A Samsung usou a Computex para apresentar o HPB, ou Heat Path Block, uma característica térmica para a sua memória HBM5 de próxima geração

Esta é a resposta da Samsung a uma abordagem de refrigeração que a SK Hynix já revelou
Ambas as empresas estão a tentar resolver o mesmo problema: o calor
HBM empilha muitos díodos de DRAM verticalmente sobre um díodo base, e cada nova geração continua a aumentar a capacidade e a largura de banda adicionando mais camadas e impulsionando taxas de dados mais altas. Isso também aumenta a densidade de potência
O calor gerado no meio de uma pilha alta tem dificuldade em escapar porque tem que subir através de camadas de silício e vias de silício antes de chegar à placa fria no topo. À medida que as pilhas ficam mais altas e rápidas, esse gargalo vertical torna-se um verdadeiro limitador. DRAM quente vaza mais, necessita de ciclos de atualização mais frequentes e pode começar a limitar-se
A solução da Samsung é adicionar um caminho de calor lateral em vez de depender apenas da rota vertical. O HPB é uma estrutura térmica dedicada colocada ao lado da pilha de DRAM na mesma díoda base. É construído na mesma altura da pilha e conectado através de uma interface PHY díoda-para-díoda. O calor excessivo da pilha move-se lateralmente para o HPB e depois dissipa-se para cima na placa fria de forma mais eficiente
A SK Hynix chegou a esta ideia primeiro com o iHBM, que incorpora elementos de refrigeração integrados no pacote usando um processo chamado MR-RUF
As primeiras GPUs usando HBM5 não são esperadas até 2028–2029, portanto, tanto a Samsung quanto a SK Hynix ainda têm anos para refinar esses designs com os seus parceiros