TL;DR
· AMAT 在 6 月 25 日大师班展示 DRAM 和先进封装路线，称其 DRAM 设备份额已升至全球第一。
· 下一代 DRAM、HBM 和混合键合需要更多沉积、刻蚀、计量步骤，TSV 工艺 19 步中 AMAT 覆盖 15 步。
· 份额继续提升仍取决于客户资本开支、3D DRAM 良率和面板级封装量产节奏。

应用材料公司（AMAT）在 6 月 25 日 DRAM 与先进封装大师班上集中展示了 AI 时代的内存和封装设备路线，德银维持买入判断，理由是 AI 服务器正在把 DRAM、HBM 和先进封装推向更复杂的制造流程。

这不是单纯的新设备发布。对投资者来说，关键在于 AI 服务器的瓶颈不只在 GPU 本身，围绕 GPU 工作的高带宽内存、DRAM 堆叠、芯片互连和封装基板也在变得更难制造。工艺越复杂，设备商能参与的步骤越多，资本开支越可能从「买更多晶圆产能」转向「买更复杂的材料工程设备」。

AMAT 给出的最直接数字是：其 DRAM 市场份额已从 2013 年低于 15%，提升至目前全球第一。公司试图证明，AI 内存升级不是一次性需求，而是一轮从 DRAM 晶体管、互连、键合、封装到计量检测的系统性变化。

AI 服务器不只买 GPU，内存制造也在变难

过去两年，市场对 AI 硬件的关注大多集中在 GPU 和先进制程。但真正进入大规模集群部署后，内存带宽、功耗和封装密度开始成为限制整机性能的关键环节。

HBM 就是典型例子。它通过多层 DRAM 堆叠提升带宽，但堆叠越高，晶圆越薄，制造中的翘曲、空洞填充、对准和缺陷检测难度都会上升。对设备商而言，这意味着更多沉积、刻蚀、清洗、抛光、键合和计量步骤进入可服务市场。

AMAT 此次强调的不是单点设备，而是覆盖范围。在 HBM 封装的 TSV 工艺中，19 个材料工程步骤里有 15 个可由其产品覆盖。TSV 是把垂直通孔打穿硅片、再填充金属以实现多层互连的关键工艺，也是 HBM 堆叠走向更高层数时的核心环节。

新设备中，Avila 2 CVD 针对更薄 HBM DRAM 晶圆的弯曲问题；Nokota VMax 2 用于更小尺寸 TSV 的无空洞填充；OPTA Quad CMP 则把先进封装中的化学机械抛光过程纳入实时控制。这些产品共同指向同一件事：AI 内存升级带来的不是某一个设备爆发，而是多个工艺步骤同时变难。

DRAM 的五个工艺坎

AMAT 把下一代 DRAM 变化归纳为五个关键方向：EUV 图案化、先进晶体管与布线、CMOS 键合阵列、4F²垂直晶体管 DRAM，以及 3D DRAM。

这些术语背后，是 DRAM 继续缩小和提升性能时要面对的现实问题。传统平面结构越来越难同时满足密度、功耗和成本要求，内存厂商需要引入更复杂的图案化、更精细的互连、更高深宽比结构，以及更接近逻辑芯片的堆叠和键合方式。

EUV 图案化会增加对高精度刻蚀的要求；FinFET、铜互连和外延工艺会让晶体管和布线环节更依赖材料工程；CMOS 键合阵列则把阵列和外围逻辑分开制造后再键合；4F²垂直晶体管和 3D DRAM 进一步把难点推向高深宽比硅通道、导体刻蚀和电子束计量。

这也是 AMAT 强调自身 DRAM 份额变化的原因。2013 年公司在 DRAM 设备市场份额不足 15%，如今称已做到全球第一。若 DRAM 从二维微缩转向更多三维结构和键合结构，过去在沉积、刻蚀、外延和计量上的覆盖可能继续放大。

