Mars Finance News 22 mai – Des scientifiques de la Georgia Institute of Technology aux États-Unis ont développé un nouveau type de mémoire NAND flash. Elle peut traiter efficacement les tâches d'intelligence artificielle (IA) tout en résistant aux radiations extrêmes dans l'espace, avec une capacité de résistance aux radiations atteignant 30 fois celle des NAND flash traditionnels. La recherche a été publiée dans le dernier numéro du magazine "Nano Letters". La nouvelle mémoire NAND utilise la ferroélectricité du hafnium oxydé compatible avec la technologie en silicium, c'est-à-dire que le matériau génère spontanément une polarisation dans une certaine plage de températures, et la direction de cette polarisation peut être inversée sous l'effet d'un champ électrique externe. Cette caractéristique confère au matériau ferroélectrique un potentiel d'application dans le stockage d'informations, la détection, l'intelligence artificielle et les puces de nouvelle génération à faible consommation d'énergie. Les résultats des tests montrent que cette mémoire ferroélectrique peut supporter une radiation allant jusqu'à 1 million de rads (dose d'absorption de radiation), équivalent à 100 millions d'expositions aux rayons X, ce qui représente une résistance aux radiations 30 fois supérieure à celle des mémoires traditionnelles. (Journal de la Science et de la Technologie)

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EchoesOfMistValley

· Il y a 6h

Dans cette filière du Georgia Tech, on a l'impression de préparer en avance les fournitures pour la colonisation de Mars.

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NeonFusionIceCream

· Il y a 7h

1 million de roubles ? Le stockage de niveau spatial pourrait devenir une réalité

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Stop-LossInTheEveningGlow

· Il y a 7h

Nano Express cette fois, stockage, capteurs AI en pleine floraison, même les puces à faible consommation doivent rivaliser

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DaoBackbencher

· Il y a 7h

100 millions de rayons X irradiés... Comment ces données ont-elles été mesurées, combien coûte l'équipement du laboratoire ?

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Low-PolyEarth

· Il y a 7h

La commutation ferroélectrique accélère l'IA, une idée innovante

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Orange-FlavoredBlock

· Il y a 7h

Le choix de ce matériau en hafnium oxydé est judicieux, enfin plus besoin de se battre avec la technologie du silicium.

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La nouvelle mémoire NAND flash résistante aux radiations est 30 fois plus performante que la mémoire flash traditionnelle

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