Cơ bản
Giao ngay
Giao dịch tiền điện tử một cách tự do
Giao dịch ký quỹ
Tăng lợi nhuận của bạn với đòn bẩy
Chuyển đổi và Đầu tư định kỳ
0 Fees
Giao dịch bất kể khối lượng không mất phí không trượt giá
ETF
Sản phẩm ETF có thuộc tính đòn bẩy giao dịch giao ngay không cần vay không cháy tải khoản
Giao dịch trước giờ mở cửa
Giao dịch token mới trước niêm yết
Futures
Truy cập hàng trăm hợp đồng vĩnh cửu
CFD
Vàng
Một nền tảng cho tài sản truyền thống
Quyền chọn
Hot
Giao dịch với các quyền chọn kiểu Châu Âu
Tài khoản hợp nhất
Tối đa hóa hiệu quả sử dụng vốn của bạn
Giao dịch demo
Giới thiệu về Giao dịch hợp đồng tương lai
Nắm vững kỹ năng giao dịch hợp đồng từ đầu
Sự kiện tương lai
Tham gia sự kiện để nhận phần thưởng
Giao dịch demo
Sử dụng tiền ảo để trải nghiệm giao dịch không rủi ro
CFD
Phái sinh CFD cổ phiếu Hoa Kỳ
Cổ phiếu Hoa Kỳ
Tiếp cận cổ phiếu và quỹ ETF thực của Hoa Kỳ
Cổ phiếu Hongkong
Giao dịch cổ phiếu chất lượng được niêm yết tại Hongkong
Cổ phiếu Hàn Quốc
SK Hynix
Giao dịch cổ phiếu Hàn Quốc thực và đầu tư vào các tài sản phổ biến
Futures cổ phiếu
Đòn bẩy cao, giao dịch 24/7
Cổ phiếu token hóa
Được hỗ trợ bởi tài sản cổ phiếu thực
IPO Access
Mở khóa quyền truy cập đầy đủ vào các IPO cổ phiếu toàn cầu
GUSD
Đúc GUSD để nhận lợi suất từ RWA kho bạc
Hoạt động cổ phiếu
Giao dịch cổ phiếu phổ biến và nhận airdrop hấp dẫn
Launch
CandyDrop
Sưu tập kẹo để kiếm airdrop
Launchpool
Thế chấp nhanh, kiếm token mới tiềm năng
HODLer Airdrop
Nắm giữ GT và nhận được airdrop lớn miễn phí
IPO Access
Mở khóa quyền truy cập đầy đủ vào các IPO cổ phiếu toàn cầu
Điểm Alpha
Giao dịch trên chuỗi và nhận airdrop
Điểm Futures
Kiếm điểm futures và nhận phần thưởng airdrop
Đầu tư
Simple Earn
Kiếm lãi từ các token nhàn rỗi
Đầu tư tự động
Đầu tư tự động một cách thường xuyên.
Sản phẩm tiền kép
Kiếm lợi nhuận từ biến động thị trường
Soft Staking
Kiếm phần thưởng với staking linh hoạt
Vay Crypto
0 Fees
Thế chấp một loại tiền điện tử để vay một loại khác
Trung tâm cho vay
Trung tâm cho vay một cửa
Trung tâm tài sản VIP
Kế hoạch tăng trưởng tài sản cao cấp
Gate Wealth
Nắm quyền kiểm soát tương lai tài chính của bạn
Quỹ định lượng
Chiến lược định lượng hàng đầu
Staking
Stake tiền điện tử để kiếm tiền từ các sản phẩm PoS
Đòn bẩy thông minh
Đòn bẩy không thanh lý
USD1 Lãi 8%/năm
Không khóa, tự do giao dịch.
Khuyến mãi
AI
Gate AI
Trợ lý AI đa năng đồng hành cùng bạn
Gate AI Bot
Sử dụng Gate AI trực tiếp trong ứng dụng xã hội của bạn
GateClaw
Gate Tôm hùm xanh, mở hộp là dùng ngay
Gate for AI Agent
Hạ tầng AI, Gate MCP, Skills và CLI
Gate Skills Hub
Hơn 10.000 kỹ năng
Từ văn phòng đến giao dịch, thư viện kỹ năng một cửa giúp AI tiện lợi hơn
Liên Tưởng Lenovo giơ bài: Bộ nhớ cực kỳ đắt đỏ đã không thể quay lại! Người tiêu dùng phải trả tiền.