不过，这里不能简单理解为「DRAM 技术升级等于 AMAT 份额必然继续提升」。内存厂商采用新结构的节奏、良率爬坡速度、单位资本开支约束，以及竞争对手在刻蚀、沉积和计量环节的反应，都会决定实际订单落地。

封装从硅中介层走向大面板，混合键合被推到台前

除 DRAM 本身，先进封装是 AMAT 此次另一条主线。

AI 加速器和 HBM 之间需要更高密度、更低功耗的互连，传统硅中介层方案在面积和成本上承压。AMAT 提出的方向是更大尺寸的面板级基板，尺寸从 310×310mm、510×515mm，进一步走向 600×600mm。

面板越大，潜在好处是单次加工面积扩大、封装成本下降，但制造难度也明显提高。大面积基板上的沉积、刻蚀、电镀、平坦化和缺陷控制都更难保持一致性。AMAT 已布局数字光刻、面板 PVD/CVD/刻蚀，以及通过 NEXX 收购补齐大面积铜电镀能力。

更受关注的是 Kinex 混合键合系统。它整合等离子表面活化、清洗、键合与计量，被 AMAT 称为业界首款集成式染料到晶圆混合键合系统。混合键合的价值在于把芯片之间的互连做得更密、更短、更省电，适合未来高带宽内存和逻辑芯片更紧密结合的封装路线。

围绕过程控制，AMAT 还推出 VeritySEM 7AP 和 SEMVision G7AP，分别用于混合键合焊盘、TSV、微凸块关键尺寸测量，以及缺陷复查分类。先进封装从「把芯片封起来」变成「类似前道制造的高精度工艺」，计量和缺陷检测的重要性随之上升。

是否买入，仍要看客户 CAPEX 和良率

德银的积极判断建立在一个前提上：AI 对性能每瓦特的需求会持续推高内存和封装资本强度，而 AMAT 在沉积、刻蚀、CMP、键合和计量上的组合足够完整。

这解释了为什么市场愿意重新关注 AMAT 这类半导体设备商。AI 投资如果只停留在 GPU 采购，受益链条相对集中；但如果 HBM、DRAM 和先进封装都需要新工艺和新设备，设备商可参与的环节会明显扩展。

不过，风险也同样清晰。第一，内存客户资本开支具有周期性，AI 需求强并不等于 DRAM 厂商会无限扩产。第二，3D DRAM、4F²垂直晶体管和混合键合都需要良率验证，实验室路线不等于大规模量产。第三，面板级封装虽然有成本吸引力，但大尺寸基板的一致性和缺陷控制仍是产业难题。

AMAT 已经把自己从「DRAM 设备份额追赶者」讲成「AI 内存升级的核心设备平台」。接下来真正能支撑这个叙事的，不是产品名数量，而是客户把多少新工艺带进量产线，以及这些工艺是否真的带来更多可持续订单。

AMAT 历史推荐与目标价变化图，显示 2023 年至 2026 年股价上行及评级调整背景。

点击了解律动BlockBeats 在招岗位

欢迎加入律动 BlockBeats 官方社群：

Telegram 订阅群：https://t.me/theblockbeats

Telegram 交流群：https://t.me/BlockBeats_App

Twitter 官方账号：https://twitter.com/BlockBeatsAsia> TL;DR

· AMAT đã trình bày lộ trình DRAM và đóng gói tiên tiến tại hội thảo chuyên đề ngày 25 tháng 6, tuyên bố thị phần thiết bị DRAM của họ đã vươn lên số một toàn cầu.
· DRAM thế hệ tiếp theo, HBM và liên kết hỗn hợp yêu cầu nhiều bước lắng đọng, khắc, đo lường hơn; trong 19 bước của quy trình TSV, AMAT bao phủ 15 bước.
· Việc tiếp tục tăng thị phần vẫn phụ thuộc vào chi tiêu vốn của khách hàng, tỷ lệ thu hồi của 3D DRAM và nhịp độ sản xuất hàng loạt của đóng gói cấp tấm nền.

