kết nối, hiệu suất năng lượng. Chip chỉ là một mắt xích. Số lớp PCB của máy chủ AI đã tăng từ 8-24 lớp của máy chủ truyền thống lên thường là 28-46 lớp, một số dự án thậm chí sử dụng thiết kế 56 lớp. Mô-đun quang tốc độ cao tiến hóa từ 800G lên 1.6T, 3.2T, nút thắt cổ chai kết nối nội bộ trung tâm dữ liệu ngày càng rõ rệt. Quy trình tiên tiến tiếp tục được thúc đẩy, chất điện môi cổng silicon dioxide truyền thống cũng đang tiến gần đến giới hạn vật lý.

小金属进入视野，不是因为稀缺本身，而是因为它们正好卡在这些升级点上。 Kim loại nhỏ lọt vào tầm ngắm, không phải vì sự khan hiếm tự thân, mà vì chúng nằm đúng vào các điểm nâng cấp này.

锡的新增量在PCB，供给端却很难配合 Mức tăng mới của thiếc nằm ở PCB, nhưng phía cung lại khó phối hợp

锡在电子工业里承担焊接和连接功能。AI服务器、高端PCB、先进封装扩张，都会增加锡的消耗。 Thiếc đảm nhận chức năng hàn và kết nối trong ngành công nghiệp điện tử. Máy chủ AI, PCB cao cấp, mở rộng đóng gói tiên tiến đều sẽ làm tăng tiêu thụ thiếc.

测算把锡消耗拆成两块：PCB制造中的电镀耗锡，以及SMT贴片封装耗锡。PCB电镀环节，HDI板锡单耗约40.19克/平方米，多层板约12.84克/平方米，HDI单耗是多层板的3倍以上。SMT封装环节锡单耗约294.22克/平方米。合并来看，PCB电镀+SMT环节锡单耗约318克/平方米。 Tính toán chia lượng tiêu thụ thiếc thành hai phần: thiếc dùng cho mạ điện trong sản xuất PCB, và thiếc dùng cho đóng gói dán SMT. Ở khâu mạ điện PCB, mức tiêu thụ thiếc đơn vị của bảng HDI khoảng 40,19 gram/mét vuông, bảng nhiều lớp khoảng 12,84 gram/mét vuông, mức tiêu thụ đơn vị của HDI cao gấp 3 lần bảng nhiều lớp. Ở khâu đóng gói SMT, mức tiêu thụ thiếc đơn vị khoảng 294,22 gram/mét vuông. Kết hợp lại, mức tiêu thụ thiếc đơn vị ở khâu mạ điện PCB + SMT khoảng 318 gram/mét vuông.

按Prismark预测，2030年全球PCB出货量将达到6.63亿平方米，2026-2030年复合增速约6.7%。对应测算中，全球PCB耗锡量将从2026年的16.3万吨增至2030年的21.2万吨，四年增加4.9万吨，CAGR为6.9%。以2025年全球锡消费量38万吨为基数，PCB端对锡消费的拉动弹性为12.3%。 Theo dự báo của Prismark, sản lượng PCB toàn cầu năm 2030 sẽ đạt 663 triệu mét vuông, tốc độ tăng trưởng kép hàng năm từ 2026-2030 khoảng 6,7%. Trong tính toán tương ứng, lượng thiếc tiêu thụ cho PCB toàn cầu sẽ tăng từ 163.000 tấn năm 2026 lên 212.000 tấn năm 2030, tăng 49.000 tấn trong 4 năm, CAGR là 6,9%. Lấy mức tiêu thụ thiếc toàn cầu năm 2025 là 380.000 tấn làm cơ sở, độ co giãn kéo của khâu PCB đối với tiêu thụ thiếc là 12,3%.

问题在供给。 Vấn đề nằm ở nguồn cung.