Lenovo tại Hội nghị Siêu máy tính Quốc tế ISC 2026 đã công khai cảnh báo rằng giá DRAM (bộ nhớ chính của máy tính) và bộ nhớ flash NAND đã bước vào chu kỳ tăng giá mang tính cấu trúc, ngay cả khi Samsung, SK Hynix và Micron liên tục mở rộng sản xuất, cũng rất khó để giảm xuống mức đầu năm 2025, giá cao được dự đoán sẽ trở thành "trạng thái bình thường mới" sau năm 2030, và cuối cùng sẽ lan tỏa đến các sản phẩm điện tử tiêu dùng như PC, máy chơi game, điện thoại thông minh. Winston Cheng, Giám đốc tài chính của Lenovo, thẳng thắn gọi tình hình là "chưa từng có", công ty đã tích trữ tồn kho bộ nhớ cao hơn khoảng 50% so với mức bình thường để đối phó với việc tăng giá liên tục.
(Tin trước: AI ăn hết công suất sản xuất bộ nhớ! Apple không chịu nổi tăng giá MacBook, iPad, cổ phiếu giảm hơn 5%)
(Bổ sung bối cảnh: Triển vọng báo cáo tài chính Q3 của Micron: Biên lợi nhuận gộp 81% vượt xa Nvidia! Chu kỳ siêu bộ nhớ AI sẽ gây ra biến động cổ phiếu 14%?)
Mục lục
Toggle
Tóm tắt trọng điểm
Winston Cheng, Giám đốc tài chính của Lenovo, đã nói một câu tại Hội nghị ISC 2026: "Sẽ không bao giờ giống như năm ngoái nữa (never more be like last year)." Đằng sau câu nói này là DRAM (bộ nhớ chính của máy tính) và bộ nhớ flash NAND (bộ nhớ flash dùng để lưu trữ) đồng thời bước vào chu kỳ tăng giá mang tính cấu trúc, kế hoạch mở rộng sản xuất của ba nhà sản xuất bộ nhớ không thể theo kịp khoảng trống nhu cầu, Lenovo ước tính trước năm 2030 người tiêu dùng sẽ phải trả giá.
Biểu đồ xu hướng mà Lenovo trình bày tại hội nghị cho thấy đợt tăng giá này bắt đầu lệch khỏi quỹ đạo từ cuối quý 3 năm 2025, giá liên tục phá vỡ vùng dự kiến của thị trường, cho đến nay vẫn chưa thấy dấu hiệu quay đầu. Giá chào bán DRAM máy chủ của Samsung, SK Hynix đã từng tăng 60% đến 70%; Micron thậm chí còn công khai tuyên bố rằng ngay cả nhu cầu của khách hàng cốt lõi cũng chỉ có thể đáp ứng khoảng 55% đến 60%, Google, Microsoft và các nhà cung cấp dịch vụ đám mây quy mô lớn khác (hyperscalers) đã xếp hàng để giành hàng.
Đây không phải là sự thiếu hụt theo chu kỳ do mất cân bằng cung cầu, mà là các nhà sản xuất chủ động chuyển công suất đi, và hướng đi rất rõ ràng.
HBM chiếm 23% công suất wafer DRAM
Gốc rễ của vấn đề nằm ở HBM (Bộ nhớ băng thông cao, loại được AI server ưa chuộng nhất). HBM hiện đã chiếm khoảng 23% công suất wafer DRAM, tỷ lệ này vẫn đang tăng lên. Quan trọng hơn là tỷ lệ chuyển đổi công suất wafer: cứ đầu tư thêm một wafer để làm HBM, sẽ làm mất đi khoảng ba nguồn cung bộ nhớ đa năng. Nói cách khác, AI server lấy thêm một phần, thị trường tiêu dùng sẽ mất ba phần.
