Micron раскрыла: при производстве HBM на каждые 100 произведённых битов приходится 300 отбракованных битов DRAM
Производители полупроводниковой памяти сталкиваются с производственным компромиссом: выпуск 100 бит высокопроизводительной памяти HBM3E требует пожертвовать выпуском 300 бит обычной DRAM, согласно отраслевым данным, представленным на форуме KeyBanc 10 августа. На форуме Micron Technology заявила, что доступность DRAM стала главным узким местом для клиентов дата-центров, опередив ограничения, связанные с электроснабжением или площадью объектов. Ограниченность предложения обусловлена использование
GateMacroTradfiHub·08-11 11:50