全球已探明锡储量约600万吨，静态储采比约20.7年，低于铜、镍、钴等工业金属。2015-2025年，锡价大幅上行，但全球锡矿产量只从28.9万吨增至29万吨，十年几乎零增长。中国锡矿产量则从11万吨降至7.1万吨，CAGR为-4.3%。 Trữ lượng thiếc đã thăm dò toàn cầu khoảng 6 triệu tấn, tỷ lệ dự trữ-khai thác tĩnh khoảng 20,7 năm, thấp hơn các kim loại công nghiệp như đồng, niken, coban. Từ 2015-2025, giá thiếc tăng mạnh, nhưng sản lượng quặng thiếc toàn cầu chỉ tăng từ 289.000 tấn lên 290.000 tấn, gần như tăng trưởng bằng 0 trong một thập kỷ. Sản lượng quặng thiếc Trung Quốc giảm từ 110.000 tấn xuống 71.000 tấn, CAGR là -4,3%.

印尼是重要变量。2025年印尼锡矿产量占全球21%，但近两年矿业审批、非法矿治理、累进特许权使用费、最低基准价格等政策频繁调整，出口波动很大。缅甸曾是重要供应国，2018年锡矿产量占全球17%，但资源枯竭和禁矿后，2025年产量降至1.2万吨。即便2025年下半年佤邦宣布复产，中国自缅甸进口锡矿到2026年4月也只恢复至约1300金属吨，仍低于禁矿前约2200吨/月的水平。 Indonesia là biến số quan trọng. Năm 2025, sản lượng quặng thiếc Indonesia chiếm 21% toàn cầu, nhưng trong hai năm gần đây, các chính sách như phê duyệt khai thác, quản lý mỏ bất hợp pháp, phí bản quyền lũy tiến, giá cơ sở tối thiểu thường xuyên điều chỉnh, xuất khẩu biến động lớn. Myanmar từng là nguồn cung quan trọng, năm 2018 sản lượng quặng thiếc chiếm 17% toàn cầu, nhưng sau khi tài nguyên cạn kiệt và cấm khai thác, sản lượng năm 2025 giảm xuống 12.000 tấn. Dù nửa cuối năm 2025 Wa Bang tuyên bố phục hồi sản xuất, nhập khẩu quặng thiếc của Trung Quốc từ Myanmar đến tháng 4 năm 2026 chỉ phục hồi ở mức khoảng 1.300 tấn kim loại, vẫn thấp hơn mức khoảng 2.200 tấn/tháng trước khi cấm.

南美贸易流也在变化。秘鲁、巴西、玻利维亚2025年合计产锡7.6万吨，占全球26%。其中秘鲁锡锭出口第一目的地是美国，玻利维亚出口也主要流向荷兰、英国、美国。美国锡产业链布局加速，可能进一步吸收南美原料。 Dòng chảy thương mại Nam Mỹ cũng đang thay đổi. Peru, Brazil, Bolivia năm 2025 tổng sản xuất 76.000 tấn thiếc, chiếm 26% toàn cầu. Trong đó, điểm đến xuất khẩu thỏi thiếc đầu tiên của Peru là Mỹ, xuất khẩu của Bolivia cũng chủ yếu đến Hà Lan, Anh, Mỹ. Việc bố trí chuỗi công nghiệp thiếc của Mỹ đang tăng tốc, có thể hấp thụ thêm nguyên liệu Nam Mỹ.

**整体而言，东吴证券认为锡金属在未来3-4年将同时面临需求端的高增与供给端的扰动， 涨价驱动强烈。**一方面，全球 AI 资本开支加速，PCB 板等硬件设备的扩产有望为锡带 来实打实的需求增量。另一方面，全球锡供给集中度高、不稳定性大，且影响供应的因 素众多 Nhìn chung, Dongwu Securities cho rằng kim loại thiếc trong 3-4 năm tới sẽ đồng thời đối mặt với tăng trưởng cao về nhu cầu và xáo trộn về nguồn cung, động lực tăng giá mạnh. Một mặt, chi tiêu vốn AI toàn cầu tăng tốc, mở rộng sản xuất các thiết bị phần cứng như bảng PCB dự kiến mang lại mức tăng nhu cầu thực tế cho thiếc. Mặt khác, mức độ tập trung nguồn cung thiếc toàn cầu cao, tính bất ổn lớn, và nhiều yếu tố ảnh hưởng đến nguồn cung.

