UBS снова повысил прогноз цен на микросхемы памяти, заявив, что дефицит DRAM, как ожидается, продлится до 2028 года.

火星财经消息，7 月 3 日，瑞银表示，基于行业调研，其将 DDR 合约价格基准预期上调至 2026 年第三季度环比上涨 32%、2026 年第四季度环比上涨 18%，此前预测分别为环比上涨 17% 和 12%。瑞银继续预计，DRAM 行业至少到 2028 年前都将处于供不应求状态。到 2027 年，DRAM 需求增速与供应增速之间的缺口预计将扩大至 17%。 若假设 2027 年下游没有库存消化，即客户在 2026 年下半年补库后库存仍然充足，供应不足比例将从 2026 年的 8.1% 恶化至 2027 年的 13.6%。瑞银称，这两项水平均为过去 30 年未见。 NAND 方面，瑞银目前预测 2026 年第三季度价格环比上涨 30%，第四季度环比上涨 12%，并预计 NAND 上行周期至少持续至 2027 年第四季度。瑞银还将内存行业营收预测上调至 2026 年 9920 亿美元、2027 年 1.763 万亿美元。主要风险在于超大规模云服务商的负担能力，尤其是其仍需继续进入资本市场为资本支出融资。

Сообщение Mars Finance от 3 июля: UBS заявил, что на основе отраслевых исследований повысил базовый прогноз цен на контракты DDR до роста на 32% по сравнению с предыдущим кварталом в третьем квартале 2026 года и на 18% в четвертом квартале 2026 года, тогда как предыдущие прогнозы составляли рост на 17% и 12% соответственно. UBS продолжает ожидать, что индустрия DRAM будет находиться в состоянии дефицита как минимум до 2028 года. К 2027 году разрыв между темпами роста спроса и предложения DRAM, как ожидается, увеличится до 17%. Если предположить, что в 2027 году не будет складирования запасов на нижнем уровне, то есть запасы клиентов останутся достаточными после пополнения во второй половине 2026 года, доля дефицита предложения ухудшится с 8,1% в 2026 году до 13,6% в 2027 году. UBS заявил, что оба этих уровня не наблюдались за последние 30 лет. Что касается NAND, UBS в настоящее время прогнозирует рост цен на 30% в третьем квартале 2026 года по сравнению с предыдущим кварталом и на 12% в четвертом квартале, а также ожидает, что восходящий цикл NAND продлится как минимум до четвертого квартала 2027 года. UBS также повысил прогноз выручки полупроводниковой отрасли до 992 миллиардов долларов в 2026 году и 1,763 триллиона долларов в 2027 году. Основной риск заключается в платежеспособности гиперскейлеров, особенно в том, что им по-прежнему необходимо выходить на рынки капитала для финансирования капитальных затрат.