DIGITIMES:内存热潮将持续至 2027 年
DIGITIMES 认为,随着 AI 基础设施推动 DRAM、NAND 和 HBM 需求,内存上行周期正在加速,而供应将持续紧张,直到 2027–2028 年有意义的新产能开始到位
最大的结构性变化是,内存需求越来越取决于 AI 加速器架构,而非 PC 和智能手机。HBM4 的采用率将在 2026–27 年持续加速,随后是 HBM4E;与此同时,Nvidia 的 Vera 平台正转向可拆卸的 SOCAMM2 LPDDR5X 模块
企业存储也从中受益。PCIe Gen6 企业级 SSD 已进入生产阶段,Samsung 和 Micron 已开始提升产品产量,预计 Phison 和 Silicon Motion 将于 2027 年推出 Gen6 控制器
产能扩充规模可观,但大多将在后期落地:
· Samsung:Pyeongtaek P5 于 2028 年投产,Yongin DRAM 于 2029 年投产,新的 Onyang HBM 封装产能于 2029 年投产。
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$SKHY:M15X 已于 2026 年开始提升产量,Yongin DRAM 自 2027 年第一季度起投产,P&T7 HBM 封装产能将于 2027 年底前投产,Indiana HBM 封装产能将于 2028 年下半年投产。
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$MU:Tungluo 扩建、Hiros