火星财经 сообщает, что CICC отмечает: по мере того, как вычислительная мощность AI переходит к высокой плотности, непрерывной полной загрузке и сильным переходным воздействиям, высоковольтная архитектура становится определенным направлением развития систем электропитания центров обработки данных. Благодаря прогрессу в аппаратных технологиях, 2026 год станет первым годом внедрения высоковольтной архитектуры в центрах обработки данных. CICC считает, что ключевые полупроводниковые приборы третьего поколения, такие как SiC/GaN, будут постоянно выигрывать от модернизации систем электропитания центров обработки данных. SiC, вероятно, будет доминировать в приложениях на стороне серверной (серая зона), а GaN ожидает масштабное проникновение внутрь стоек (белая зона), формируя рыночную структуру «SiC слева, GaN справа» с разделительной линией между серой и белой зонами, совместно получая выгоду от итерации решений электропитания центров обработки данных. (Cailianshe)

На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .

Награда
лайк
комментарий
Репост
Поделиться

комментарий

Добавить комментарий

Нет комментариев

Популярные темы
Подробнее
#
SKHynixTopsKOSPIByMarketCap
360,31K Популярность
#
StrategyBuybackSurges12%
8,72M Популярность
#
IsraelStrikesIranBTCPlunges
66,63K Популярность
#
PredictWorldCupShare20000U
493,57K Популярность
#
SolanaEcosystemANSEMSurges
22,02M Популярность

Закреплено

Карта сайта

中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

Популярные темы

SKHynixTopsKOSPIByMarketCap

StrategyBuybackSurges12%

IsraelStrikesIranBTCPlunges

PredictWorldCupShare20000U

SolanaEcosystemANSEMSurges

Закреплено