铟的弹性来自磷化铟，但铟不是想扩就能扩 Độ co giãn của indi đến từ indi photphua, nhưng indi không muốn mở rộng là có thể mở rộng

铟传统需求以ITO靶材为主，占比约70%，下游用于液晶显示器和平板屏幕；电子半导体、焊料和合金各占约12%。2025年全球精铟消费量为2316吨，2026年和2027年预计分别增至2510吨和2813吨。 Nhu cầu truyền thống của indi chủ yếu là bia ITO, chiếm khoảng 70%, hạ nguồn dùng cho màn hình tinh thể lỏng và màn hình phẳng; chất bán dẫn điện tử, chất hàn và hợp kim mỗi loại chiếm khoảng 12%. Năm 2025, tiêu thụ indi tinh khiết toàn cầu là 2.316 tấn, năm 2026 và 2027 dự kiến tăng lên lần lượt 2.510 tấn và 2.813 tấn.

**新增变量是光通信。AI数据中心内部，GPU之间需要高速交换数据。**万卡级大模型集群中，芯片间数据搬运能耗占系统总能耗90%以上，铜互连在速率提升后有效传输距离缩短至数厘米。数据传输速率从100G/lane升级至200G/lane，并继续向400G/lane推进，光互连成为更现实的方向。 Biến số mới là truyền thông quang. Bên trong trung tâm dữ liệu AI, cần trao đổi dữ liệu tốc độ cao giữa các GPU. Trong cụm mô hình lớn cấp vạn thẻ, năng lượng tiêu thụ cho vận chuyển dữ liệu giữa các chip chiếm hơn 90% tổng năng lượng hệ thống, kết nối đồng sau khi tăng tốc độ có khoảng cách truyền hiệu quả rút ngắn xuống vài centimet. Tốc độ truyền dữ liệu nâng cấp từ 100G/lane lên 200G/lane, và tiếp tục tiến tới 400G/lane, kết nối quang trở thành hướng đi thực tế hơn.

磷化铟的优势很明确：它是直接带隙半导体，带隙能量约1.34eV，匹配光纤通信中1310nm/1550nm低损耗窗口；电子迁移率是硅的10倍以上，可支持100GHz以上高频调制。高速光模块中的激光器芯片，磷化铟是核心材料。 Ưu thế của indi photphua rất rõ ràng: nó là chất bán dẫn vùng cấm trực tiếp, năng lượng vùng cấm khoảng 1,34eV, phù hợp với cửa sổ tổn hao thấp 1310nm/1550nm trong truyền thông sợi quang; độ linh động điện tử cao gấp 10 lần silicon, có thể hỗ trợ điều chế tần số cao trên 100GHz. Trong chip laser của mô-đun quang tốc độ cao, indi photphua là vật liệu cốt lõi.

测算中，4英寸磷化铟衬底实际耗铟量约32.2克/片。2025年AI数据中心对应磷化铟需求约60万片，穿透到铟需求为19.3吨；到2030年，磷化铟需求可能达到1300万片，对应铟需求419吨，增长22倍以上。以2025年全球铟需求为基数，仅这一项就可能带来20%以上增量。 Trong tính toán, lượng indi tiêu thụ thực tế cho đế indi photphua 4 inch khoảng 32,2 gram/tấm. Năm 2025, nhu cầu indi photphua cho trung tâm dữ liệu AI khoảng 600.000 tấm, chuyển sang nhu cầu indi là 19,3 tấn; đến năm 2030, nhu cầu indi photphua có thể đạt 13 triệu tấm, tương ứng nhu cầu indi 419 tấn, tăng hơn 22 lần. Lấy nhu cầu indi toàn cầu năm 2025 làm cơ sở, chỉ riêng mục này có thể mang lại mức tăng hơn 20%.

供给的硬约束在于，铟主要伴生于铅锌多金属矿床。全球铟储量中，约81.2%来自铅锌多金属矿床；原生铟主要来自锌矿加工残渣。换句话说，铟价涨了，也不能单独开一座“铟矿”快速放量。 Ràng buộc cứng về nguồn cung nằm ở chỗ, indi chủ yếu đi kèm trong các mỏ đa kim chì-kẽm. Trong trữ lượng indi toàn cầu, khoảng 81,2% đến từ các mỏ đa kim chì-kẽm; indi sơ cấp chủ yếu đến từ cặn chế biến quặng kẽm. Nói cách khác, giá indi tăng cũng không thể mở riêng một "mỏ indi" để tăng sản lượng nhanh chóng.