Các nhà cung cấp dịch vụ đám mây quy mô lớn đổ tiền giành HBM, ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn đương nhiên thuận theo xu hướng tập trung công suất vào các linh kiện cấp server và cấp doanh nghiệp có lợi nhuận cao, nguồn cung bộ nhớ cấp tiêu dùng vì thế bị chủ động bỏ lại phía sau. Điều này khác với tình trạng thiếu hụt theo chu kỳ kinh tế trước đây, loại thiếu hụt đó có thể giải quyết bằng cách chờ các nhà sản xuất mở rộng sản xuất; lần này là các nhà sản xuất đang thực hiện một sự phân bổ lại mang tính chiến lược và cấu trúc, thị trường tiêu dùng bị chủ động xếp sau.
Công suất mới chỉ có thể đưa ra vào năm 2028, "trạng thái bình thường mới" của năm 2030 cũng đắt hơn hiện tại
Khung thời gian mà Lenovo đưa ra không có gì đáng để mong đợi, công suất mới sẽ chỉ được đưa ra dần dần vào năm 2028, có thể hình thành cái gọi là "trạng thái bình thường mới" vào năm 2030. Nhưng Lenovo đồng thời nói rõ, ngay cả khi đến lúc đó, mức giá cũng sẽ cao hơn nhiều so với năm 2024, 2025, đây không phải là chu kỳ có thể quay lại nếu chờ đợi, mà là toàn bộ đường cơ sở đang dịch chuyển lên trên.
Mở rộng sản xuất vẫn không thể lấp đầy khoảng trống, sự thiếu hụt lần này khác với trước đây. Nhận định này không chỉ riêng Lenovo nói tại ISC 2026, ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn cũng đưa ra các tín hiệu tương tự, cách nói của Micron là trực tiếp nhất: ngay cả khách hàng cốt lõi cũng chỉ nhận được khoảng 55% đến 60% nhu cầu, khách hàng không cốt lõi thì càng không cần hỏi.
PC, máy chơi game, điện thoại thông minh, cuối cùng chi phí đều do người tiêu dùng trả
Cảnh báo của Lenovo cuối cùng hướng tới người tiêu dùng. Chi phí bộ nhớ cao sẽ lan tỏa xuống dưới, PC, máy chơi game, điện thoại thông minh, và tất cả các sản phẩm đầu cuối được trang bị bộ nhớ hoặc ổ cứng thể rắn (SSD), giá bán đều có áp lực tăng lên, khoảng thời gian Lenovo nói là "năm năm tới", gần như bao phủ hai chu kỳ thay thế.
Cách đối phó của Lenovo là tích trữ tồn kho cao hơn bình thường 50%, đây không phải là lạc quan, mà là phòng thủ. Nhà sản xuất PC lớn nhất thế giới chọn tích trữ hàng thay vì chờ giảm giá, hành động này tự nó đã nói lên nhiều điều.
Câu hỏi thường gặp
Khi nào giá bộ nhớ mới giảm trở lại?
Lenovo ước tính công suất mới sẽ chỉ được đưa ra dần dần vào năm 2028, có thể hình thành trạng thái bình thường mới vào năm 2030, nhưng mức giá khi đó vẫn cao hơn nhiều so với mức năm 2025. Chừng nào HBM tiếp tục chiếm khoảng 23% công suất wafer DRAM, nguồn cung cấp tiêu dùng khó có thể phục hồi, trong ngắn hạn không thấy dấu hiệu đảo chiều.
Tại sao nhu cầu AI khiến DRAM và NAND liên tục tăng giá?
Google, Microsoft và các nhà cung cấp dịch vụ đám mây quy mô lớn ồ ạt mua HBM (Bộ nhớ băng thông cao), ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn thuận theo xu hướng chuyển công suất wafer sang các linh kiện cấp server. Tỷ lệ chuyển đổi wafer khoảng 3:1, cứ làm thêm một phần HBM sẽ làm mất đi ba phần DRAM đa năng. Đây là sự phân bổ lại mang tính cấu trúc, không phải là sự thiếu hụt theo chu kỳ có thể giải quyết bằng cách mở rộng sản xuất.