Un brevet d'Intel dévoile une nouvelle architecture mémoire XBM, visant à contourner l'interposeur en silicium de la HBM pour réduire le coût de la mémoire IA.

火星财经消息 7月8日消息，英特尔一项近日公开的专利申请显示，公司正研发名为XBM（Cross-Batch Memory）的新型高带宽内存架构，旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制，降低先进封装成本并缓解AI芯片“内存墙”瓶颈。专利显示，XBM采用后端晶体管（BEOL）DRAM堆叠设计，可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性，并支持缺陷修复以提高良率。（广角观察）

Traduction en français :

Actualité Mars Finance, 8 juillet. Un brevet récemment déposé par Intel révèle que l'entreprise développe une nouvelle architecture mémoire à large bande passante nommée XBM (Cross-Batch Memory). Celle-ci vise à réduire les coûts d'encapsulation avancée et à atténuer le goulot d'étranglement du « mur mémoire » des puces d'IA, en supprimant l'interposeur en silicium requis par les HBM, en adoptant l'interconnexion UCIe et en intégrant un mécanisme de réparation redondant intégré. Le brevet indique que le XBM adopte une conception de DRAM empilée en transistors de back-end (BEOL). Il permet d'améliorer l'extensibilité tout en conservant un format d'encapsulation similaire à celui du HBM4, et prend en charge la réparation des défauts pour améliorer le rendement. (Le Quotidien de l'Observation)