Công ty Applied Materials (AMAT) đã tập trung trưng bày lộ trình thiết bị bộ nhớ và đóng gói trong kỷ nguyên AI tại hội thảo chuyên đề về DRAM và đóng gói tiên tiến ngày 25 tháng 6. Deutsche Bank duy trì đánh giá mua, với lý do máy chủ AI đang đẩy DRAM, HBM và đóng gói tiên tiến vào các quy trình sản xuất phức tạp hơn.

Đây không chỉ đơn thuần là việc ra mắt thiết bị mới. Đối với các nhà đầu tư, điểm mấu chốt là nút thắt cổ chai của máy chủ AI không chỉ nằm ở bản thân GPU, mà bộ nhớ băng thông cao, xếp chồng DRAM, kết nối chip và đế đóng gói hoạt động xung quanh GPU cũng đang trở nên khó sản xuất hơn. Quy trình càng phức tạp, nhà cung cấp thiết bị càng có thể tham gia nhiều bước hơn, chi tiêu vốn càng có khả năng chuyển từ "mua thêm công suất wafer" sang "mua thiết bị kỹ thuật vật liệu phức tạp hơn".

Con số trực tiếp nhất mà AMAT đưa ra là: thị phần thiết bị DRAM của họ đã tăng từ mức dưới 15% vào năm 2013 lên vị trí số một toàn cầu hiện nay. Công ty đang cố gắng chứng minh rằng nâng cấp bộ nhớ AI không phải là nhu cầu một lần, mà là một sự thay đổi mang tính hệ thống từ bóng bán dẫn DRAM, kết nối, liên kết, đóng gói đến đo lường và kiểm tra.

Máy chủ AI không chỉ mua GPU, sản xuất bộ nhớ cũng đang trở nên khó hơn

Trong hai năm qua, sự chú ý của thị trường đối với phần cứng AI chủ yếu tập trung vào GPU và quy trình tiên tiến. Nhưng khi thực sự bước vào triển khai cụm quy mô lớn, băng thông bộ nhớ, mức tiêu thụ điện năng và mật độ đóng gói bắt đầu trở thành các khâu then chốt hạn chế hiệu suất tổng thể của máy.

HBM là một ví dụ điển hình. Nó tăng băng thông thông qua xếp chồng nhiều lớp DRAM, nhưng xếp chồng càng cao, wafer càng mỏng, độ khó trong sản xuất như cong vênh, lấp đầy lỗ rỗng, căn chỉnh và phát hiện khuyết tật đều tăng lên. Đối với các nhà cung cấp thiết bị, điều này có nghĩa là nhiều bước lắng đọng, khắc, làm sạch, đánh bóng, liên kết và đo lường hơn đi vào thị trường có thể phục vụ.

Lần này, AMAT nhấn mạnh không phải thiết bị đơn lẻ, mà là phạm vi bao phủ. Trong quy trình TSV của đóng gói HBM, trong số 19 bước kỹ thuật vật liệu, có 15 bước có thể được bao phủ bởi sản phẩm của họ. TSV là quy trình then chốt để khoan lỗ xuyên thẳng đứng qua tấm silicon, sau đó lấp đầy kim loại để đạt được kết nối đa lớp, và cũng là khâu cốt lõi khi xếp chồng HBM tiến tới số lớp cao hơn.

Trong số các thiết bị mới, Avila 2 CVD giải quyết vấn đề cong vênh của wafer DRAM HBM mỏng hơn; Nokota VMax 2 dùng để lấp đầy không có lỗ rỗng cho TSV kích thước nhỏ hơn; OPTA Quad CMP đưa quá trình đánh bóng cơ học hóa học trong đóng gói tiên tiến vào kiểm soát thời gian thực. Những sản phẩm này cùng chỉ vào một điều: nâng cấp bộ nhớ AI không mang lại sự bùng nổ cho một thiết bị duy nhất, mà làm cho nhiều bước quy trình đồng thời trở nên khó khăn hơn.

