中国正试图在没有 EUV 的情况下实现 3D DRAM Naura Technology 已展示出一项用于 64 层 3D DRAM 的关键刻蚀工艺,这或许能让中国在无法获得 EUV 光刻技术的情况下继续提升 DRAM 密度 与其在二维平面上缩小晶体管,不如像 NAND 多年前所做的那样,将 3D DRAM 垂直堆叠起来。Naura Technology 的工艺能够从 64 层 Si/SiGe 堆叠结构中选择性去除硅锗层,同时保留硅结构 据报道,该工艺性能强劲:SiGe 对 Si 的选择比超过 500:1,每个循环的硅损失低于 1 nm,并且全部 64 层的结构均匀性超过 95%。这一点非常重要,因为深度且均匀的刻蚀是 3D DRAM 面临的主要制造挑战之一 对于 CXMT 而言,这最终可能提供另一条扩展路径,减少对先进光刻技术的依赖,更多依靠垂直架构、材料和工艺技术