Thông báo của Deep潮 TechFlow, ngày 18 tháng 6, theo báo cáo của Securities Times, SK Hynix ngày 18 đã công bố rằng công ty đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho khách hàng chính, sản phẩm này là bộ nhớ DRAM siêu cao hiệu suất thế hệ tiếp theo dành cho trí tuệ nhân tạo (AI). Tốc độ chân tối đa có thể đạt 16Gbps, đồng thời nâng cao hiệu quả năng lượng hơn 20%, cải thiện khả năng xử lý dữ liệu cần thiết cho huấn luyện và suy luận AI.

Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
Thêm một bình luận
Thêm một bình luận
Không có bình luận
  • Đã ghim