Daniel Romero

$AMZN 获批成为面向 AI 数据中心的最大获许可电力园区
$AMZN has 已被披露为得克萨斯州西部佩科斯县 7.65 GW 数据中心项目背后的公司
该园区获准配置 35 台燃气轮机，并计划配备 1.8 GW 的电池储能和最多 750 MW 的太阳能发电容量
Pacifico Energy 将拥有并运营该发电厂，而 Amazon 负责购买电力
预计首批电力将于 2027 年第一季度供应，2028 年上线 1 GW，到 2031 年有望达到 5+ GW，获准的燃气发电容量最高可达 7.65 GW
AWS 已承诺为 Anthropic 提供最多 5 GW 的容量，并为 OpenAI 提供 2 GW 的 Trainium 容量，这些承诺均与该项目相关
通过在 ERCOT 电网之外运营，Amazon 可以避免长达数年的并网延迟，并更快部署 AI 基础设施
该园区计划在必要的输电条件具备后接入电网

Elon Musk 想在 Terafab 投资超过 $120B
部分原因是为了制造内存
我确信这是因为他看到内存价格从今天的水平暴跌
当最大的内存消费者之一决定制造自己的内存时，这就告诉你趋势将走向何方

说内存交易已死的人这么多……
这些观点一个月前都去哪儿了？
> 顶部看多，-50% 时看空
跟随情绪没有 alpha
大多数观点甚至都没有深入分析数据
只是说“商品”和“低 P/E 意味着见顶”
难道六月时它就不是大宗商品了吗？

Elon Musk 在上次 $SPCX 财报电话会议上用一句话概括了存储器牛市论点：
“存储器产量每年增加约 20%。
需求每年增加 20% 吗？不是。需求每年增加 200%，或许更高。
如果需求增长速度远高于供应，经济学入门知识会告诉你，价格会上涨。不会下跌。”

$NBIS Vineland 扩建项目面临日益加剧的反对
反对情绪进一步加剧，已有 2,900 人签名，数百人参加了 8 月 5 日的听证会
DataOne 修订后的设计仍将每年排放 21.9 亿磅 CO₂，消耗约 800 万加仑水，并包括一个 150 万加仑的 LNG 储罐
8 月 5 日为期六小时的听证会在未进行投票或公众陈述的情况下结束。听证会将于 8 月 17 日恢复，届时规划委员会可能决定是否批准修订后的扩建和电力基础设施方案

美国对多晶硅征收 15% 的关税
影响硅电池片、硅片和成品太阳能组件
半导体行业协会警告称，美国国内晶圆产能目前无法满足需求，尤其是先进的 300mm 晶圆

花旗表示，存储器回调是买入机会
重申对 $SKHY 的买入评级，将其 2026 年和 2027 年营业利润预期分别上调 4% 和 3%，并维持 ₩310 万的目标价
花旗还预计，由于长期协议，周期将持续更长时间

终于！
我从没去过得克萨斯州
我想凡事都有第一次

Bernstein 关于 MW 货币化的图表非常实用

ABF 基板已售罄至 2028 年
$NVDA、$AMD 和超大规模云服务商正在预留产能，以确保获得供应至 2028 年的 Ajinomoto Build-up Film 基板
客户还在鼓励供应商开始规划 2029–2030 年的扩产，包括重新开展共同投资安排

路透社报道，$MSFT、$META、$ORCL、$AMZN 和 $GOOG 拥有 1.1 万亿美元的已承诺租赁付款，这些租赁尚未开始
Microsoft 披露为 3291 亿美元，Meta 为 2790 亿美元，另有 7 月签署的 680 亿美元，Oracle 为 2600 亿美元，Amazon 为 1372 亿美元，Alphabet 为 852 亿美元
Oracle 的合同通常为期 15–19 年

Ayar Labs 首席执行官 Mark Wade 表示，共封装光学的规模化部署仍按计划在 2028–2029 年期间开始提升
他指出，台湾的晶圆代工、封装和系统供应链对商业化至关重要

回过头来看摩根士丹利 6 月 29 日这番预言般的判断
Leopold 早该看到这点并尽快卖掉自己的持仓

我得承认，我会想念 Situational Unawareness 13F 更新，以及看着 X 因此陷入疯狂的场面

据业内消息，$SKHY、$MU 和 Samsung 据称已售罄并已完全分配其 2027 年的全部 DRAM 和高带宽内存产能
似乎又一个创纪录的盈利年已经锁定

$SPCX 盘前下跌 10%
可能不是 Elon 认为事情会发展的方向

三星推出 zHBM，承诺性能最高可达 HBM5 的 8×
三星推出了 zHBM，这是一种下一代 3D 内存架构，将多个 HBM 单元直接垂直堆叠在 AI 加速器上方，而不是按照传统 2.5D 布局将其置于处理器旁边
三星表示，zHBM 可实现：
- 其性能比 HBM5 高 4–8×
- 每瓦性能最高提升 3×
- 热阻降低超过 50%
其主要优势在于缩短内存与处理器之间的数据传输距离。更高密度的 TSV 连接使这种垂直结构成为可能。三星认为，随着客户要求内存性能提升约 10×，传统的 HBM4 和 HBM5 架构可能已无法满足需求
三星还披露了有关 HBM5 的更多细节，预计其性能将达到 HBM4E 的 2×，并将热阻降低 20%。它将采用 2nm 基础裸片和全新的 Heat Path Block 结构，旨在改善散热
除 HBM 外，三星还推出了：
- zNAND-O：四个或八个垂直堆叠的 V-NAND 单元，专为 PC 和智能手机上的端侧 AI 设计，从而减少对高成本数据中心推理的依赖
- V10 BV-NAND：三星第十代 NAND，包含超过 400 层垂直堆叠层，同时提升了读取、写入和 I/O 性能