Samsung использовала Computex для предварительного просмотра HPB, или Heat Path Block, термической функции для своей следующей генерации памяти HBM5

Это ответ Samsung на охлаждающий подход, который уже продемонстрировала SK Hynix
Обе компании пытаются решить одну и ту же проблему: тепло
HBM укладывает множество чипов DRAM вертикально один на другой на базовом чипе, и каждое новое поколение увеличивает емкость и пропускную способность за счет добавления слоев и повышения скоростей передачи данных. Это также увеличивает плотность мощности
Тепло, выделяемое в центре высокого стека, трудно покинуть, потому что оно должно подниматься через слои кремния и сквозные кремниевыеvias, прежде чем достигнуть холодной пластины сверху. По мере увеличения высоты и скорости стеков, этот вертикальный узкий проход становится настоящим ограничителем. Горячий DRAM пропускает больше тепла, требует более частых циклов обновления и может начать ограничивать скорость работы
Решение Samsung — добавить боковой тепловой путь вместо того, чтобы полагаться только на вертикальный маршрут. HPB — это специальная термическая структура, размещенная рядом со стеком DRAM на том же базовом чипе. Она построена на той же высоте, что и стек, и соединена через интерфейс PHY между чипами. Избыточное тепло от стека перемещается по бокам в HPB, а затем более эффективно рассеивается вверх в холодную пластину
SK Hynix впервые пришла к этой идее с iHBM, которая внедряет интегрированные элементы охлаждения в упаковку с помощью процесса, называемого MR-RUF
Первые графические процессоры с использованием HBM5 ожидаются не раньше 2028–2029 годов, поэтому и Samsung, и SK Hynix еще есть годы на доработку этих решений вместе со своими партнерами