Samsung construit une mégafab de mémoire, avec une production de masse prévue vers la fin 2028

Après avoir suspendu la construction en 2024 lors du ralentissement du marché de la mémoire, Samsung avance maintenant avec P5, une fab massive triple qui pourrait être aussi grande que P3 et P4 combinés
La société accélère également P5 Fab 2, dont la construction devrait commencer en juillet 2026 et dont l'exploitation commerciale est prévue vers 2029
L'idée semble être un modèle de double fab, où P5 et P5 Fab 2 sont construits presque identiquement afin que les clients hyperscale puissent déplacer la production entre les fabs sans devoir se requalifier entièrement de zéro
La majeure partie de cette offre n'arrivera qu'en 2028, 2029, ou même 2030. En attendant, Samsung modernise également P4 pour la DRAM 1c, ce qui est important pour HBM et la mémoire de nouvelle génération
L'échelle de l'investissement est massive, avec des rapports coréens évoquant environ 80 trillions de won par fab, ou 160 trillions de won pour le plan complet de double fab. Les contrats de construction de Samsung C&T et Samsung E&A suggèrent que le projet passe déjà de la planification à la mise en œuvre réelle
Pour les fournisseurs d'équipements, c'est positif. Samsung aurait commandé environ 20 systèmes EUV de $ASML pour P5, ainsi qu'un ensemble plus important d'outils de lithographie DUV, liés à l'expansion de capacité de la DRAM 1c et HBM4