€44,42
+€0,07(+0,15%)
*Datos actualizados por última vez: 2026-05-18 11:12 (UTC+8)
A fecha de 2026-05-18 11:12, Roundhill Memory ETF (DRAM) tiene un precio de €44,42, con una capitalización de mercado total de €0,00, un ratio P/E de 0,00 y un rendimiento por dividendo de 0,00%. Hoy, el precio de la acción ha oscilado entre €43,60 y €45,28. El precio actual está 1,87% por encima del mínimo del día y 1,90% por debajo del máximo del día, con un volumen de trading de --. Durante las últimas 52 semanas, DRAM ha cotizado entre €43,60 y €45,28, y el precio actual está a -1,90% del máximo de las últimas 52 semanas.
Estadísticas clave de DRAM
Cierre de ayer€0,00
Capitalización de mercado€0,00
Ratio P/E0,00
Rendimiento por dividendo (últimos doce meses)0,00%
Acciones en circulación0,00
Más información sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
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Preguntas frecuentes sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
¿A qué precio cotiza hoy Roundhill Memory ETF (DRAM) hoy?
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Roundhill Memory ETF (DRAM) cotiza actualmente a €44,42, con una variación en 24 h del +0,15%. El rango de trading de 52 semanas es de €43,60 a €45,28.
¿Cuáles son los precios máximo y mínimo de 52 semanas para Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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¿Cuál es el ratio precio-beneficio (P/E) de Roundhill Memory ETF (DRAM) y qué indica?
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¿Cuál es la capitalización de mercado de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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¿Cuál es el beneficio por acción (BPA) del trimestre más reciente de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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¿Deberías comprar o vender Roundhill Memory ETF (DRAM) ahora?
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¿Qué factores pueden afectar el precio de las acciones de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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¿Cómo comprar acciones de Roundhill Memory ETF (DRAM)?
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DRAM es el primer ETF del mundo con temática puramente de chips de memoria; mantiene posiciones importantes en Micron, SK hynix, Samsung Electronics y otros gigantes del almacenamiento, y se enfoca en DRAM, memoria flash NAND y memoria de alto ancho de banda HBM. HIMS es una plataforma estadounidense de telemedicina en línea. SHLD sigue pasivamente el índice global de defensa y armamento, con posiciones importantes en empresas de defensa de EE. UU. IWM sigue el índice Russell 2000 y cubre 2000 empresas estadounidenses de mediana y pequeña capitalización con potencial de crecimiento. FLNC es el líder mundial de sistemas de almacenamiento de energía, con negocio principal en equipos de almacenamiento con baterías de litio a gran escala.2026-05-18 06:11Nvidia superará a Apple como el mayor usuario de LPDDR para 2027, con capacidad para alcanzar 6,041B GBSegún Hana Securities y Citrini Research, Nvidia se espera que se convierta en el mayor usuario de DRAM de baja potencia (LPDDR) en 2027, impulsado por el aumento de la demanda de servidores de IA. Se estima que la capacidad de LPDDR de Nvidia subirá de 3,144 mil millones de GB en 2026 a 6,041 mil millones de GB en 2027, superando a Apple y Samsung Electronics y representando el 36% del suministro total global. Los analistas atribuyeron el cambio a sistemas de IA más nuevos como Vera Rubin de Nvidia, que consumen mucha más memoria que los dispositivos tradicionales.2026-05-16 15:21Un inversor minorista compra 55 participaciones de un nuevo ETF de memoria de IA el 11 de mayo, y asigna el 7% de su cartera a DRAMEl 11 de mayo, Brian Emes, un gerente de una tienda minorista de 43 años en Lethbridge, Alberta, compró 55 acciones del Roundhill Memory ETF (DRAM), que solo se había lanzado a principios de abril. La posición ahora representa aproximadamente el 7% de su cartera, lo que la convierte en una apuesta concentrada por la inteligencia artificial y las acciones de chips de memoria.
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Se espera que la evolución del Agente de IA de chat a acción dispare el próximo ciclo inflacionario. El consumo de tokens se disparó 300 veces entre 2024-2025, y cada tarea de Agente requiere decenas de veces más computación en el backend que un chat regular. Esto impulsará un crecimiento exponencial de la demanda de HBM, pero la expansión de la oferta enfrenta cuellos de botella por el consumo de obleas y limitaciones de rendimiento, sin que se espere un alivio significativo de capacidad hasta 2027-2028.2026-05-13 06:31Samsung planea la producción masiva en el 4T de módulos de memoria para servidores de IA CXL 3.1De acuerdo con The Korea Herald, Samsung Electronics planea comenzar la producción masiva de sus módulos de memoria CXL 3.1 para servidores de IA en el cuarto trimestre, después de los envíos de muestra en el tercer trimestre. El módulo CMM-D 3.1 combina DRAM y un controlador CXL en una sola placa, con capacidad de hasta 1 terabyte y un ancho de banda de 72 gigabytes por segundo en PCIe 6.0. Samsung anteriormente envió muestras de CXL 2.0 a más de 40 empresas, incluidas Microsoft y Amazon.