近年锌精矿加工费下行，锌炼厂开工意愿不足，精炼锌产能利用率降至近五年同期低位，对原生铟供给形成约束。与此同时，中国在2025年2月对磷化铟、三甲基铟、三乙基铟及相关技术资料实施出口管制。库存也在下降：中联金平台统计，铟库存从2025年初约488.8吨降至2026年1月28日的273.8吨。 Phí chế biến tinh quặng kẽm giảm trong những năm gần đây, ý định hoạt động của nhà máy luyện kẽm không đủ, tỷ lệ sử dụng công suất kẽm tinh chế giảm xuống mức thấp cùng kỳ trong 5 năm, gây hạn chế đối với nguồn cung indi sơ cấp. Đồng thời, Trung Quốc vào tháng 2 năm 2025 thực hiện kiểm soát xuất khẩu đối với indi photphua, trimethyl indi, triethyl indi và tài liệu kỹ thuật liên quan. Tồn kho cũng đang giảm: theo thống kê của nền tảng Zhonglianjin, tồn kho indi giảm từ khoảng 488,8 tấn đầu năm 2025 xuống 273,8 tấn vào ngày 28 tháng 1 năm 2026.

截至2026年6月11日，国内精铟价格为470万元/吨，较年初上涨58%。 Đến ngày 11 tháng 6 năm 2026, giá indi tinh khiết trong nước là 4,7 triệu nhân dân tệ/tấn, tăng 58% so với đầu năm.

铪的价值在先进制程，难点在分离和扩产经济性 Giá trị của hafni nằm ở quy trình tiên tiến, khó khăn nằm ở tính kinh tế của việc tách và mở rộng sản xuất

铪的传统需求集中在核能和高温合金。消费结构中，核能占45%，高温合金/航空航天占35%，半导体/电子占10%。 Nhu cầu truyền thống của hafni tập trung vào năng lượng hạt nhân và hợp kim chịu nhiệt. Trong cơ cấu tiêu thụ, năng lượng hạt nhân chiếm 45%, hợp kim chịu nhiệt/hàng không vũ trụ chiếm 35%, chất bán dẫn/điện tử chiếm 10%.

半导体端的变化来自制程微缩。65nm及以下节点，传统二氧化硅栅介质过薄后，量子隧穿效应导致栅极漏电流上升，芯片功耗和可靠性承压。氧化铪介电常数约18-25，远高于二氧化硅的3.9，可以在等效氧化物厚度不变的情况下增加物理厚度，降低漏电。 Thay đổi ở phía chất bán dẫn đến từ việc thu nhỏ quy trình. Ở nút 65nm trở xuống, lớp điện môi cổng silicon dioxide truyền thống quá mỏng, hiệu ứng xuyên hầm lượng tử dẫn đến dòng rò cổng tăng, áp lực lên mức tiêu thụ điện năng và độ tin cậy của chip. Hằng số điện môi của hafni oxit khoảng 18-25, cao hơn nhiều so với 3,9 của silicon dioxide, có thể tăng độ dày vật lý trong khi giữ nguyên độ dày oxit tương đương, giảm rò rỉ.

英特尔在45nm制程中引入铪基高K材料替代二氧化硅栅介质后，N型金属氧化物半导体栅极漏电流降低25倍以上，P型降低超过1000倍。随着3nm、2nm节点从FinFET向GAA架构推进，高K介质需求还会继续提升。 Sau khi Intel giới thiệu vật liệu cao K gốc hafni thay thế lớp điện môi cổng silicon dioxide trong quy trình 45nm, dòng rò cổng của NMOS giảm hơn 25 lần, PMOS giảm hơn 1000 lần. Với việc các nút 3nm, 2nm chuyển từ FinFET sang kiến trúc GAA, nhu cầu về điện môi cao K sẽ tiếp tục tăng.

需求路径中，全球铪需求有望从2024年的100吨增至2030年的142吨。半导体领域需求从40吨增至64吨，贡献近半增量；高温合金从45吨增至60吨；核能从15吨增至18吨。 Trong đường nhu cầu, nhu cầu hafni toàn cầu dự kiến tăng từ 100 tấn năm 2024 lên 142 tấn năm 2030. Nhu cầu trong lĩnh vực chất bán dẫn tăng từ 40 tấn lên 64 tấn, đóng góp gần một nửa mức tăng; hợp kim chịu nhiệt từ 45 tấn lên 60 tấn; năng lượng hạt nhân từ 15 tấn lên 18 tấn.