Năm thách thức quy trình của DRAM

AMAT tổng kết những thay đổi của DRAM thế hệ tiếp theo thành năm hướng chính: tạo hình EUV, bóng bán dẫn và dây dẫn tiên tiến, mảng liên kết CMOS, DRAM bóng bán dẫn thẳng đứng 4F², và 3D DRAM.

Đằng sau những thuật ngữ này là những vấn đề thực tế mà DRAM phải đối mặt khi tiếp tục thu nhỏ và nâng cao hiệu suất. Cấu trúc phẳng truyền thống ngày càng khó đáp ứng đồng thời các yêu cầu về mật độ, tiêu thụ điện năng và chi phí, các nhà sản xuất bộ nhớ cần giới thiệu các tạo hình phức tạp hơn, kết nối tinh vi hơn, cấu trúc tỷ lệ khung hình cao hơn, và các phương pháp xếp chồng và liên kết gần giống với chip logic hơn.

Tạo hình EUV sẽ làm tăng yêu cầu về khắc độ chính xác cao; FinFET, kết nối đồng và quy trình epitaxy sẽ làm cho các khâu bóng bán dẫn và dây dẫn phụ thuộc nhiều hơn vào kỹ thuật vật liệu; mảng liên kết CMOS tách rời mảng và logic ngoại vi để sản xuất riêng rồi mới liên kết; bóng bán dẫn thẳng đứng 4F² và 3D DRAM đẩy thách thức tiếp tục về phía kênh silicon tỷ lệ khung hình cao, khắc dây dẫn và đo lường chùm tia điện tử.

Đây cũng là lý do AMAT nhấn mạnh sự thay đổi thị phần DRAM của mình. Năm 2013, thị phần thiết bị DRAM của công ty dưới 15%, nay được cho là đã đạt số một toàn cầu. Nếu DRAM chuyển từ vi mô hóa hai chiều sang nhiều cấu trúc ba chiều và cấu trúc liên kết hơn, phạm vi bao phủ trước đây trong lắng đọng, khắc, epitaxy và đo lường có thể tiếp tục được mở rộng.

Tuy nhiên, không thể hiểu đơn giản là "nâng cấp công nghệ DRAM đồng nghĩa với thị phần AMAT chắc chắn tiếp tục tăng". Nhịp độ áp dụng cấu trúc mới của các nhà sản xuất bộ nhớ, tốc độ tăng tỷ lệ thu hồi, ràng buộc chi tiêu vốn đơn vị, và phản ứng của đối thủ cạnh tranh trong các khâu khắc, lắng đọng và đo lường sẽ quyết định đơn hàng thực tế.

Đóng gói đi từ silicon interposer đến tấm nền lớn, liên kết hỗn hợp được đẩy lên phía trước

Ngoài bản thân DRAM, đóng gói tiên tiến là một chủ đề chính khác của AMAT lần này.

Giữa bộ tăng tốc AI và HBM cần kết nối mật độ cao hơn, tiêu thụ điện năng thấp hơn, giải pháp silicon interposer truyền thống đang chịu áp lực về diện tích và chi phí. Hướng đi mà AMAT đề xuất là đế đóng gói cấp tấm nền kích thước lớn hơn, từ 310×310mm, 510×515mm, tiến tới 600×600mm.

Tấm nền càng lớn, lợi ích tiềm năng là diện tích gia công một lần mở rộng, chi phí đóng gói giảm, nhưng độ khó sản xuất cũng tăng lên rõ rệt. Việc lắng đọng, khắc, mạ điện, làm phẳng và kiểm soát khuyết tật trên đế diện tích lớn đều khó duy trì tính đồng nhất hơn. AMAT đã bố trí quang khắc kỹ thuật số, PVD/CVD/khắc cấp tấm nền, và bổ sung năng lực mạ điện đồng diện tích lớn thông qua việc mua lại NEXX.

