Samsung разрабатывает 8-слойную HBM4E для NVIDIA со скоростью 17–18 Гбит/с
По данным Seoul Economy Daily, Samsung Electronics разрабатывает для NVIDIA 8-слойную высокоскоростную память HBM4E, сокращая высоту стека по сравнению с первоначально планировавшимися 12- и 16-слойными конструкциями. Целевая спецификация NVIDIA предусматривает скорость 17–18 Гбит/с — примерно на 20% выше, чем у первых образцов HBM4E от Samsung. Продукт предназначен для NVHBM.
NVDA-1,47 %
Samsung Electronics3,25 %
GateNews·08-31 05:25