铪的供给比需求更棘手。铪主要是生产核级海绵锆时分离出来的副产品，全球核级海绵锆产能超过1万吨/年，实际年产量6000-7000吨，对应海绵铪供给约100吨，主要来自美国、法国、俄罗斯和中国。 Nguồn cung hafni còn khó khăn hơn nhu cầu. Hafni chủ yếu là sản phẩm phụ được tách ra khi sản xuất zirconi xốp cấp hạt nhân, công suất zirconi xốp cấp hạt nhân toàn cầu hơn 10.000 tấn/năm, sản lượng thực tế hàng năm 6.000-7.000 tấn, tương ứng nguồn cung hafni xốp khoảng 100 tấn, chủ yếu từ Mỹ, Pháp, Nga và Trung Quốc.

**锆铪分离难度高。两者物理化学性质相近，铪在自然界和锆化学品中通常只占锆铪总量的1%-3%。**现有工艺涉及有毒溶剂或高浓度酸，环保和设备腐蚀问题突出。扩产也不经济：美国两家生产商理论上可将铪产量扩大约100%，但每家公司会额外产生约2000吨/年的脱铪锆，若没有客户承接，扩产很难闭环。 Tách zirconi-hafni có độ khó cao. Tính chất vật lý hóa học của hai chất tương tự nhau, hafni trong tự nhiên và hóa chất zirconi thường chỉ chiếm 1%-3% tổng lượng zirconi-hafni. Quy trình hiện tại liên quan đến dung môi độc hại hoặc axit nồng độ cao, vấn đề môi trường và ăn mòn thiết bị nổi bật. Mở rộng sản xuất cũng không kinh tế: hai nhà sản xuất Mỹ về mặt lý thuyết có thể mở rộng sản lượng hafni khoảng 100%, nhưng mỗi công ty sẽ phát sinh thêm khoảng 2.000 tấn/năm zirconi đã tách hafni, nếu không có khách hàng nhận, việc mở rộng khó khép kín.

地缘扰动进一步推高价格。2022年俄乌冲突后，俄罗斯海绵铪断供，国际市场铪价从1200-1400美元/千克飙升至4500-5000美元/千克。中国2024年末将铪纳入两用物项管理，2025年未锻轧铪、铪废料及碎料、铪粉末出口20.2吨，同比减少22%。 Xáo trộn địa chính trị càng đẩy giá lên cao. Sau xung đột Nga-Ukraine năm 2022, nguồn cung hafni xốp từ Nga bị cắt, giá hafni thị trường quốc tế tăng vọt từ 1.200-1.400 USD/kg lên 4.500-5.000 USD/kg. Cuối năm 2024, Trung Quốc đưa hafni vào quản lý vật phẩm lưỡng dụng, năm 2025 xuất khẩu hafni chưa gia công, phế liệu và mảnh vụn hafni, bột hafni đạt 20,2 tấn, giảm 22% so với cùng kỳ.

国内4N级氧化铪价格也已大幅上行。2022年初约450万元/吨，到2026年6月16日涨至950万元/吨，涨幅111%。 Giá hafni oxit cấp 4N trong nước cũng đã tăng mạnh. Đầu năm 2022 khoảng 4,5 triệu nhân dân tệ/tấn, đến ngày 16 tháng 6 năm 2026 tăng lên 9,5 triệu nhân dân tệ/tấn, mức tăng 111%.

风险提示及免责条款 Cảnh báo rủi ro và điều khoản miễn trách nhiệm

        市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。

Thị trường có rủi ro, đầu tư cần thận trọng. Bài viết này không cấu thành lời khuyên đầu tư cá nhân, cũng không xem xét mục tiêu đầu tư, tình hình tài chính hoặc nhu cầu đặc biệt của từng người dùng. Người dùng nên xem xét liệu bất kỳ ý kiến, quan điểm hoặc kết luận nào trong bài viết có phù hợp với tình trạng cụ thể của họ hay không. Đầu tư dựa trên đó, trách nhiệm tự chịu.