Được quan tâm nhiều hơn là hệ thống liên kết hỗn hợp Kinex. Nó tích hợp kích hoạt bề mặt plasma, làm sạch, liên kết và đo lường, được AMAT gọi là hệ thống liên kết hỗn hợp tích hợp đầu tiên trong ngành từ chất kết dính đến wafer. Giá trị của liên kết hỗn hợp nằm ở việc làm cho các kết nối giữa các chip dày hơn, ngắn hơn, tiết kiệm điện hơn, phù hợp với lộ trình đóng gói trong tương lai nơi bộ nhớ băng thông cao và chip logic được kết hợp chặt chẽ hơn.

Xoay quanh kiểm soát quy trình, AMAT còn ra mắt VeritySEM 7AP và SEMVision G7AP, lần lượt dùng để đo kích thước chính của pad liên kết hỗn hợp, TSV, micro bump, cũng như phân loại kiểm tra lại khuyết tật. Đóng gói tiên tiến từ "đóng gói chip" trở thành "quy trình có độ chính xác cao tương tự sản xuất front-end", tầm quan trọng của đo lường và phát hiện khuyết tật theo đó tăng lên.

Có nên mua không, vẫn phải xem CAPEX và tỷ lệ thu hồi của khách hàng

Đánh giá tích cực của Deutsche Bank dựa trên một tiền đề: nhu cầu về hiệu suất trên mỗi watt của AI sẽ tiếp tục đẩy cao cường độ vốn cho bộ nhớ và đóng gói, và danh mục của AMAT trong lắng đọng, khắc, CMP, liên kết và đo lường là đủ hoàn chỉnh.

Điều này giải thích tại sao thị trường sẵn sàng chú ý trở lại các nhà cung cấp thiết bị bán dẫn như AMAT. Nếu đầu tư AI chỉ dừng lại ở việc mua GPU, chuỗi lợi ích tương đối tập trung; nhưng nếu HBM, DRAM và đóng gói tiên tiến đều cần quy trình và thiết bị mới, các khâu mà nhà cung cấp thiết bị có thể tham gia sẽ mở rộng rõ rệt.

Tuy nhiên, rủi ro cũng rõ ràng không kém. Thứ nhất, chi tiêu vốn của khách hàng bộ nhớ có tính chu kỳ, nhu cầu AI mạnh không đồng nghĩa với việc các nhà sản xuất DRAM sẽ mở rộng sản xuất vô hạn. Thứ hai, 3D DRAM, bóng bán dẫn thẳng đứng 4F² và liên kết hỗn hợp đều cần xác minh tỷ lệ thu hồi, lộ trình trong phòng thí nghiệm không bằng sản xuất hàng loạt quy mô lớn. Thứ ba, mặc dù đóng gói cấp tấm nền có sức hấp dẫn về chi phí, nhưng tính đồng nhất và kiểm soát khuyết tật của đế kích thước lớn vẫn là vấn đề khó của ngành.

AMAT đã tự biến mình từ "người theo đuổi thị phần thiết bị DRAM" thành "nền tảng thiết bị cốt lõi cho nâng cấp bộ nhớ AI". Điều thực sự có thể hỗ trợ câu chuyện này tiếp theo không phải số lượng tên sản phẩm, mà là khách hàng đưa bao nhiêu quy trình mới vào dây chuyền sản xuất hàng loạt, và liệu những quy trình này có thực sự mang lại nhiều đơn hàng bền vững hơn hay không.

Biểu đồ thay đổi khuyến nghị lịch sử và giá mục tiêu của AMAT, hiển thị bối cảnh tăng giá cổ phiếu và điều chỉnh xếp hạng từ năm 2023 đến 2026.

Nhấp để tìm hiểu các vị trí tuyển dụng của BlockBeats

Chào mừng bạn tham gia cộng đồng chính thức của BlockBeats:

Nhóm Telegram đăng ký: https://t.me/theblockbeats

Nhóm Telegram thảo luận: https://t.me/BlockBeats_App

Tài khoản Twitter chính thức: https://twitter.com/BlockBeatsAsia